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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
IRFD9110	-	RFQ	9745	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD9110	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFD9110	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	100 v	700mA（TA）	10V	1.2OHM @ 420mA，10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	1.3W（TA）
IXFH34N65X2	8.4800	RFQ	100	ixys	Hiperfet™，Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH34	MOSFET （金属 o化物）		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	650 v	34A（TC）	10V	105mohm @ 17a，10v	5.5V @ 2.5mA	56 NC @ 10 V	±30V	3330 PF @ 25 V	-	540W（TC）
IRF644SPBF	3.5900	RFQ	766	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF644	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF644SPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	250 v	14A（TC）	10V	280MOHM @ 8.4a，10V	4V @ 250µA	68 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），125W（tc）
JANSD2N3439UA	-	RFQ	2668	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/368	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅			800兆	UA	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANSD2N3439UA	Ear99	8541.21.0095	1													350 v	1 a	2µA	NPN	500mv @ 4mA，50mA	40 @ 20mA，10v	-
FQA7N80C	1.0100	RFQ	25	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	30		n通道	800 v	7A（TC）	10V	1.9OHM @ 3.5A，10V	5V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±30V	1680 pf @ 25 V	-	198W（TC）
HUF76139S3	1.2200	RFQ	800	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	30 V	75A（TC）	4.5V，10V	7.5MOHM @ 75A，10V	3V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±16V	2700 PF @ 25 V	-	200W（TC）
IRF7413ZTRPBFXTMA1	0.3869	RFQ	9133	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		PG-DSO-8-902	-	rohs3符合条件			448-irf7413ztrpbfxtma1tr			4,000		n通道	30 V	13A（TA）	4.5V，10V	10mohm @ 13a，10v	2.25V @ 250µA	14 NC @ 4.5 V	±20V	1210 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
FZT956QTA	0.5778	RFQ	3513	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			1.6 w	SOT-223-3	下载			到达不受影响	31-FZT956QTATR	Ear99	8541.29.0075	1,000													200 v	2 a	50NA	PNP	275mv @ 400mA，2a	100 @ 1A，5V	110MHz
DMNH4006SPS-13	0.5968	RFQ	3369	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装		DMNH4006	MOSFET （金属 o化物）			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	DMNH4006SPS-13DI	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	110A（TC）	10V	7mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	50.9 NC @ 10 V	20V	2280 pf @ 25 V	-	1.6W（TA）
AUIRF1010EZS	-	RFQ	5742	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道	60 V	75A（TC）	10V	8.5MOHM @ 51A，10V	4V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±20V	2810 PF @ 25 V	-	140W（TC）
IRF7704Tr	-	RFQ	4612	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）		MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		P通道	40 V	4.6a（ta）	4.5V，10V	46mohm @ 4.6A，10V	3V @ 250µA	38 NC @ 4.5 V	±20V	3150 pf @ 25 V	-	1.5W（TA）
FDG316P	-	RFQ	9163	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	FDG316	MOSFET （金属 o化物）		SC-88 （SC-70-6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	30 V	1.6a（ta）	4.5V，10V	190MOHM @ 1.6A，10V	3V @ 250µA	5 NC @ 10 V	±20V	165 pf @ 15 V	-	750MW（TA）
BC857,235	0.1400	RFQ	9	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC857		250兆	TO-236AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000													45 v	100 ma	15NA（icbo）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	125 @ 2mA，5V	100MHz
FDD8453LZ-F085	1.5400	RFQ	1	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD8453	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	50A（TC）	4.5V，10V	6.7MOHM @ 15A，10V	3V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	3515 PF @ 20 V	-	118W（TC）
