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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备软件包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
RSH110N03TB1	-	RFQ	2994	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RSH110		MOSFET （金属 o化物）			8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	11a（11a）		10.7MOHM @ 11A，10V	2.5V @ 1mA	17 NC @ 5 V		1300 pf @ 10 V	-	2W（TA）
2SC2235-y-ap	-	RFQ	3846	微商业公司	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	2SC2235			900兆		to-92mod	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		353-2SC2235-y-APTB	Ear99	8541.21.0075	2,000																120 v	800 MA						100NA（ICBO）			NPN	1V @ 50mA，5a	120 @ 100mA，5V	120MHz
NTE2384	50.8400	RFQ	54	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-3	下载	rohs3符合条件			2368-NTE2384	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		900 v	6A（TC）	10V	1.4OHM @ 3A，10V	4.5V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	2600 PF @ 25 V	-	180W（TC）
2SC2412-Q	0.0160	RFQ	300	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				200兆		SOT-23	-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-2SC2412-qtr	Ear99		3,000																50 V	150 ma						100NA（ICBO）			NPN	400mv @ 5mA，50mA	120 @ 1mA，6v	150MHz
G050P03T	1.1700	RFQ	26	戈福德半导体	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0000	50		P通道		30 V	85A（TC）	4.5V，10V	5mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	111 NC @ 10 V	±20V	6922 PF @ 15 V	-	100W（TC）
HGTP20N35F3ULR3935	1.9200	RFQ	800	哈里斯公司	*	大部分	积极的										-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
IRG4PC40KDPBF-IR	1.0000	RFQ	6710	国际整流器	*	大部分	积极的										-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1
DMT3003LFGQ-13	0.3660	RFQ	2228	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMT3003		MOSFET （金属 o化物）			PowerDI3333-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	DMT3003LFGQ-13DI	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		30 V	22a（22A），100A（tc）	4.5V，10V	3.2MOHM @ 20A，10V	3V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	2370 pf @ 15 V	-	2.4W（ta），62W（tc）
VQ2001P	-	RFQ	5621	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）		-	VQ2001		MOSFET （金属 o化物）	2W		-	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	4个p通道			30V	600mA		2ohm @ 1a，12v	4.5V @ 1mA	-		150pf @ 15V	-
BC807-25Hz	0.2800	RFQ	4	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC807			320兆W		TO-236AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																45 v	500 MA						100NA（ICBO）			PNP	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	80MHz
FDBL9403-F085T6AW	-	RFQ	4614	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn			MOSFET （金属 o化物）			8-hpsof	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-FDBL9403-F085T6AWTR	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		40 V	50a（50A），300A （TC）	10V	0.95MOHM @ 50a，10V	4V @ 250µA	108 NC @ 10 V	+20V，-16V	6985 PF @ 25 V	-	4.3W（TA），159.6W（TC）
IRGR2B60KDTRRPBF	-	RFQ	7153	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		标准		35 w		D-pak	下载					Ear99	8542.39.0001	1			400V，2A，100OHM，15V											68 ns	npt	600 v	6.3 a	8 a	2.25V @ 15V，2A	（74µJ）（在），39µJ（（（（（）	12 nc	11NS/150NS
SSM6L36TU，LF	0.3800	RFQ	14	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅	SSM6L36		MOSFET （金属 o化物）	500MW（TA）		UF6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道			20V	500mA（ta），330mA（ta）		630mohm @ 200ma，5v，1.31Ohm @ 100mA，4.5V	1V @ 1mA	1.23nc @ 4V，1.2NC @ 4V		46pf @ 10V，43pf @ 10V	逻辑级别门，1.5V
AOTF18N65_001	-	RFQ	8936	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-	-	-	AOTF18		MOSFET （金属 o化物）			-	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			-	-	-	-		-		-	-
ZXMC3A16DN8QTA	1.1233	RFQ	5272	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ZXMC3		MOSFET （金属 o化物）	1.25W（TA）		8-so	-			到达不受影响	31-ZXMC3A16DN8QTATR	Ear99	8541.29.0095	500	n和p通道互补			30V	6.4a（ta），5.4a（5.4a）（ta）		35MOHM @ 9A，10V，48MOHM @ 4.2A，10V	1V @ 250µA	17.5nc @ 10v，24.9nc @ 10v		796pf @ 25V，970pf @ 15V	-
