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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
AOTF15B60D	1.3833	RFQ	8635	Alpha＆欧米茄半导体公司	Alpha IGBT™	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	AOTF15	标准			50 W		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000				400V，15a，20欧姆，15V															196 ns	-	600 v	30 a	60 a	1.8V @ 15V，15a	（420µJ）（在），110µJ（110µJ）上	25.4 NC	21NS/73NS
IXYP24N100A4	15.2094	RFQ	4185	ixys	XPT™，Genx4™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准			375 w		TO-220（（IXYP）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-IXYP24N100A4	Ear99	8541.29.0095	50				800V，24A，10OHM，15V															47 ns	pt	1000 v	85 a	145 a	1.9V @ 15V，24a	3.5MJ（在）上，2.3MJ off）	44 NC	13NS/216NS
FDZ2553NZ	-	RFQ	2663	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	18-WFBGA	FDZ25			MOSFET （金属 o化物）	2.1W		18-BGA（2.5x4）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）							20V	9.6a		14mohm @ 9.6a，4.5V	1.5V @ 250µA	18NC @ 5V		1240pf @ 10V	逻辑级别门
YJL3401AL	0.0500	RFQ	300	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的												-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-yjl3401Altr	Ear99		3,000
BF550,215	-	RFQ	6379	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BF550							-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000
IPI80P04P4L04AKSA1	-	RFQ	6076	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI80p			MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000840198	Ear99	8541.29.0095	500		P通道						40 V	80A（TC）	4.5V，10V	4.7mohm @ 80a，10v	2.2V @ 250µA	176 NC @ 10 V	+5V，-16V	3800 PF @ 25 V	-	125W（TC）
IPP100P03P3L-04	-	RFQ	7083	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP100P			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000311114	Ear99	8541.29.0095	500		P通道						30 V	100A（TC）	4.5V，10V	4.3mohm @ 80a，10v	2.1V @ 475µA	200 NC @ 10 V	+5V，-16V	9300 PF @ 25 V	-	200W（TC）
BLC8G24LS-240AVY	-	RFQ	6284	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	SOT-1252-1			2.3GHz〜2.4GHz	ldmos			DFM8	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100	双重，共同来源		-		500 MA	56W	14.5db											-										28 V
2SD826G	0.2700	RFQ	50	Onmi	*	大部分	积极的												下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1
2N5599	43.0350	RFQ	1496年	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-213AA，TO-66-2					20 w		TO-66（TO-213AA）	-			到达不受影响	150-2N5599	Ear99	8541.29.0095	1																					80 V	2 a										-			PNP	850mv @ 200µA，1mA	-	-
BC856AW	0.0200	RFQ	300	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C〜150°C	表面安装	SC-70，SOT-323	BC856				200兆		SOT-323	-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-BC856AWTR	Ear99		3,000																					65 v	100 ma										15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	125 @ 2mA，5V	100MHz
DRA9114E0L	-	RFQ	6721	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产			表面安装	SC-89，SOT-490	DRA9114				125 MW		ssmini3-f3-b	-	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000																					50 V	100 ma										500NA			pnp-预先偏见	250mv @ 500µA，10mA	35 @ 5mA，10v		10 kohms	10 kohms
APT17F80B	7.5900	RFQ	1475	微芯片技术	Power MOS 8™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT17F80			MOSFET （金属 o化物）			TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道						800 v	18A（TC）	10V	580MOHM @ 9A，10V	5V @ 1mA	122 NC @ 10 V	±30V	3757 PF @ 25 V	-	500W（TC）
rn2966fe（te85l，f）	-	RFQ	3228	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SOT-563，SOT-666	RN2966				100MW		ES6	-		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	4,000																					50V	100mA										100NA（ICBO）			2 PNP-）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	200MHz	4.7kohms	47kohms
FJY3011R	-	RFQ	7581	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-89，SOT-490	FJY301				200兆		SC-89-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																					40 V	100 ma										100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 1mA，10mA	100 @ 1mA，5V	250 MHz	22 KOHMS
