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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
KST05MTF	0.0300	RFQ	9821	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					350兆		SOT-23-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1																				60 V	500 MA							100NA			NPN	250mv @ 10mA，100mA	50 @ 100mA，1V	100MHz
STI18N65M2	2.7700	RFQ	829	Stmicroelectronics	MDMESH™M2	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	STI18			MOSFET （金属 o化物）			i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						650 v	12A（TC）	10V	330mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±25V	770 pf @ 100 V	-	110W（TC）
DMN16M8UCA6-7	0.2928	RFQ	3873	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，没有铅				MOSFET （金属 o化物）	1.1W		X3-DSN2718-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		31-DMN16M8UCA6-7TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）公共排水							12V	15.5A（TA）		5.6MOHM @ 3A，4.5V	1.3V @ 1mA	45.4NC @ 6V		2333pf @ 6V	标准
IPI045N10N3GXK	-	RFQ	8782	Infineon技术	Optimos™3	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI045N			MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3	-		3（168））	到达不受影响	SP000482424	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						100 v	137a（TC）	6V，10V	4.5MOHM @ 100A，10V	3.5V @ 150µA	117 NC @ 10 V	±20V	8410 PF @ 50 V	-	214W（TC）
SI4410DYPBF	-	RFQ	1930年	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95		n通道						30 V	10a（10a）	4.5V，10V	13.5MOHM @ 10A，10V	1V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	1585 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
2SA2039-TL-E	1.0500	RFQ	70	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SA2039				800兆		TP-FA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	700																				50 V	5 a							1µA（ICBO）			PNP	430mv @ 100mA，2a	200 @ 500mA，2V	360MHz
PSMN5R4-25YLD，115	0.8000	RFQ	13	Nexperia USA Inc.	*	大部分	积极的												-						0000.00.0000	1
PN100RM	0.0400	RFQ	4159	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）					625兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000																				45 v	500 MA							50NA			NPN	400mv @ 20mA，200mA	100 @ 150mA，5V	250MHz
TQM043NH04CR RLG	3.6200	RFQ	4045	台湾半导体公司	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的					TQM043							-	rohs3符合条件	（1 （无限）					2,500
DMTH10H030LK3-13	-	RFQ	1800	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DMTH10			MOSFET （金属 o化物）			TO-252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						100 v	28a（TC）	6V，10V	30mohm @ 20a，10v	3.5V @ 250µA	33.3 NC @ 10 V	±20V	1871 PF @ 50 V	-	2.1W（TA）
APT11GF120BRDQ1G	-	RFQ	4997	Microsemi Corporation	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	apt11g	标准			156 w		TO-247 [B]	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				800V，8a，10ohm，15V															npt	1200 v	25 a	24 a	3V @ 15V，8a	300µJ（在）上，285µJ（OFF）	65 NC	7NS/100NS
BSM75GB120DN2HOSA1	-	RFQ	2236	Infineon技术	-	托盘	过时的		150°C（TJ）	底盘安装	模块	BSM75GB120				625 w	标准	模块	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	半桥																		-	1200 v	105 a		3V @ 15V，75a					1.5 ma	不	5.5 nf @ 25 V
KAR00061A	3.7800	RFQ	49	Fairchild半导体	*	大部分	积极的												-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	80
BSZ120P03NS3GATMA1	0.9000	RFQ	24	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSZ120			MOSFET （金属 o化物）			PG-TSDSON-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		P通道						30 V	（11a）（ta），40a（tc）	6V，10V	12mohm @ 20a，10v	3.1V @ 73µA	45 NC @ 10 V	±25V	3360 pf @ 15 V	-	2.1W（ta），52W（TC）
2PB709ARW，115	0.0393	RFQ	9264	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	2PB709				200兆		SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																				45 v	100 ma							10NA（ICBO）			PNP	500mv @ 10mA，100mA	210 @ 2mA，10v	70MHz
PXAC241002FC-V1-R250	92.8800	RFQ	242	Wolfspeed，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		表面安装	H-37248C-4	PXAC241002		2.3GHz〜2.4GHz	ldmos			H-37248C-4	-		3（168））			Ear99	8541.29.0075	250	双重，共同来源		10µA		230 MA	100W	15.5db											-									28 V
