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晶体管（（100539）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 频率 技术 力量 -最大 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet （amp） 测试条件 当前 -测试 功率 -输出 获得 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 噪音图 trr） IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 电压 -测试 电压 -故障（ v br（br）GSS） 电流 -idss） @ vds（vgs = 0） 电压 -截止（ -vgs Off） @ ID 当前 -收集器截止（最大） NTC热敏电阻 （CIES） @ vce 电阻-RDS（（在） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡
CPH6350-TL-E Sanyo CPH6350-TL-E -
RFQ
 ECAD 9337 0.00000000 Sanyo - 大部分 过时的 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 MOSFET （金属 o化物） 6-CPH 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 30 V 6a（6a） 4V，10V 43mohm @ 3a，10v - 13 NC @ 10 V ±20V 600 pf @ 10 V - 1.6W（TA）
JAN2N5682 Microchip Technology JAN2N5682 24.0198
RFQ
 ECAD 6396 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/583 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 到205AD，TO-39-3 2N5682 1 w TO-39（（TO-205AD） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 120 v 1 a 10µA NPN 1V @ 50mA，500mA 40 @ 250mA，2V -
TP65H300G4LSG-TR Transphorm TP65H300G4LSG-TR 4.8000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 移动 - （CT） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 3-powerdfn TP65H300 ganfet（n化岩） 3-PQFN （8x8） 下载 3（168）） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 650 v 6.5A（TC） 8V 312MOHM @ 5A，8V 2.6V @ 500µA 9.6 NC @ 8 V ±18V 760 pf @ 400 V - 21W（TC）
FP75R12N3T7B11BPSA1 Infineon Technologies FP75R12N3T7B11BPSA1 206.2200
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Infineon技术 Econopim™3 托盘 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 20兆 三相桥梁整流器 Ag-econo3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 三相逆变器 沟渠场停止 1200 v 75 a 1.8V @ 15V，75a 13 µA 是的 15.1 NF @ 25 V
FDB3652-F085 onsemi FDB3652-F085 -
RFQ
 ECAD 5337 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101，PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB FDB3652 MOSFET （金属 o化物） d²pak（to-263） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 100 v （9A）（61A）（61a tc） 6V，10V 16mohm @ 61a，10v 4V @ 250µA 53 NC @ 10 V ±20V 2880 pf @ 25 V - 150W（TC）
IGT6D10 Harris Corporation IGT6D10 2.0700
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 ECAD 8868 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 to-204aa 逻辑 75 w TO-3 下载 不适用 3（168）） 供应商不确定 Ear99 0000.00.0000 106 - - 400 v 10 a 40 a 2.7V @ 15V，10a - -
G050P03T Goford Semiconductor G050P03T 1.1700
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 ECAD 26 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 50 P通道 30 V 85A（TC） 4.5V，10V 5mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 111 NC @ 10 V ±20V 6922 PF @ 15 V - 100W（TC）
2STW4466 STMicroelectronics 2STW4466 -
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 ECAD 1504 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 2STW 60 W TO-247-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 80 V 6 a 100NA（ICBO） NPN 1.5V @ 600mA，6a 50 @ 2a，4v 20MHz
J176_D74Z Fairchild Semiconductor J176_D74Z 0.0700
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 ECAD 2241 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA） 350兆 TO-92-3 下载 Ear99 8541.21.0095 333 P通道 - 30 V 2 ma @ 15 V 1 V @ 10 na 250欧姆
IXFN26N90 IXYS IXFN26N90 29.2860
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 ECAD 5958 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN26 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 IXFN26N90-NDR Ear99 8541.29.0095 10 n通道 900 v 26a（TC） 10V 300MOHM @ 13A，10V 5V @ 8mA 240 NC @ 10 V ±20V 10800 PF @ 25 V - 600W（TC）
FDS9926A onsemi FDS9926A 0.7300
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS9926 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 2 n 通道（双） 20V 6.5a 30mohm @ 6.5a，4.5V 1.5V @ 250µA 9NC @ 4.5V 650pf @ 10V 逻辑级别门
CGH55015F1 Wolfspeed, Inc. CGH55015F1 -
RFQ
 ECAD 3113 0.00000000 Wolfspeed，Inc。 甘 托盘 过时的 84 v 440196 CGH55015 5.5GHz〜5.8GHz hemt 440196 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0075 60 1.5a 115 MA 15W 11DB - 28 V
FDS8449-F085P onsemi FDS8449-F085P -
RFQ
 ECAD 1847年 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101，PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS84 MOSFET （金属 o化物） 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 40 V 7.6a（ta） 4.5V，10V 29MOHM @ 7.6A，10V 3V @ 250µA 11 NC @ 5 V ±20V 760 pf @ 20 V - 5W（ta）
PVR100AZ-B3V0,115 NXP USA Inc. PVR100AZ-B3V0,115 -
RFQ
 ECAD 2613 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 TO-261-4，TO-261AA PVR10 550兆 SC-73 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1,000 45 v 100 ma 100NA（ICBO） NPN + Zener - 160 @ 100mA，1V -
DXT790AP5-13 Diodes Incorporated DXT790AP5-13 0.6000
RFQ
 ECAD 73 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 PowerDi™5 DXT790 3.2 w PowerDi™5 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 5,000 40 V 3 a 20NA PNP 450mv @ 300mA，3a 300 @ 10mA，2V 100MHz
