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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
VS-GT200TS065S	115.8100	RFQ	3012	Vishay通用半导体 -二极管部门	Fredpt®	盒子	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块					1 kW	标准		-	rohs3符合条件	（1 （无限）		112-VS-GT200TS065S			15	半桥逆变器																			沟	650 v	476 a							200 µA	不
PVR100AZ-B3V0,115	-	RFQ	2613	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	PVR10				550兆		SC-73	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000																					45 v	100 ma							100NA（ICBO）			NPN + Zener	-	160 @ 100mA，1V	-
FP75R12N3T7B11BPSA1	206.2200	RFQ	7	Infineon技术	Econopim™3	托盘	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块					20兆	三相桥梁整流器	Ag-econo3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器																			沟渠场停止	1200 v	75 a		1.8V @ 15V，75a					13 µA	是的	15.1 NF @ 25 V
SQS482ENW-T1_GE3	0.9200	RFQ	4814	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8W	SQS482			MOSFET （金属 o化物）			PowerPak®1212-8W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						30 V	16A（TC）	4.5V，10V	8.5MOHM @ 16.4a，10V	2.5V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±20V	1865 PF @ 25 V	-	62W（TC）
PDTA144VMB，315	0.0361	RFQ	5203	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	3-XFDFN	PDTA144				250兆		DFN1006B-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																					50 V	100 ma							1µA			pnp-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	40 @ 5mA，5V	180 MHz	47科姆斯	10 kohms
RJK6026DPP-00＃t2	0.9600	RFQ	25	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的												下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
SPI07N65C3	0.8300	RFQ	500	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道						650 v	7.3A（TC）	10V	600MOHM @ 4.6A，10V	3.9V @ 350µA	27 NC @ 10 V	±20V	790 pf @ 25 V	-	83W（TC）
NTLJS14D0P03P8ZTAG	-	RFQ	2846	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的												-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NTLJS14D0P03P8ZTAGTR			3,000
IRGS4607DPBF	0.8500	RFQ	850	国际整流器	-	管子	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准			58 w		D2PAK	下载	不适用				Ear99	8541.29.0095	50				400V，4A，100OHM，15V															48 ns	-	600 v	11 a	12 a	2.05V @ 15V，4A	（140µJ）（在62µJ上）	9 NC	27NS/120NS
KSC2316YBU	-	RFQ	5731	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	KSC2316				900兆		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	6,000																					120 v	800 MA							100NA（ICBO）			NPN	1V @ 50mA，500mA	120 @ 100mA，5V	120MHz
JANTXV2N3584	240.2418	RFQ	1147	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/384	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-213AA，TO-66-2					2.5 w		TO-66（TO-213AA）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																					250 v	5 ma							5mA			NPN	750mv @ 125mA，1a	25 @ 1A，10V	-
di036n20pq	2.4083	RFQ	5	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN				MOSFET （金属 o化物）			8-qfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2796-DI036N20PQTR		8541.21.0000	5,000		n通道						200 v	36a（TC）	10V	40mohm @ 28a，10v	4V @ 250µA	145 NC @ 10 V	±20V	4270 pf @ 30 V	-	125W（TC）
FQP46N15	-	RFQ	1033	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP46			MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2156-FQP46N15	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						150 v	45.6A（TC）	10V	42MOHM @ 22.8A，10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±25V	3250 pf @ 25 V	-	210W（TC）
VRF152GMP	356.1300	RFQ	10	微芯片技术	-	大部分	积极的					VRF152							-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-VRF152GMP	Ear99	8541.29.0095	1
STL92N10F7AG	2.1500	RFQ	3	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL92			MOSFET （金属 o化物）			PowerFlat™（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						100 v	16A（TC）	10V	9.5OHM @ 8A，10V	4.5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	3100 pf @ 50 V	-	5W（5W），100W（100W）TC）
