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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
ZVNL110ASTOB	-	RFQ	1298	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	E-Line-3				MOSFET （金属 o化物）			to-92兼容）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000		n通道						100 v	320mA（TA）	5V，10V	3ohm @ 500mA，10v	1.5V @ 1mA		±20V	75 pf @ 25 V	-	700MW（TA）
JANTX2N4033UB/TR	25.9350	RFQ	5360	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/512	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3					500兆		TO-39（（TO-205AD）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX2N4033UB/TR	Ear99	8541.21.0095	1																				80 V	1 a										10µA（ICBO）				PNP	1V @ 100mA，1a	100 @ 100mA，5V	-
FDFS2P106A	-	RFQ	6031	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDFS2P106			MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500		P通道						60 V	3A（3A）	4.5V，10V	110MOHM @ 3A，10V	3V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±20V	714 PF @ 30 V	Schottky 二极管（孤立）	900MW（TA）
BF721T1G	-	RFQ	9716	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BF721				1.5 w		SOT-223（TO-261）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																				300 v	50 mA										10NA（ICBO）				PNP	800mv @ 5mA，30mA	50 @ 25mA，20V	60MHz
SUM70090E-GE3	1.6600	RFQ	1264	Vishay Siliconix	Thunderfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum70090			MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道						100 v	50A（TC）	7.5V，10V	8.9mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	1950 pf @ 50 V	-	125W（TC）
MRF6S9125MBR1	-	RFQ	7183	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v			TO-272-4	MRF6		880MHz	ldmos			TO-272 WB-4	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500			-		950 MA	27W	20.2dB											-									28 V
CM150DU-24H	-	RFQ	1320	Powerex Inc.	IGBTMOD™	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块					890 w	标准	模块	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	10	半桥																		-	1200 v	150 a		3.7V @ 15V，150a								1 MA	不	22 NF @ 10 V
IXGX400N30A3	-	RFQ	2033	ixys	Genx3™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXGX400	标准			1000 w		加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				-															pt	300 v	400 a	1200 a	1.15V @ 15V，100a	-	560 NC	-
AUIRF3805S	-	RFQ	9188	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001518016	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						55 v	160a（TC）	10V	3.3MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	290 NC @ 10 V	±20V	7960 pf @ 25 V	-	300W（TC）
APT13005TF-E1	-	RFQ	9105	二极管合并	-	（TB）	过时的					APT13005							-	Rohs符合条件	（1 （无限）		31-APT13005TF-E1TB	Ear99	8541.29.0095	2,000
2SC2873-y te12l，ZC	0.4200	RFQ	1	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA					500兆		PW-Mini	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0075	1,000																				50 V	2 a										100NA（ICBO）				NPN	500mv @ 50mA，1a	70 @ 500mA，2V	120MHz
SQJA20EP-T1_BE3	1.4700	RFQ	3641	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8				MOSFET （金属 o化物）			PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）		742-SQJA20EP-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						200 v	22.5A（TC）	7.5V，10V	50mohm @ 10a，10v	3.5V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	68W（TC）
SSM6N62TU，LXHF	0.4600	RFQ	1	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅	SSM6N62			MOSFET （金属 o化物）	500MW（TA）		UF6	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）							20V	800mA（ta）		85MOHM @ 800mA，4.5V	1V @ 1mA	2NC @ 4.5V		177pf @ 10V	逻辑级别门，1.2V驱动器
cmpt2907ae tr pbfree	0.4000	RFQ	6	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	CMPT2907				350兆		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																				60 V	600 MA										10NA（ICBO）				PNP	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	200MHz
RF1K4915796	0.8200	RFQ	25	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						30 V	6.3a（ta）	4.5V，10V	30mohm @ 6.3a，10v	3V @ 250µA	88 NC @ 20 V	±20V	1575 PF @ 25 V	-	2W（TA）