DMT3003LFGQ-13 Diodes Incorporated DMT3003LFGQ-13 0.3660
RFQ
 ECAD 2228 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn DMT3003 MOSFET （金属 o化物） PowerDI3333-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 DMT3003LFGQ-13DI Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 22a（22A），100A（tc） 4.5V，10V 3.2MOHM @ 20A，10V 3V @ 250µA 44 NC @ 10 V ±20V 2370 pf @ 15 V - 2.4W（ta），62W（tc）
VQ2001P Vishay Siliconix VQ2001P -
RFQ
 ECAD 5621 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） - VQ2001 MOSFET （金属 o化物） 2W - 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 4个p通道 30V 600mA 2ohm @ 1a，12v 4.5V @ 1mA - 150pf @ 15V -
FGB30N6S2T Fairchild Semiconductor FGB30N6S2T 1.0000
RFQ
 ECAD 1724年 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB 标准 167 w D2PAK（TO-263） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 800 390V，12a，10ohm，15V - 600 v 45 a 108 a 2.5V @ 15V，12A （55µJ）（在），110µJ（110µJ）中 23 NC 6NS/40NS
MG400V2YS60A Powerex Inc. mg400v2ys60a -
RFQ
 ECAD 4004 0.00000000 Powerex Inc. IGBTMOD™ 大部分 过时的 -20°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 4300 w 标准 模块 下载 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 1 半桥 - 1700 v 400 a 3.4V @ 15V，400A 1 MA 是的 45 NF @ 10 V
2SC2235-Y-AP Micro Commercial Co 2SC2235-y-ap -
RFQ
 ECAD 3846 0.00000000 微商业公司 - （TB） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3） 2SC2235 900兆 to-92mod 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 353-2SC2235-y-APTB Ear99 8541.21.0075 2,000 120 v 800 MA 100NA（ICBO） NPN 1V @ 50mA，5a 120 @ 100mA，5V 120MHz
IRGS4607DPBF International Rectifier IRGS4607DPBF 0.8500
RFQ
 ECAD 850 0.00000000 国际整流器 - 管子 过时的 -40°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB 标准 58 w D2PAK 下载 不适用 Ear99 8541.29.0095 50 400V，4A，100OHM，15V 48 ns - 600 v 11 a 12 a 2.05V @ 15V，4A （140µJ）（在62µJ上） 9 NC 27NS/120NS
BUK7E5R2-100E,127-NXP NXP USA Inc. BUK7E5R2-100E，127-nxp 1.0000
RFQ
 ECAD 7907 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车，AEC-Q101，Trenchmos™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA MOSFET （金属 o化物） i2pak - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 0000.00.0000 1 n通道 100 v 120A（TC） 10V 5.2MOHM @ 25A，10V 4V @ 1mA 180 NC @ 10 V ±20V 11810 PF @ 25 V - 349W（TC）
FDC6312P onsemi FDC6312P 0.6800
RFQ
 ECAD 8539 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 FDC6312 MOSFET （金属 o化物） 700MW SuperSot™-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 2.3a 115MOHM @ 2.3a，4.5V 1.5V @ 250µA 7NC @ 4.5V 467pf @ 10V 逻辑级别门
RSH110N03TB1 Rohm Semiconductor RSH110N03TB1 -
RFQ
 ECAD 2994 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 - 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） RSH110 MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 11a（11a） 10.7MOHM @ 11A，10V 2.5V @ 1mA 17 NC @ 5 V 1300 pf @ 10 V - 2W（TA）
IRGR2B60KDTRRPBF International Rectifier IRGR2B60KDTRRPBF -
RFQ
 ECAD 7153 0.00000000 国际整流器 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 标准 35 w D-pak 下载 Ear99 8542.39.0001 1 400V，2A，100OHM，15V 68 ns npt 600 v 6.3 a 8 a 2.25V @ 15V，2A （74µJ）（在），39µJ（（（（（） 12 nc 11NS/150NS
SSM6L36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L36TU，LF 0.3800
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6L36 MOSFET （金属 o化物） 500MW（TA） UF6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 20V 500mA（ta），330mA（ta） 630mohm @ 200ma，5v，1.31Ohm @ 100mA，4.5V 1V @ 1mA 1.23nc @ 4V，1.2NC @ 4V 46pf @ 10V，43pf @ 10V 逻辑级别门，1.5V
SQS482ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix SQS482ENW-T1_GE3 0.9200
RFQ
 ECAD 4814 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 PowerPak®1212-8W SQS482 MOSFET （金属 o化物） PowerPak®1212-8W 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 16A（TC） 4.5V，10V 8.5MOHM @ 16.4a，10V 2.5V @ 250µA 39 NC @ 10 V ±20V 1865 PF @ 25 V - 62W（TC）
F475R12KS4BPSA1 Infineon Technologies F475R12KS4BPSA1 194.0000
RFQ
 ECAD 1500 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 模块 F475R12 500 w 标准 Ag-Econo2b 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 15 完整的桥梁逆变器 - 1200 v 100 a 3.75V @ 15V，75a 5 ma 是的 5.1 NF @ 25 V
BC846AW,115 NXP Semiconductors BC846AW，115 0.0200
RFQ
 ECAD 535 0.00000000 NXP半导体 - 大部分 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 200兆 SOT-323 下载 （1 （无限） 到达不受影响 2156-BC846AW，115-954 1 65 v 100 ma 15NA（icbo） NPN 400mv @ 5mA，100mA 110 @ 2mA，5V 100MHz
2N7002-G Microchip Technology 2n7002-g 0.6400
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 ECAD 866 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 2N7002 MOSFET （金属 o化物） SOT-23（TO-236AB） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 60 V 115mA（tj） 5V，10V 7.5OHM @ 500mA，10v 2.5V @ 250µA ±30V 50 pf @ 25 V - 360MW（TA）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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