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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
IXDR30N120	-	RFQ	6790	ixys	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixdr30	标准			200 w		ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				600V，30a，47ohm，15V															npt	1200 v	50 a	60 a	2.9V @ 15V，30a	4.6mj（在）上，3.4MJ off）	120 NC	-
NDCTR3065A	-	RFQ	9618	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的					NDCTR3065							-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NDCTR3065ATR			3,000									-
MRF085HR5	-	RFQ	2068	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	133 v			NI-650H-4L	MRF08		1.8MHz〜1.215GHz	ldmos			NI-650H-4L	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50	双重的		7µA		100 ma	85W	25.6dB											-									50 V
IRF9335pbf	-	RFQ	1126	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001565718	Ear99	8541.29.0095	95		P通道						30 V	5.4A（ta）	4.5V，10V	59MOHM @ 5.4A，10V	2.4V @ 10µA	14 NC @ 10 V	±20V	386 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
IRFC250NB	-	RFQ	4149	Infineon技术	Hexfet®	大部分	过时的		-	表面安装	死				MOSFET （金属 o化物）			死	-	rohs3符合条件		到达不受影响	448-IRFC250NB	过时的		1		-						200 v	-	-	-	-		-		-	-
PJE8428_R1_00001	0.4700	RFQ	1	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-523	PJE8428			MOSFET （金属 o化物）			SOT-523	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJE8428_R1_00001DKR	Ear99	8541.21.0095	4,000		n通道						30 V	300mA（TA）	1.2V，4.5V	1.2OHM @ 300mA，4.5V	1V @ 250µA	0.9 NC @ 4.5 V	±10V	45 pf @ 10 V	-	300MW（TA）
SI4542DY-T1-E3	-	RFQ	9072	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4542			MOSFET （金属 o化物）	2W		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道							30V	-		25mohm @ 6.9a，10v	1V @ 250µA（250µA）	50NC @ 10V		-	逻辑级别门
AOC3860C	1.0500	RFQ	7990	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，没有铅	AOC386			MOSFET （金属 o化物）	3.1W（TA）		6-Alphadfn（3.05x1.77）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	8,000	2 n 通道（双）公共排水							12V	25A（TA）		3.5MOHM @ 5A，4.5V	1.1V @ 250µA	36nc @ 4.5V		-	标准
FS50R06W1E3B11BOMA1	44.7500	RFQ	24	Infineon技术	EasyPack™	托盘	积极的		-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FS50R06				205 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	24	三相逆变器																		沟渠场停止	600 v	70 a		1.9V @ 15V，50a					1 MA	是的	3.1 NF @ 25 V
PJF60R390E_T0_001	0.9041	RFQ	5672	Panjit International Inc.	-	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	PJF60R390E			MOSFET （金属 o化物）			ITO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJF60R390E_T0_00001	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						600 v	1.5A（TA），11a（tc）	10V	390MOHM @ 3.8A，10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	531 PF @ 25 V	-	1.04W（ta），53W（tc）
SQJQ404E-T1_GE3	2.8100	RFQ	5732	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®8X8	SQJQ404			MOSFET （金属 o化物）			PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道						40 V	200a（TC）	10V	1.72MOHM @ 20A，10V	3.5V @ 250µA	270 NC @ 10 V	±20V	16480 pf @ 25 V	-	150W（TC）
PSMN3R5-80ES，127	-	RFQ	8747	Nexperia USA Inc.	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）			i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						80 V	120A（TC）	10V	3.5mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	139 NC @ 10 V	±20V	9800 PF @ 30 V	-	338W（TC）
RFD10P03LSM	-	RFQ	8048	Onmi	-	管子	过时的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RFD10			MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		P通道						30 V	10A（TC）		200mohm @ 10a，5v	2V @ 250µA	30 NC @ 10 V		1035 PF @ 25 V	-
RJH6675	2.1700	RFQ	3	哈里斯公司	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-218-3隔离选项卡，TO-218AC					175 w		TO-218隔离	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	1																				450 v	15 a							100µA			NPN	5V @ 5a，15a	8 @ 10a，2v	50MHz