SI4906DY-T1-E3	-	RFQ	9113	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4906			MOSFET （金属 o化物）	3.1W		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）							40V	6.6a		39mohm @ 5a，10v	2.2V @ 250µA	22nc @ 10V		625pf @ 20V	-
FMS7G10US60S	-	RFQ	7853	Onmi	-	盒子	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	25 pm-aa	FMS7				66 W	单相桥梁整流器	25 pm-aa	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	三期逆变器																			-	600 v	10 a		2.7V @ 15V，10a					250 µA	是的	710 PF @ 30 V
DMT12H090LFDF4-7	0.3599	RFQ	9131	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-powerxdfn	DMT12			MOSFET （金属 o化物）			X2-DFN2020-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	31-DMT12H090LFDF4-7TR	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道						115 v	3.4a（ta）	3V，10V	90MOHM @ 3.5A，10V	2.2V @ 250µA	6 NC @ 10 V	±12V	251 PF @ 50 V	-	900MW（TA）
PMDXB950UPEZ	0.3700	RFQ	46	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-xfdfn暴露垫	PMDXB950			MOSFET （金属 o化物）	265MW		DFN1010B-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	5,000	2（p 通道（双）							20V	500mA		1.4OHM @ 500mA，4.5V	950mv @ 250µA	2.1nc @ 4.5V		43pf @ 10V	逻辑级别门
IPD25DP06NMATMA1	0.9800	RFQ	2	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD25DP06			MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-313	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道						60 V	6.5A（TC）	10V	250mohm @ 6.5a，10v	4V @ 270µA	10.6 NC @ 10 V	±20V	420 pf @ 30 V	-	28W（TC）
BLF6G10LS-260PRN，1	-	RFQ	4283	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		表面安装	SOT-539B	BLF6G10		917.5MHz〜962.5MHz	ldmos			SOT539B	下载		（1 （无限）	到达不受影响	934064451118	Ear99	8541.29.0095	100	双重，共同来源		64a		1.8 a	40W	22DB											-										28 V
TK1K2A60F，S4X	1.0400	RFQ	40	东芝半导体和存储	u-mosix	管子	积极的		150°C	通过洞	TO-220-3完整包	TK1K2A60			MOSFET （金属 o化物）			TO-220Si	下载	rohs3符合条件	不适用			Ear99	8541.29.0095	50		n通道						600 v	6a（6a）	10V	1.2OHM @ 3A，10V	4V @ 630µA	21 NC @ 10 V	±30V	740 pf @ 300 V	-	35W（TC）
FQD2P40TF	0.4400	RFQ	9757	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）			TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	195		P通道						400 v	1.56A（TC）	10V	6.5OHM @ 780mA，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	350 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），38W（tc）
SI1917EDH-T1-E3	-	RFQ	9386	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1917			MOSFET （金属 o化物）	570MW		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）							12V	1a		370MOHM @ 1A，4.5V	450mv @ 100µA（100µA））	2NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
APTGT35A120D1G	-	RFQ	5031	Microsemi Corporation	-	大部分	在sic中停产		-	底盘安装	D1					205 w	标准	D1	-	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1	半桥																			沟渠场停止	1200 v	55 a		2.1V @ 15V，35a					5 ma	不	2.5 nf @ 25 V
DMP4025LSSQ-13	0.5054	RFQ	6386	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	DMP4025			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道						40 V	6a（6a）	4.5V，10V	25mohm @ 3a，10v	1.8V @ 250µA	33.7 NC @ 10 V	±20V	1640 pf @ 20 V	-	1.52W（TA）
PHP27NQ11T，127	0.6100	RFQ	4	NXP半导体	Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载		不适用	到达不受影响	2156-PHP27NQ11T，127-954			536		n通道						110 v	27.6A（TC）	10V	50mohm @ 14a，10v	4V @ 1mA	30 NC @ 10 V	±20V	1240 pf @ 25 V	-	107W（TC）
2SK2962，T6WNLF （m	-	RFQ	5951	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SK2962						to-92mod	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	1									1A（TJ）
IQFH99N06NM5ATMA1	2.4512	RFQ	1165	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的												-	rohs3符合条件						3,000
SUM70090E-GE3	1.6600	RFQ	1264	Vishay Siliconix	Thunderfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum70090			MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道						100 v	50A（TC）	7.5V，10V	8.9mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	1950 pf @ 50 V	-	125W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²