FQB20N06LTM	-	RFQ	8991	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB2	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	21a（TC）	5V，10V	55mohm @ 10.5a，10v	2.5V @ 250µA	13 NC @ 5 V	±20V	630 pf @ 25 V	-	3.75W（TA），53W（tc）
NVMFS5C680NLWFT1G	0.6427	RFQ	4412	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道	60 V	8.1a（ta），21a （TC）	4.5V，10V	27.5MOHM @ 7.5A，10V	2.2V @ 13µA	5.8 NC @ 10 V	±20V	330 pf @ 25 V	-	3.4W（24W），24W tc）
BC817K25E6433HTMA1	0.0504	RFQ	1161	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC817		500兆	PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000													45 v	500 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	170MHz
NHDTC124ETVL	0.2200	RFQ	39	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NHDTC124		250兆	TO-236AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10,000													80 V	100 ma	100NA	npn-预先偏见	100mv @ 500µA，10mA	70 @ 10mA，5V	170 MHz	22 KOHMS	22 KOHMS
buz73ain	0.3200	RFQ	966	Infineon技术	Sipmos®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	966		n通道	200 v	5.5A（TC）	10V	600MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 1mA		±20V	530 pf @ 25 V	-	40W（TC）
DDTB143TC-7-F	-	RFQ	5333	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DDTB143		200兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	500 MA	500NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	100 @ 5mA，5V	200 MHz	4.7科姆斯
BCX19HZGT116	0.3500	RFQ	1	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCX19		200兆	SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000													45 v	500 MA	100NA（ICBO）		620mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V
R6050JNZC8	-	RFQ	7204	Rohm半导体	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	R6050	MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	846-R6050JNZC8	Ear99	8541.29.0095	30		n通道	600 v	50A（TC）	15V	83mohm @ 25a，15v	7V @ 5mA	120 NC @ 15 V	±30V	4500 PF @ 100 V	-	120W（TC）
IPLK60R360PFD7ATMA1	1.6300	RFQ	9	Infineon技术	CoolMos™PFD7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IPLK60	MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-52	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	600 v	13A（TC）	10V	360MOHM @ 2.9a，10V	4.5V @ 140µA	12.7 NC @ 10 V	±20V	534 PF @ 400 V	-	74W（TC）
AOT9N40	-	RFQ	5019	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	AOT9	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	400 v	8A（TC）	10V	800MOHM @ 4A，10V	4.5V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±30V	760 pf @ 25 V	-	132W（TC）
PSMN2R4-30MLDX	1.1200	RFQ	21	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-1210，8-LFPAK33（5铅）	PSMN2R4	MOSFET （金属 o化物）		LFPAK33	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道	30 V	70A（TC）	4.5V，10V	2.4mohm @ 25a，10v	2.2V @ 1mA	51 NC @ 10 V	±20V	3264 pf @ 15 V	-	91W（TC）
CCB021M12FM3T	241.9900	RFQ	5	Wolfspeed，Inc。	-	盒子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	CCB021	（SIC）	10MW	模块	下载		不适用		1697-CCB021M12FM3T			18	6 n通道（3相桥）		1200V	51A（TJ）		27.9mohm @ 30a，15v	3.6V @ 17.7mA	162nc @ 15V		4900pf @ 800V	（SIC）
2SK852-T1-A	0.2000	RFQ	138	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的								下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
FJX1182YTF	-	RFQ	2010	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	FJX118		150兆	SC-70（SOT323）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000													30 V	500 MA	100NA（ICBO）	PNP	250mv @ 10mA，100mA	120 @ 100mA，1V	200MHz
JANTXV2N2432AUB/TR	-	RFQ	3878	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			360兆w	UB	-			到达不受影响	150-JANTXV2N2432AUB/TR			100													45 v	100 ma	10NA	NPN	150MV @ 500µA，10mA	80 @ 1mA，5V	-
IPW60R099P7XKSA1	6.1200	RFQ	205	Infineon技术	Coolmos™P7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IPW60R099	MOSFET （金属 o化物）		pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	600 v	31a（TC）	10V	99mohm @ 10.5a，10v	4V @ 530µA	45 NC @ 10 V	±20V	1952 PF @ 400 V	-	117W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²