IRF6775MTRPBF	1.2100	RFQ	597	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距Mz				MOSFET （金属 o化物）			DirectFet™MZ	下载					Ear99	8541.29.0095	249		n通道						150 v	4.9a（ta），28a tc）（TC）	10V	56mohm @ 5.6A，10V	5V @ 100µA	36 NC @ 10 V	±20V	1411 pf @ 25 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）
2N5090	287.8650	RFQ	4688	微芯片技术	*	大部分	积极的												-			到达不受影响	150-2N5090			1
AO9926C	0.2344	RFQ	1744年	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AO9926			MOSFET （金属 o化物）	2W		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）							20V	7.6a		23mohm @ 7.6A，10V	1.1V @ 250µA	12.5nc @ 10V		630pf @ 15V	逻辑级别门
IAUC120N06S5L015ATMA1	1.2811	RFQ	3054	Infineon技术	Optimos™-5	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN				MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-43	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道						60 V	235a（TJ）	4.5V，10V	1.5MOHM @ 60a，10v	2.2V @ 94µA	114 NC @ 10 V	±20V	8193 PF @ 30 V	-	167W（TC）
DMN601TK-7	0.3700	RFQ	67	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-523	DMN601			MOSFET （金属 o化物）			SOT-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道						60 V	300mA（TA）	5V，10V	2ohm @ 500mA，10v	2.5V @ 1mA		±20V	50 pf @ 25 V	-	150MW（TA）
JankCBM2N3700	-	RFQ	1716年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/391	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3					500兆		TO-18（（TO-206AA）	-			到达不受影响	150-JANKCBM2N3700			100																				80 V	1 a										10NA				NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
MQ2N4860	54.6231	RFQ	1105	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/385	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3					360兆w		TO-18（（TO-206AA）	-			到达不受影响	150-MQ2N4860			1		n通道						30 V							18pf @ 10V													30 V	20 ma @ 15 V	2 V @ 500 PA				40欧姆
C2M1000170J	10.0700	RFQ	880	Wolfspeed，Inc。	C2M™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-7 （直线直线）	C2M1000170			sicfet （碳化硅）			D2PAK（7铅）	下载	Rohs符合条件	3（168））			Ear99	8541.29.0095	50		n通道						1700 v	5.3A（TC）	20V	1.4OHM @ 2A，20V	3.1V @ 500µA（typ）	13 NC @ 20 V	+25V，-10V	200 pf @ 1000 V	-	78W（TC）
JANSG2N2221AUB/TR	255.6750	RFQ	9063	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的												-				150-JANSG2N222221AUB/TR			50
SUD23N06-31-BE3	0.9700	RFQ	5071	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	活跃		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD23			MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载		（1 （无限）		742-SUD23N06-31-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道						60 V	9.1A（TA），21.4a （TC）	4.5V，10V	31mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	670 pf @ 25 V	-	5.7W（TA），31.25W（tc）
FQP16N25C	-	RFQ	4588	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP1			MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						250 v	15.6A（TC）	10V	270MOHM @ 7.8A，10V	4V @ 250µA	53.5 NC @ 10 V	±30V	1080 pf @ 25 V	-	139W（TC）
IXFQ23N60Q	-	RFQ	3417	ixys	Hiperfet™，Q2类	盒子	积极的		-	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXFQ23			MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道						600 v	23A（TC）		-	-				-	-
BSM100GD120DN2BDLA1	-	RFQ	5687	Infineon技术	-	托盘	上次购买		150°C（TJ）	底盘安装	模块	BSM100				680 w	标准	模块	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	全桥																		-	1200 v	150 a		3V @ 15V，100a								2 ma	不	6.5 nf @ 25 V
TSM5055DCR	1.1755	RFQ	1419	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM5055			MOSFET （金属 o化物）	2.2W（TA），30W tc），2.4W ta（69W（ta）（TC）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM5055DCRTR	Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）							30V	（10a（ta），38a tc（38a tc），20a（ta（107a ta）（107a tc）		11.7MOHM @ 10a，10v，3.6MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	9.3nc @ 10v，49nc @ 10v		555pf @ 15V，2550pf @ 15V	-
IRF3315STRL	-	RFQ	4426	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道						150 v	21a（TC）	10V	82MOHM @ 12A，10V	4V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），94W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²