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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备软件包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
BU807	-	RFQ	4303	中央半导体公司	-	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				60 W		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		1514-BU807	Ear99	8541.29.0095	50																150 v	8 a						100µA			npn-达灵顿	1.5V @ 50mA，5a	-	-
2SD1419DETR	0.3000	RFQ	5161	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的										-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	2156-2SD1419DETR	Ear99	8541.29.0075	1,000
IPB136N08N3GATMA1	0.4500	RFQ	4	Infineon技术	Optimos™3	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		80 V	45A（TC）	6V，10V	13.9mohm @ 45a，10v	3.5V @ 33µA	25 NC @ 10 V	±20V	1730 PF @ 40 V	-	79W（TC）
IXBH14N300HV	62.9650	RFQ	8020	ixys	Bimosfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXBH14	标准		200 w		TO-247HV（IXBH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixbh14n300hv	Ear99	8541.29.0095	30			-											1.4 µs	-	3000 v	38 a	120 a	2.7V @ 15V，14a	-	62 NC	-
2SK1133-T2B-A	-	RFQ	6909	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
PMPB15XP/S500H	0.1200	RFQ	5	Nexperia USA Inc.	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫			MOSFET （金属 o化物）			DFN2020MD-6	-				2156-PMPB15XP/S500H			2,520		P通道		12 v	8.2a（ta）	1.8V，4.5V	19mohm @ 8.2a，4.5V	900mv @ 250µA	100 NC @ 4.5 V	±12V	2875 PF @ 6 V	-	1.7W（TA），12.5W（tc）
PH955L，115	-	RFQ	9312	Nexperia USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669			MOSFET （金属 o化物）			LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		55 v	62.5A（TC）	4.5V，10V	8.3mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	42 NC @ 5 V	±20V	2836 PF @ 25 V	-	62.5W（TC）
IPP60R520C6	-	RFQ	4319	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		600 v	8.1A（TC）	10V	520MOHM @ 2.8A，10V	3.5V @ 230µA	23.4 NC @ 10 V	±20V	512 PF @ 100 V	-	29W（TC）
ISL9N303AS3	-	RFQ	1227	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	ISL9		MOSFET （金属 o化物）			i2pak（（TO-262）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400		n通道		30 V	75A（TC）	4.5V，10V	3.2MOHM @ 75A，10V	3V @ 250µA	172 NC @ 10 V	±20V	7000 PF @ 15 V	-	215W（TC）
IRF7210pbf	-	RFQ	5350	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001554134	Ear99	8541.29.0095	95		P通道		12 v	16A（TA）	2.5V，4.5V	7MOHM @ 16a，4.5V	600mv @ 500µA（500µA））	212 NC @ 5 V	±12V	17179 PF @ 10 V	-	2.5W（TA）
IPP881NE7NGXKSA1	-	RFQ	7046	Infineon技术	-	大部分	过时的										-			到达不受影响		过时的		1
IPP126N10N3GXKSA1	1.5700	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™	管子	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP126		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	58A（TC）	6V，10V	12.3mohm @ 46A，10V	3.5V @ 46µA	35 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 50 V	-	94W（TC）
STS6NF20V	0.8300	RFQ	14	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	STS6NF20		MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		20 v	6A（TC）	1.95V，4.5V	40mohm @ 3A，4.5V	600mv @ 250µA（250µA））	11.5 NC @ 4.5 V	±12V	460 pf @ 15 V	-	2.5W（TC）
PJQ5466A1_R2_00001	0.6000	RFQ	1	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	PJQ5466		MOSFET （金属 o化物）			DFN5060-8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJQ5466A1_R2_00001DKR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		60 V	7.4A（TA），48a tc）	4.5V，10V	17mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	13.5 NC @ 4.5 V	±20V	1574 PF @ 25 V	-	2W（TA），83W（tc）
PEMH1,115	-	RFQ	2295	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的				PEMH1						下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000
