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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
JANS2N2222AUBC/TR	185.6106	RFQ	8852	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/255	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			500兆		3-SMD	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS2N222222AUBC/tr	Ear99	8541.21.0095	1														50 V	800 MA		50NA		NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
DMG264060R	-	RFQ	5706	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	SOT-23-6	DMG26406		300MW		mini6-g4-b	-	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000														50V	100mA		500NA		1 npn，1 pnp- 预偏（二）	250mv @ 500µA，10mA	160 @ 5mA，10v	-	4.7kohms	-
Mixa101W1200EH	-	RFQ	5602	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E3	Mixa101		500 w	标准	E3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5	三相逆变器												pt	1200 v	155 a	2.1V @ 15V，100a	300 µA	不
RQ3L070ATTB	1.4800	RFQ	5	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	RQ3L070	MOSFET （金属 o化物）			8-hsmt（3.2x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	25A（TC）	4.5V，10V	28mohm @ 7a，10v	2.5V @ 1mA	48 NC @ 10 V	±20V	2850 pf @ 30 V	-	2W（TA）
FJNS3202RTA	-	RFQ	5508	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		通过洞	TO-226-3，TO-92-3	FJNS32		300兆		TO-92S	-	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000														50 V	100 ma		100NA（ICBO）		npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	250 MHz	10 kohms	10 kohms
SI4825DDY-T1-GE3	0.9400	RFQ	128	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4825	MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	14.9a（TC）	4.5V，10V	12.5mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±25V	2550 pf @ 15 V	-	2.7W（ta），5W（tc）
PSMN3R7-25YLC，115	-	RFQ	7551	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	PSMN3	MOSFET （金属 o化物）			LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道	25 v	97A（TC）	4.5V，10V	3.9mohm @ 20a，10v	1.95V @ 1mA	21.6 NC @ 10 V	±20V	1585 pf @ 12 V	-	64W（TC）
MMBT5401M3T5G	0.0534	RFQ	8038	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-723	MMBT5401		130兆		SOT-723	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000														150 v	60 ma		100NA（ICBO）		PNP	600mv @ 5mA，50mA	60 @ 10mA，5V	180MHz
PDTA144EMB，315	0.0300	RFQ	200	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		表面安装	SC-101，SOT-883	PDTA144		250兆		DFN1006B-3	下载					Ear99	8541.21.0075	1														50 V	100 ma		1µA		pnp-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	80 @ 5mA，5V	180 MHz	47科姆斯	47科姆斯
tpc6008-h te85l，FM	-	RFQ	7556	东芝半导体和存储	U-Mosvi-H	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	TPC6008	MOSFET （金属 o化物）			VS-6（2.9x2.8）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	30 V	5.9a（ta）	4.5V，10V	60mohm @ 3a，10v	2.3V @ 100µA	4.8 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 10 V	-	700MW（TA）
STFU25N60M2-EP	1.7165	RFQ	1674年	Stmicroelectronics	MDMESH™M2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STFU25	MOSFET （金属 o化物）			TO-220FP	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	18A（TC）	10V	188MOHM @ 9A，10V	4.75V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±25V	1090 pf @ 100 V	-	30W（TC）
NTMSD3P102R2SG	-	RFQ	1389	Onmi	Fetky™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NTMSD3	MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500		P通道	20 v	2.34A（TA）	4.5V，10V	85MOHM @ 3.05a，10V	2.5V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	750 pf @ 16 V	Schottky 二极管（孤立）	730MW（TA）
KSC1845PTA	1.0000	RFQ	9449	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			500兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000														120 v	50 mA		50NA（iCBO）		NPN	300mv @ 1mA，10mA	200 @ 1mA，6v	110MHz
IXTK120N25	-	RFQ	7444	ixys	Megamos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXTK120	MOSFET （金属 o化物）			TO-264（IXTK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	250 v	120A（TC）	10V	20mohm @ 500mA，10v	4V @ 250µA	360 NC @ 10 V	±20V	7700 PF @ 25 V	-	730W（TC）