IXTQ36N20T	-	RFQ	8891	ixys	沟	管子	积极的		-	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	ixtq36			MOSFET （金属 o化物）			to-3p	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道						200 v	-		-	-				-	-
FDMS5352	2.9300	RFQ	2	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS53			MOSFET （金属 o化物）			8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						60 V	13.6A（TA），49A （TC）	4.5V，10V	6.7MOHM @ 13.6A，10V	3V @ 250µA	131 NC @ 10 V	±20V	6940 pf @ 30 V	-	2.5W（ta），104W（tc）
BCX69-16E6327	-	RFQ	7863	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA					3 W		PG-SOT89-4-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																				20 v	1 a							100NA（ICBO）				500mv @ 100mA，1a	100 @ 500mA，1V	100MHz
MCU95N06KY-TP	1.5700	RFQ	4	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MCU95			MOSFET （金属 o化物）			DPAK（（TO-252）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						60 V	95a	4.5V，10V	5.5MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	72.84 NC @ 10 V	±20V	4159 pf @ 30 V	-	160W
2N757A	30.5700	RFQ	4513	微芯片技术	-	大部分	积极的		-	通过洞	TO-206AA，TO-18-3					500兆		TO-18（（TO-206AA）	-			到达不受影响	150-2N757A	Ear99	8541.21.0095	1																				60 V	100 ma							-			PNP	-	-	-
LS352 SOIC 8L ROHS	7.2500	RFQ	4	线性集成系统公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LS352				500MW		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500																				60V	10mA							200PA（ICBO）			2 PNP （双）	500mv @ 100µA，1mA	200 @ 1mA，5V	200MHz
2SC4935-y，q（j。	-	RFQ	8469	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SC4935				2 w		TO-220NIS	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0075	1																				50 V	3 a							1µA（ICBO）			NPN	600mv @ 200mA，2a	70 @ 500mA，2V	80MHz
BC212LB_J35Z	-	RFQ	2882	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC212				350兆		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																				50 V	100 ma							15NA（icbo）			PNP	600mv @ 5mA，100mA	60 @ 2mA，5V	-
JANSH2N222221AUB/TR	165.5408	RFQ	6209	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/255	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C	表面安装	3-SMD，没有铅					500兆		UB	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANSH2N222221AUB/TR	Ear99	8541.21.0095	1																				50 V	800 MA							50NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10V	-
AOTF160A60L	3.2400	RFQ	615	Alpha＆欧米茄半导体公司	AMOS5™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	AOTF160			MOSFET （金属 o化物）			TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	785-AOTF160A60L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						600 v	24A（TJ）	10V	160MOHM @ 12A，10V	3.6V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	2340 pf @ 100 V	-	34.7W（TC）
SQA401EJ-T1_GE3	0.6300	RFQ	2854	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SQA401			MOSFET （金属 o化物）			POWERPAK®SC-70-6单	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道						20 v	3.75A（TC）	2.5V，4.5V	125mohm @ 2.4a，4.5V	1.5V @ 250µA	5.5 NC @ 4.5 V	±12V	330 pf @ 10 V	-	13.6W（TC）
BLC2425M8LS300PZ	123.8550	RFQ	2186	Ampleon USA Inc.	-	托盘	不适合新设计	65 v		表面安装	SOT1250-1	BLC2425		2.45GHz	ldmos			SOT1250-1	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20	双重，共同来源		-		20 ma	300W	17.5db											-									32 v
FDMS5361L-F085	0.5000	RFQ	2	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn				MOSFET （金属 o化物）			Power56	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-FDMS5361L-F085-600039			1		n通道						60 V	35A（TC）	4.5V，10V	15mohm @ 16.5a，10v	3V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	1980 pf @ 25 V	-	75W（TC）
UPA2379T1P-E1-A	-	RFQ	3673	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	6-xflga	UPA2379			MOSFET （金属 o化物）	1.8W		6-eflip-lga 2.17x1.47）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）公共排水							-	-		-	-	20NC @ 4V		-	逻辑水平门，2.5V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²