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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
IPD25DP06NMATMA1	0.9800	RFQ	2	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD25DP06		MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-313	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道					60 V	6.5A（TC）	10V	250mohm @ 6.5a，10v	4V @ 270µA	10.6 NC @ 10 V	±20V	420 pf @ 30 V	-	28W（TC）
BLF6G10LS-260PRN，1	-	RFQ	4283	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		表面安装	SOT-539B	BLF6G10	917.5MHz〜962.5MHz	ldmos			SOT539B	下载		（1 （无限）	到达不受影响	934064451118	Ear99	8541.29.0095	100	双重，共同来源		64a	1.8 a	40W	22DB											-					28 V
TK1K2A60F，S4X	1.0400	RFQ	40	东芝半导体和存储	u-mosix	管子	积极的		150°C	通过洞	TO-220-3完整包	TK1K2A60		MOSFET （金属 o化物）			TO-220Si	下载	rohs3符合条件	不适用			Ear99	8541.29.0095	50		n通道					600 v	6a（6a）	10V	1.2OHM @ 3A，10V	4V @ 630µA	21 NC @ 10 V	±30V	740 pf @ 300 V	-	35W（TC）
FQD2P40TF	0.4400	RFQ	9757	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	195		P通道					400 v	1.56A（TC）	10V	6.5OHM @ 780mA，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	350 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），38W（tc）
SI1917EDH-T1-E3	-	RFQ	9386	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1917		MOSFET （金属 o化物）	570MW		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）						12V	1a		370MOHM @ 1A，4.5V	450mv @ 100µA（100µA））	2NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
APTGT35A120D1G	-	RFQ	5031	Microsemi Corporation	-	大部分	在sic中停产		-	底盘安装	D1				205 w	标准	D1	-	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1	半桥																	沟渠场停止	1200 v	55 a	2.1V @ 15V，35a		5 ma	不	2.5 nf @ 25 V
DMP4025LSSQ-13	0.5054	RFQ	6386	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	DMP4025		MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道					40 V	6a（6a）	4.5V，10V	25mohm @ 3a，10v	1.8V @ 250µA	33.7 NC @ 10 V	±20V	1640 pf @ 20 V	-	1.52W（TA）
PHP27NQ11T，127	0.6100	RFQ	4	NXP半导体	Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载		不适用	到达不受影响	2156-PHP27NQ11T，127-954			536		n通道					110 v	27.6A（TC）	10V	50mohm @ 14a，10v	4V @ 1mA	30 NC @ 10 V	±20V	1240 pf @ 25 V	-	107W（TC）
2SK2962，T6WNLF （m	-	RFQ	5951	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SK2962					to-92mod	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	1								1A（TJ）
IQFH99N06NM5ATMA1	2.4512	RFQ	1165	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的											-	rohs3符合条件						3,000
SUM70090E-GE3	1.6600	RFQ	1264	Vishay Siliconix	Thunderfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum70090		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道					100 v	50A（TC）	7.5V，10V	8.9mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	1950 pf @ 50 V	-	125W（TC）
PMBT6428,215	0.1800	RFQ	2	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMBT6428			250兆		TO-236AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																			50 V	100 ma			10NA（ICBO）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	250 @ 100µA，5V	700MHz
FDMC0202S	0.2300	RFQ	16	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）			8-pqfn（3.3x3.3）	下载					Ear99	8542.29.0095	1		n通道					25 v	22.5a（TA），40a tc）	4.5V，10V	3.15MOHM @ 22.5A，10V	3V @ 1mA	44 NC @ 10 V	±20V	2705 pf @ 13 V	-	2.3W（TA），52W（TC）
APT20N60BC3G	-	RFQ	3471	Microsemi Corporation	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-247-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					600 v	20.7A（TC）	10V	190mohm @ 13.1a，10v	3.9V @ 1mA	114 NC @ 10 V	±20V	2440 pf @ 25 V	-	208W（TC）
A2T26H160-24SR3	167.7800	RFQ	149	自由度半导体	-	大部分	积极的	65 v		底盘安装	NI-780S-4L2L		2.58GHz	ldmos			NI-780S-4L2L	下载					Ear99	8541.29.0075	1	双重的		-	350 MA	28W	15.5db											-					28 V
NVMFS5832NLWFT1G	-	RFQ	2703	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5832		MOSFET （金属 o化物）			5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					40 V	21a（21a）	4.5V，10V	4.2MOHM @ 20A，10V	2.4V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±20V	2700 PF @ 25 V	-	3.7W（TA），127W（TC）
