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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
mpsa56-ap	0.4400	RFQ	53	微商业公司	-	（CT）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	MPSA56		625兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000												80 V	500 MA	100NA	PNP	250mv @ 10mA，100mA	100 @ 100mA，1V	50MHz
SIHD3N50D-BE3	0.9200	RFQ	1899年	Vishay Siliconix	d	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SIHD3	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）		742-SIHD3N50D-BE3	Ear99	8541.29.0095	75	n通道	500 v	3A（TC）	10V	3.2OHM @ 1.5A，10V	5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±30V	175 pf @ 100 V	-	69W（TC）
ksb564acybu	-	RFQ	5503	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	KSB56		800兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000												25 v	1 a	100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 100mA，1a	120 @ 100mA，1V	110MHz
SQS482EN-T1_BE3	0.9100	RFQ	7825	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载		（1 （无限）		742-sqs482en-t1_be3tr	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	16A（TC）	4.5V，10V	8.5MOHM @ 16.4a，10V	2.5V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±20V	1865 PF @ 25 V	-	62W（TC）
SI8469DB-T2-E1	-	RFQ	6714	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-ufbga	SI8469	MOSFET （金属 o化物）		4微米	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	8 V	4.6a（ta）	4.5V	64mohm @ 1.5A，4.5V	800MV @ 250µA	17 NC @ 4.5 V	±5V	900 pf @ 4 V	-	（780MW）（TA），1.8W（tc）
TIP31E-S	-	RFQ	1455	Bourns Inc.	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-220-3	提示31		2 w	TO-220	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	15,000												140 v	3 a	300µA	NPN	2.5V @ 750mA，3a	25 @ 1A，4V	-
ZVP4105A	-	RFQ	7235	二极管合并	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		MOSFET （金属 o化物）		到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	ZVP4105A-NDR	Ear99	8541.21.0095	4,000	P通道	50 V	175ma（ta）	5V	10ohm @ 100mA，5v	2V @ 1mA		±20V	40 pf @ 25 V	-	625MW（TA）
GT650N15K	0.2750	RFQ	5	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	150 v	20A（TC）	10V	65mohm @ 10a，10v	4.5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	600 pf @ 75 V	-	68W（TC）
NTTFS012N10MDTAG	1.7000	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	100 v	9.2A（ta），45a tc）	6V，10V	14.4mohm @ 15a，10v	4V @ 78µA	13 NC @ 10 V	±20V	965 PF @ 50 V	-	2.7W（TA），62W（tc）
2SK3355-S-az	-	RFQ	8988	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的				2SK3355	-			下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1										-
IRLR8113TRPBF	-	RFQ	8614	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	30 V	94A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 15a，10v	2.25V @ 250µA	32 NC @ 4.5 V	±20V	2920 PF @ 15 V	-	89W（TC）
FQPF9N25	-	RFQ	8013	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF9	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	250 v	6.7A（TC）	10V	420MOHM @ 3.35A，10V	5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	700 pf @ 25 V	-	45W（TC）
NTJS3151PT2	-	RFQ	8744	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	NTJS31	MOSFET （金属 o化物）		SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道	12 v	2.7a（ta）	1.8V，4.5V	60mohm @ 3.3a，4.5V	1.2V @ 100µA	8.6 NC @ 4.5 V	±12V	850 pf @ 12 V	-	625MW（TA）
FW808-m-TL-E	0.1900	RFQ	182	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,000
2N6270	103.8600	RFQ	1767年	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			262 w	TO-204AD（TO-3）	-			到达不受影响	150-2N6270	Ear99	8541.29.0095	1												80 V	10 a	-	NPN	-	-	-
JANSL2N2906AUB/TR	148.3710	RFQ	8116	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C	表面安装	3-SMD，没有铅	2N2906		500兆	UB	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANSL2N2906AUB/TR	Ear99	8541.21.0095	1												60 V	600 MA	50NA	PNP	1.6V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10V	-
FDC638P-P	-	RFQ	7160	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	FDC638	MOSFET （金属 o化物）		SuperSot™-6	-		（1 （无限）	到达不受影响	488-FDC638P-PTR	Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	20 v	4.5A（ta）	2.5V，4.5V	48mohm @ 4.5A，4.5V	1.5V @ 250µA	14 NC @ 4.5 V	±8V	1160 pf @ 10 V	-	1.6W（TA）
2N6486锡/铅	2.8900	RFQ	176	中央半导体公司	-	管子	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			1.8 w	TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50												40 V	15 a	1ma	NPN	3.5V @ 5a，15a	20 @ 5A，4V	5MHz
SI7820DN-T1-E3	1.5500	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7820	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	200 v	1.7A（TA）	6V，10V	240MOHM @ 2.6a，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V		-	1.5W（TA）
2SK1318-E	1.0000	RFQ	6210	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的								下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
R6003KND3TL1	1.6800	RFQ	117	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	R6003	MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	600 v	3A（TC）	10V	1.5OHM @ 1A，10V	5.5V @ 1mA	8 nc @ 10 V	±20V	185 pf @ 25 V	-	44W（TC）
BSS138NH6433XTMA1	0.3900	RFQ	5592	Infineon技术	SIPMOS™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSS138	MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000	n通道	60 V	230ma（ta）	4.5V，10V	3.5OHM @ 230mA，10V	1.4V @ 26µA	1.4 NC @ 10 V	±20V	41 pf @ 25 V	-	360MW（TA）
IXFQ60N503	10.5200	RFQ	24	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXFQ60	MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	500 v	60a（TC）	10V	100mohm @ 30a，10v	5V @ 4mA	96 NC @ 10 V	±30V	6250 pf @ 25 V	-	1040W（TC）
FDMA6676PZ	0.8400	RFQ	6	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6 PowerWDFN	FDMA6676	MOSFET （金属 o化物）		6-microfet（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	30 V	11a（11a）	4.5V，10V	13.5mohm @ 11a，10v	2.6V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±25V	2160 pf @ 15 V	-	2.4W（TA）
SCT3080ALHRC11	21.0800	RFQ	8	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SCT3080	sicfet （碳化硅）		TO-247N	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	650 v	30A（TC）	18V	104mohm @ 10a，18v	5.6V @ 5mA	48 NC @ 18 V	+22V，-4V	571 PF @ 500 V	-	134W
FQI17N08TU	0.5100	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	80 V	16.5A（TC）	10V	115MOHM @ 8.25a，10V	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±25V	450 pf @ 25 V	-	3.13W（ta），65W（tc）
BD678AS	0.2800	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3			14 W	TO-126-3	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BD678AS-600039			1												60 V	4 a	500µA	pnp-达灵顿	2.8V @ 40mA，2a	750 @ 2a，3v	-
SIHK055N60EF-T1GE3	9.1100	RFQ	2	Vishay Siliconix	EF	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerbsfn	SIHK055	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®10x12	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	600 v	40a（TC）	10V	58mohm @ 16a，10v	5V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±30V	3667 PF @ 100 V	-	236W（TC）
DMTH8008LFG-7	0.4973	RFQ	5201	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		PowerDI3333-8	下载			到达不受影响	31-DMTH8008LFG-7TR	Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	80 V	（17a）（ta），70a （TC）	4.5V，10V	6.9mohm @ 20a，10v	2.5V @ 1mA	37.7 NC @ 10 V	±20V	2254 PF @ 40 V	-	1.2W（ta），50W（TC）
IRFSL4310ZPBF	-	RFQ	3516	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道	100 v	120A（TC）	10V	6mohm @ 75a，10v	4V @ 150µA	170 NC @ 10 V	±20V	6860 pf @ 50 V	-	250W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²