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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）
STW40N60M2	8.7300	RFQ	600	Stmicroelectronics	MDMESH™II Plus	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW40		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					600 v	34A（TC）	10V	88mohm @ 17a，10v	4V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±25V	2500 PF @ 100 V	-	250W（TC）
MTM232230L	-	RFQ	5634	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323			MOSFET （金属 o化物）		smini3-g1	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					20 v	4.5A（ta）	2.5V，4.5V	28mohm @ 1A，4V	1.3V @ 1mA		±10V	1200 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
CPM2-1200-0160B	-	RFQ	6076	Wolfspeed，Inc。	*	大部分	积极的					CPM2					下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0040	1
SIR638ADP-T1-RE3	1.8000	RFQ	139	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir638		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					40 V	100A（TC）	4.5V，10V	0.88MOHM @ 20A，10V	2.3V @ 250µA	165 NC @ 10 V	+20V，-16V	9100 PF @ 100 V	-	104W（TC）
2SC4485S-AN	0.1500	RFQ	20	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1
IRF7201PBF	-	RFQ	1045	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道					30 V	7.3A（TC）	4.5V，10V	30mohm @ 7.3a，10v	1V @ 250µA	28 NC @ 10 V	±20V	550 pf @ 25 V	-	2.5W（TC）
APT66F60B2	16.7900	RFQ	1113	微芯片技术	Power MOS 8™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	APT66F60		MOSFET （金属 o化物）		T-MAX™[B2]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					600 v	70A（TC）	10V	90mohm @ 33a，10v	5V @ 2.5mA	330 NC @ 10 V	±30V	13190 pf @ 25 V	-	1135W（TC）
IRL2910STRL	-	RFQ	6192	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					100 v	55A（TC）	4V，10V	26mohm @ 29a，10v	2V @ 250µA	140 NC @ 5 V	±16V	3700 PF @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
IPAW60R360P7SXKSA1	1.4600	RFQ	211	Infineon技术	Coolmos™P7	管子	不适合新设计		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	ipaw60		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	45		n通道					650 v	9A（TC）	10V	360MOHM @ 2.7A，10V	4V @ 140µA	13 NC @ 10 V	±30V	555 pf @ 400 V	-	22W（TC）
SPP04N50C3XKSA1	-	RFQ	7142	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	spp04n		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000681022	Ear99	8541.29.0095	500		n通道					560 v	4.5A（TC）	10V	950MOHM @ 2.8A，10V	3.9V @ 200µA	22 NC @ 10 V	±20V	470 pf @ 25 V	-	50W（TC）
BC32825	0.0500	RFQ	10	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	6,662																		25 v	800 MA		100NA	PNP	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	100MHz
MRFG35020AR1	-	RFQ	8870	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	15 v		底盘安装	NI-360	MRFG35	3.5GHz	Phemt fet		NI-360	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500			-	300 MA	2W	11.5db											-			12 v
MRF8S9102NR3	-	RFQ	2105	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	70 v		表面安装	OM-780-2	MRF8	920MHz	ldmos		OM-780-2	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250			-	750 MA	28W	23.1db											-			28 V
ZTX855	1.0200	RFQ	7432	二极管合并	-	大部分	积极的		-55°C 200°C（TJ）	通过洞	E-Line-3				1.2 w	to-92兼容）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0075	4,000																		150 v	4 a		50NA（iCBO）	NPN	260mv @ 400mA，4a	100 @ 1A，5V	90MHz
PSMN3R2-30YLC，115	-	RFQ	9850	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PSMN3					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,500
BUK9607-30B，118	0.4200	RFQ	1	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					Buk96					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800
IPB60R280CFD7ATMA1	2.8500	RFQ	9606	Infineon技术	CoolMos™CFD7	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB60R280		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					600 v	9A（TC）	10V	280MOHM @ 3.6A，10V	4.5V @ 180µA	18 nc @ 10 V	±20V	807 PF @ 400 V	-	51W（TC）
5HP01S-TL-E	-	RFQ	2997	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-75，SOT-416	5HP01				SMCP	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000
FCD5N60-F085	-	RFQ	2477	Onmi	汽车，AEC-Q101，SuperFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FCD5		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					600 v	4.6A（TC）	10V	1.1OHM @ 4.6A，10V	5V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±30V	570 pf @ 25 V	-	54W（TJ）
RN2410，LF	0.1900	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	RN2410			200兆	S-Mini	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0075	3,000																		50 V	100 ma		100NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V	200 MHz	4.7科姆斯
DMT3009UFVW-7	0.1719	RFQ	7313	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-Powervdfn	DMT3009		MOSFET （金属 o化物）		PowerDi3333-8（SWP）类型ux	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	31-DMT3009UFVW-7TR	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道					30 V	10.6a（ta），30a	4.5V，10V	11MOHM @ 11a，10v	1.8V @ 250µA	7.4 NC @ 10 V	±12V	894 pf @ 15 V	-	1.2W（ta），2.6W（TC）
STL100N12F7	-	RFQ	2376	Stmicroelectronics	StripFet™F7	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL100		MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（5x6）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					120 v	100A（TC）	10V	7.5MOHM @ 9A，10V	4.5V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	3300 PF @ 60 V	-	136W（TC）
IRFU220BTU-AM002	-	RFQ	2423	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU220		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,040		n通道					200 v	4.6A（TC）	10V	800MOHM @ 2.3a，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±30V	390 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），40W（TC）
MPSA55	-	RFQ	7335	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				625兆	TO-92（to-226）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,000																		60 V	500 MA		100NA	PNP	250mv @ 10mA，100mA	100 @ 100mA，1V	50MHz
JASP2N3500L	41.5800	RFQ	1113	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				1 w	TO-5AA	-			到达不受影响	150-JANSP2N3500L			1																		150 v	300 MA		10µA（ICBO）	NPN	400mv @ 15mA，150mA	40 @ 150mA，10V	-
PXT8550-D	0.0820	RFQ	100	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA				500兆	SOT-89	-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-PXT8550-DTR	Ear99		1,000																		25 v	1.5 a		100NA	PNP	500mv @ 80mA，800mA	160 @ 100mA，1V	100MHz
IAUA180N08S5N026AUMA1	3.7400	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	5-Powersfn			MOSFET （金属 o化物）		PG-HSOF-5-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道					80 V	180a（TJ）	6V，10V	2.6MOHM @ 90A，10V	3.8V @ 100µA	87 NC @ 10 V	±20V	5980 pf @ 40 V	-	179W（TC）
AON4807	-	RFQ	8703	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	AON480		MOSFET （金属 o化物）	1.9W	8-DFN （3x2）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）						30V	4a		68mohm @ 4A，10V	2.3V @ 250µA	10NC @ 10V		290pf @ 15V	逻辑级别门
AUIRF1010EZS	-	RFQ	5742	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道					60 V	75A（TC）	10V	8.5MOHM @ 51A，10V	4V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±20V	2810 PF @ 25 V	-	140W（TC）
IRF7704Tr	-	RFQ	4612	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）			MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		P通道					40 V	4.6a（ta）	4.5V，10V	46mohm @ 4.6A，10V	3V @ 250µA	38 NC @ 4.5 V	±20V	3150 pf @ 25 V	-	1.5W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²