Auirfr2607ztrl	-	RFQ	8483	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AUIRFR2607	MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001518630	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	75 v	42A（TC）	10V	22mohm @ 30a，10v	4V @ 50µA	51 NC @ 10 V	±20V	1440 pf @ 25 V	-	110W（TC）
IXTY1R4N120P-TRL	2.0793	RFQ	3386	ixys	极性	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ixty1	MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixty1r4n120p-trltr	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	1200 v	1.4A（TC）	10V	13ohm @ 700mA，10v	4.5V @ 100µA	24.8 NC @ 10 V	±30V	666 pf @ 25 V	-	86W（TC）
TSM2N100CH C5G	-	RFQ	1005	台湾半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM2N100	MOSFET （金属 o化物）			TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	1000 v	1.85A（TC）	10V	8.5ohm @ 900mA，10v	5.5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	625 pf @ 25 V	-	77W（TC）
NDDL01N60Z-1G	-	RFQ	5034	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	NDDL0	MOSFET （金属 o化物）			我帕克	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	600 v	800mA（ta）	10V	15ohm @ 400mA，10v	4.5V @ 50µA	4.9 NC @ 10 V	±30V	92 PF @ 25 V	-	26W（TC）
IPDQ60R017S7AXTMA1	20.3200	RFQ	4002	Infineon技术	CoolMos™S7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	22-Powerbsop模块	IPDQ60R	MOSFET （金属 o化物）			PG-HDSOP-22-1	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	750		n通道	600 v	30A（TC）	12V	17mohm @ 29a，12v	4.5V @ 1.89mA	196 NC @ 12 V	±20V	7370 pf @ 300 V	-	500W（TC）
BCX55TF	0.4000	RFQ	12	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	BCX55		500兆		SOT-89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000														60 V	1 a		100NA（ICBO）		NPN	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	-
PMSTA3904,115	-	RFQ	1967年	Nexperia USA Inc.	*	大部分	积极的									-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-PMSTA3904,115-1727			1
FQU20N06TU	-	RFQ	8559	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	FQU2	MOSFET （金属 o化物）			我帕克	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,040		n通道	60 V	16.8A（TC）	10V	63mohm @ 8.4a，10v	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±25V	590 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），38W（tc）
FQPF5N80	-	RFQ	9789	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF5	MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	800 v	2.8A（TC）	10V	2.6ohm @ 1.4a，10v	5V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±30V	1250 pf @ 25 V	-	47W（TC）
ixta6n50d2-trl	8.1100	RFQ	1740年	ixys	消耗	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta6	MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixta6n50d2-trldkr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道	500 v	6a（TJ）	0V	500mohm @ 3a，0v	4.5V @ 250µA	96 NC @ 5 V	±20V	2800 PF @ 25 V	-	300W（TC）
6MS24017E33W32274NOSA1	-	RFQ	8740	Infineon技术	-	托盘	过时的									-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1
TIP120	-	RFQ	2575	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	TIP120CS	Ear99	8541.29.0095	400														60 V			500µA		npn-达灵顿	4V @ 20mA，5a	1000 @ 3a，3v	4MHz
NGTB50N120FL2WAG	1.0000	RFQ	8914	Onmi	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达受影响	2156-NGTB50N120FL2WAG-488			1
IXFP4N100Q	5.9300	RFQ	334	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP4N100	MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	1000 v	4A（TC）	10V	3ohm @ 2a，10v	5V @ 1.5mA	39 NC @ 10 V	±20V	1050 pf @ 25 V	-	150W（TC）
DI045N03PT-AQ	0.3902	RFQ	4031	diotec半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	DI045N03	MOSFET （金属 o化物）			8-qfn （3x3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	2796-DI045N03PT-AQTR		8541.21.0000	5,000		n通道	30 V	45A（TC）		4.4mohm @ 24A，10V	2.5V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±20V	2300 pf @ 15 V	-	16W（TC）
NVD4815NT4G	-	RFQ	2555	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NVD481	MOSFET （金属 o化物）			DPAK-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	6.9a（ta），35a（tc）	4.5V，11.5V	15mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	6.6 NC @ 4.5 V	±20V	770 pf @ 12 V	-	1.26W（TA），32.6W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²