2SK3844（Q）	-	RFQ	6308	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SK3844		MOSFET （金属 o化物）			TO-220NIS	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道		60 V	45A（TA）	10V	5.8MOHM @ 23A，10V	4V @ 1mA	196 NC @ 10 V	±20V	12400 PF @ 10 V	-	45W（TC）
FDMS3604AS	-	RFQ	6826	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS3604		MOSFET （金属 o化物）	1W		Power56	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）			30V	13a，23a		8mohm @ 13a，10v	2.7V @ 250µA	29nc @ 10V		1695pf @ 15V	逻辑级别门
DMP2110UFDBQ-7	0.4600	RFQ	1496年	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	DMP2110		MOSFET （金属 o化物）			U-DFN2020-6（B型）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道		20 v	3.5A（ta）	2.5V，4.5V	80MOHM @ 2.8a，4.5V	1V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±10V	443 pf @ 10 V	-	800MW（TA）
CM200DU-12F	-	RFQ	1495	Powerex Inc.	IGBTMOD™	大部分	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块				590 w	标准	模块	-	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1	半桥														沟	600 v	200 a		2.2V @ 15V，200a				1 MA	不	54 NF @ 10 V
FQPF6N40CF	0.6400	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50		n通道		400 v	6A（TC）	10V	1欧姆 @ 3A，10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	625 pf @ 25 V	-	38W（TC）
PJA3440-AU_R1_000A1	0.4600	RFQ	829	Panjit International Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PJA3440		MOSFET （金属 o化物）			SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		40 V	4.3a（ta）	4.5V，10V	42MOHM @ 4.3A，10V	2.5V @ 250µA	4.8 NC @ 4.5 V	±20V	410 pf @ 20 V	-	1.25W（TA）
2N4033 W/GOLD	-	RFQ	3647	中央半导体公司	-	盒子	过时的		通过洞	到205AD，TO-39-3						到39	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500
IPS60R360PFD7SAKMA1	1.4100	RFQ	982	Infineon技术	CoolMos™PFD7	管子	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IPS60R		MOSFET （金属 o化物）			pg-to251-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道		650 v	10A（TC）	10V	360MOHM @ 2.9a，10V	4.5V @ 140µA	12.7 NC @ 10 V	±20V	534 PF @ 400 V	-	43W（TC）
FDT86244	0.8900	RFQ	2093	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	FDT86		MOSFET （金属 o化物）			SOT-223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道		150 v	2.8A（TC）	6V，10V	128MOHM @ 2.8A，10V	4V @ 250µA	7 NC @ 10 V	±20V	395 pf @ 75 V	-	2.2W（ta）
ixta36n30t	-	RFQ	7469	ixys	沟	管子	积极的	-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta36		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		300 v	36a（TC）		110MOHM @ 500mA，10V	-	70 NC @ 10 V		2250 pf @ 25 V	-	-
FDMS3668S	-	RFQ	8452	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS3668		MOSFET （金属 o化物）	1W		Power56	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）			30V	13a，18a		8mohm @ 13a，10v	2.7V @ 250µA	29nc @ 10V		1765pf @ 15V	逻辑级别门
SIRS4301DP-T1-GE3	3.4700	RFQ	7455	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIRS4301		MOSFET （金属 o化物）			PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		30 V	53.7a（ta），227a（tc）	4.5V，10V	1.5MOHM @ 20A，10V	2.3V @ 250µA	255 NC @ 4.5 V	±20V	19750 pf @ 15 V	-	7.4W（TA），132W（tc）
DCX114EUQ-13-F	0.0528	RFQ	9872	二极管合并	Automotive，AEC-Q101，DCX（xxxx）u	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	DCX114			200MW		SOT-363	下载			到达不受影响	31-DCX114EUQ-13-FTR	Ear99	8541.21.0075	10,000																50V	100mA						500NA（ICBO）			1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	250MHz	10KOHMS	10KOHMS
BDT60C-S	-	RFQ	4087	Bourns Inc.	-	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BDT60			2 w		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	15,000																120 v	4 a						500µA			pnp-达灵顿	2.5V @ 6mA，1.5a	750 @ 1.5A，3V	-
2SD1619T-TD-E	-	RFQ	1317	Sanyo	*	大部分	过时的										-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-2SD1619T-TD-E-600057			1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²