IGT6D10	2.0700	RFQ	8868	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-204aa		逻辑		75 w		TO-3	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	106			-												-	400 v	10 a	40 a	2.7V @ 15V，10a	-		-
MUN2232T1	0.0200	RFQ	132	Onmi	-	大部分	过时的				MUN22						下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
IRF9541	1.7700	RFQ	4	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		P通道		80 V	19a（tc）	10V	200mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 25 V	-	150W（TC）
BC857BSH-QX	0.0305	RFQ	2153	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	BC857			270MW		6-TSSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1727-BC857BSH-QX	Ear99	8541.21.0095	3,000																45V	100mA						15NA（icbo）			2 PNP （双）	300mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	100MHz
2STW4466	-	RFQ	1504	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	2STW			60 W		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30																80 V	6 a						100NA（ICBO）			NPN	1.5V @ 600mA，6a	50 @ 2a，4v	20MHz
IRFI4019H-117P	-	RFQ	1760年	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-5	IRFI4019		MOSFET （金属 o化物）	18W		TO-220-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	2 n 通道（双）			150V	8.7a		95MOHM @ 5.2A，10V	4.9V @ 50µA	20NC @ 10V		810pf @ 25V	-
FDP7030BL	0.6900	RFQ	72	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	436		n通道		30 V	60a（ta）	4.5V，10V	9mohm @ 30a，10v	3V @ 250µA	24 NC @ 5 V	±20V	1760 pf @ 15 V	-	60W（TC）
IXFA3N80	-	RFQ	1743年	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixfa3		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA（IXFA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		800 v	3.6A（TC）	10V	3.6ohm @ 500mA，10v	4.5V @ 1mA	24 NC @ 10 V	±20V	685 pf @ 25 V	-	100W（TC）
TP65H300G4LSG-TR	4.8000	RFQ	6	移动	-	（CT）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-powerdfn	TP65H300		ganfet（n化岩）			3-PQFN （8x8）	下载		3（168））			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		650 v	6.5A（TC）	8V	312MOHM @ 5A，8V	2.6V @ 500µA	9.6 NC @ 8 V	±18V	760 pf @ 400 V	-	21W（TC）
SI5456DU-T1-GE3	-	RFQ	8269	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Chipfet™	SI5456		MOSFET （金属 o化物）			PowerPak®Chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		20 v	12A（TC）	4.5V，10V	10mohm @ 9.3a，10v	2.5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 10 V	-	3.1W（TA），31W（（（（（（
HUFA76413DK8T-F085	-	RFQ	2442	Onmi	汽车，AEC-Q101，Ultrafet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	HUFA76413		MOSFET （金属 o化物）	2.5W		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）			60V	5.1a		49mohm @ 5.1A，10V	3V @ 250µA	23nc @ 10V		620pf @ 25V	逻辑级别门
VS-GT200TS065S	115.8100	RFQ	3012	Vishay通用半导体 -二极管部门	Fredpt®	盒子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块				1 kW	标准		-	rohs3符合条件	（1 （无限）		112-VS-GT200TS065S			15	半桥逆变器														沟	650 v	476 a						200 µA	不
PVR100AZ-B3V0,115	-	RFQ	2613	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	PVR10			550兆		SC-73	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000																45 v	100 ma						100NA（ICBO）			NPN + Zener	-	160 @ 100mA，1V	-
FP75R12N3T7B11BPSA1	206.2200	RFQ	7	Infineon技术	Econopim™3	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块				20兆	三相桥梁整流器	Ag-econo3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器														沟渠场停止	1200 v	75 a		1.8V @ 15V，75a				13 µA	是的	15.1 NF @ 25 V
SQS482ENW-T1_GE3	0.9200	RFQ	4814	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8W	SQS482		MOSFET （金属 o化物）			PowerPak®1212-8W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		30 V	16A（TC）	4.5V，10V	8.5MOHM @ 16.4a，10V	2.5V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±20V	1865 PF @ 25 V	-	62W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²