IRFB9N60A	-	RFQ	4304	Vishay Siliconix	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFB9N60			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFB9N60A	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						600 v	9.2A（TC）	10V	750MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	49 NC @ 10 V	±30V	1400 pf @ 25 V	-	170W（TC）
sgf25-tr-e	0.2900	RFQ	15	Onmi	*	大部分	积极的												-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
LS845 TO-71 6L ROHS	9.6900	RFQ	500	线性集成系统公司	LS845	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-71-6金属罐					400兆		TO-71	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	500		2 n 通道（双）													8pf @ 15V														60 V	1.5 ma @ 15 V	1 v @ 1 na
NTMFS4C810NAT1G	0.4094	RFQ	4481	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索				MOSFET （金属 o化物）			5-DFN （5x6）（8-SOFL）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NTMFS4C810NAT1GTR	Ear99	8541.21.0095	1,500		n通道						30 V	8.2a（ta），46a（tc）	4.5V，10V	5.88mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	18.6 NC @ 10 V	±20V	987 PF @ 15 V	-	750MW（TA），23.6W（tc）
BUK7Y15-60EX	0.7500	RFQ	1041	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q100，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	BUK7Y15			MOSFET （金属 o化物）			LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道						60 V	53A（TC）	10V	15mohm @ 15a，10v	4V @ 1mA	24.5 NC @ 10 V	±20V	1838 PF @ 25 V	-	94W（TC）
sta509a	-	RFQ	3583	桑肯	-	大部分	过时的		150°C	通过洞	10-sip	STA509			MOSFET （金属 o化物）	（4W）（ta），20W（20W）TC）		10-sip	下载	Rohs符合条件			1261-STA509A	Ear99	8541.29.0095	440	4 n通道							57V	3A（3A）		250MOHM @ 1A，10V	2.5V @ 250µA	-		200pf @ 10V	标准
IRFR9024TRPBF	1.2900	RFQ	16	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9024			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道						60 V	8.8A（TC）	10V	280MOHM @ 5.3A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	570 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
DMG6968UQ-7	0.4300	RFQ	3	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMG6968			MOSFET （金属 o化物）			SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						20 v	6.5A（TA）	1.8V，4.5V	25mohm @ 6.5a，4.5V	900mv @ 250µA	8.5 NC @ 4.5 V	±12V	151 PF @ 10 V	-	1.3W（TA）
SI3993CDV-T1-GE3	0.5100	RFQ	9869	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3993			MOSFET （金属 o化物）	1.4W		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）							30V	2.9a		111MOHM @ 2.5A，10V	2.2V @ 250µA	8NC @ 10V		210pf @ 15V	-
FS50R07N2E4	53.2000	RFQ	864	Infineon技术	Econopack™2	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块					190 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	三相逆变器																			沟渠场停止	650 v	70 a		1.95V @ 15V，50a								1 MA	是的	3.1 NF @ 25 V
IPI120N04S302AKSA1	3.8602	RFQ	5813	Infineon技术	Optimos™	管子	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI120			MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道						40 V	120A（TC）	10V	2.3MOHM @ 80A，10V	4V @ 230µA	210 NC @ 10 V	±20V	14300 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IRFH7932TRPBF	-	RFQ	3124	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn				MOSFET （金属 o化物）			PQFN（5x6）单个死亡	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道						30 V	24A（24A），104A （TC）	4.5V，10V	3.3mohm @ 25a，10v	2.35V @ 100µA	51 NC @ 4.5 V	±20V	4270 pf @ 15 V	-	3.4W（TA）
FDC642P-F085P	-	RFQ	4891	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	FDC642			MOSFET （金属 o化物）			TSOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道						20 v	4A（ta）	2.5V，4.5V	65MOHM @ 4A，4.5V	1.5V @ 250µA	9 NC @ 4.5 V	±8V	630 pf @ 10 V	-	1.2W（TA）
DTC124erlra	-	RFQ	6367	Onmi	*	大部分	积极的					DTC124							下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000
TN6717A	-	RFQ	5113	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	TN6717				1 w		TO-226-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500																					80 V	1.2 a										100NA（ICBO）			NPN	350mv @ 10mA，250mA	50 @ 250mA，1V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²