BUK6D43-60E，115	-	RFQ	5310	Nexperia USA Inc.	*	大部分	积极的											下载						0000.00.0000	1
STP33N60DM2	5.2100	RFQ	7950	Stmicroelectronics	MDMESH™DM2	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	stp33		MOSFET （金属 o化物）			TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-16352-5	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					600 v	24A（TC）	10V	130mohm @ 12a，10v	5V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±25V	1870 pf @ 100 V	-	190w（TC）
BF721T1G	-	RFQ	9716	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BF721			1.5 w		SOT-223（TO-261）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																			300 v	50 mA			10NA（ICBO）			PNP	800mv @ 5mA，30mA	50 @ 25mA，20V	60MHz
SI1054X-T1-GE3	-	RFQ	6435	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1054		MOSFET （金属 o化物）			SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					12 v	1.32A（TA）	1.8V，4.5V	95MOHM @ 1.32a，4.5V	1V @ 250µA	8.57 NC @ 5 V	±8V	480 pf @ 6 V	-	236MW（TA）
RN1970（TE85L，F）	0.4700	RFQ	6	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN1970			200MW		US6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000																			50V	100mA			100NA（ICBO）			2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V	250MHz	4.7kohms	-
DMTH4004LPSQ-13	0.6041	RFQ	1198	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	DMTH4004		MOSFET （金属 o化物）			PowerDI5060-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	DMTH4004LPSQ-13DI	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					40 V	100A（TC）	4.5V，10V	2.5MOHM @ 50a，10v	3V @ 250µA	69.6 NC @ 10 V	±20V	5220 PF @ 20 V	-	2.83W（ta），125W（tc）
TIP41BTU	0.4100	RFQ	1	Fairchild半导体	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				2 w		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000																			80 V	6 a			700µA			NPN	1.5V @ 600mA，6a	15 @ 3a，4V	3MHz
blf188xrgj	226.0600	RFQ	192	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	135 v		底盘安装	SOT-1248C	BLF188	108MHz	ldmos			CDFM4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	100	双重，共同来源		-	40 MA	1400W	24.4db											-					50 V
JANTX2N4033UB/TR	25.9350	RFQ	5360	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/512	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3				500兆		TO-39（（TO-205AD）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX2N4033UB/TR	Ear99	8541.21.0095	1																			80 V	1 a			10µA（ICBO）			PNP	1V @ 100mA，1a	100 @ 100mA，5V	-
IPI180N10N3GXKSA1	1.0571	RFQ	7182	Infineon技术	Optimos™	管子	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI180		MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道					100 v	43A（TC）	6V，10V	18mohm @ 33a，10v	3.5V @ 33µA	25 NC @ 10 V	±20V	1800 PF @ 50 V	-	71W（TC）
STP30N65M5	6.6600	RFQ	5	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP30		MOSFET （金属 o化物）			TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					650 v	22a（TC）	10V	139mohm @ 11a，10v	5V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±25V	2880 pf @ 100 V	-	140W（TC）
ixtq22n50p	6.3000	RFQ	209	ixys	极性	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	ixtq22		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					500 v	22a（TC）	10V	270MOHM @ 11A，10V	5.5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±30V	2630 PF @ 25 V	-	350W（TC）
IRF6610TR1	-	RFQ	5039	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距平方英尺			MOSFET （金属 o化物）			DirectFet™SQ	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					20 v	（15a）（TA），66A （TC）	4.5V，10V	6.8mohm @ 15a，10v	2.55V @ 250µA	17 NC @ 4.5 V	±20V	1520 pf @ 10 V	-	2.2W（TA），42W（TC）
IRLW510ATM	-	RFQ	5562	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRLW51		MOSFET （金属 o化物）			i2pak（（TO-262）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					100 v	5.6A（TC）	5V	440MOHM @ 2.8A，5V	2V @ 250µA	8 nc @ 5 V	±20V	235 pf @ 25 V	-	3.8W（37W），37W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²