R6507knjtl	3.1400	RFQ	80	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	R6507			MOSFET （金属 o化物）			LPT	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						650 v	7A（TC）	10V	665mohm @ 2.4a，10v	5V @ 200µA	14.5 NC @ 10 V	±20V	470 pf @ 25 V	-	78W（TC）
FCX718TA	0.6400	RFQ	1	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	FCX718				2 w		SOT-89-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																				20 v	2.5 a							100NA			PNP	300mv @ 200mA，2.5a	150 @ 2a，2v	180MHz
IPD90P03P4L04ATMA2	2.7500	RFQ	9	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos®-P2	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD90			MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道						30 V	90A（TC）		4.1MOHM @ 90A，10V	2V @ 253µA	160 NC @ 10 V	+5V，-16V	11300 PF @ 25 V	-	137W（TC）
2N6033	129.5850	RFQ	3432	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C	通过洞	TO-204AA，TO-3					140 w		TO-204AD（TO-3）	-			到达不受影响	150-2N6033	Ear99	8541.29.0095	1																				120 v	40 a							10mA			NPN	1V @ 4A，40a	10 @ 40a，2v	-
RN2317（TE85L，F）	0.2800	RFQ	962	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323	RN2317				100兆		SC-70	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0075	3,000																				50 V	100 ma							500NA			pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	30 @ 10mA，5V	200 MHz	10 kohms	4.7科姆斯
CPC3703CTR	0.9700	RFQ	8	ixys集成电路部门	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜125°C（TA）	表面安装	TO-243AA	CPC3703			MOSFET （金属 o化物）			SOT-89-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						250 v	360ma（ta）	0V	4ohm @ 200ma，0v	-		±15V	350 pf @ 25 V	耗尽模式	1.1W（TA）
KSD1020GTA	-	RFQ	3364	Onmi	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	KSD1020				350兆		TO-92S	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																				25 v	700 MA							100NA（ICBO）			NPN	400mv @ 70mA，700mA	200 @ 100mA，1V	170MHz
SI3455555ADV-T1-GE3	-	RFQ	8974	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3455			MOSFET （金属 o化物）			6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道						30 V	2.7a（ta）	4.5V，10V	100mohm @ 3.5a，10v	3V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V		-	1.14W（TA）
FF1500R12IE5PBPSA1	1.0000	RFQ	3	Infineon技术	PrimePack™3+ b	托盘	积极的		-40°C〜175°C	底盘安装	模块	FF1500R				20兆	标准	Ag-Prime3+-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3	半桥																		沟渠场停止	1200 v	1500 a		2.15V @ 15V，1.5KA					5 ma	是的
SFR9034TM	-	RFQ	1457	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）			DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道						60 V	14A（TC）	10V	140MOHM @ 7A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±25V	1155 PF @ 25 V	-	2.5W（ta），49W（tc）
IRFS4310pbf	-	RFQ	4036	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道						100 v	130a（TC）	10V	7mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	250 NC @ 10 V	±20V	7670 pf @ 50 V	-	300W（TC）
FDB9409-F085	1.0000	RFQ	2313	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK（TO-263）	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道						40 V	80A（TC）	10V	3.5mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	2980 pf @ 25 V	-	94W（TJ）
HUFA76419S3ST	-	RFQ	3858	Onmi	Ultrafet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	HUFA76			MOSFET （金属 o化物）			d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道						60 V	29A（TC）	4.5V，10V	35mohm @ 29a，10v	3V @ 250µA	28 NC @ 10 V	±16V	900 pf @ 25 V	-	75W（TC）
Aony36302	-	RFQ	3494	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，平面线	Aony363			MOSFET （金属 o化物）	3.1W（3.1W），21W（（（（），3.1W（ta），44.5W（（（（ta）		8-DFN（5x6）	下载			到达不受影响	785-AONY36302TR			1	2 n 通道（双）							30V	20a（20a），51a（tc（51a tc），30a ta（85a tc）（TC）		5.2MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 250µA	30nc @ 10V		1000pf @ 15V	标准
MRF6S19100HR3	67.2400	RFQ	180	自由度半导体	-	大部分	积极的	68 v			SOT-957A	MRF6		1.99GHz	ldmos			NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	1			-		900 MA	22W	16.1db											-									28 V
MD10P380	0.1967	RFQ	5594	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457				MOSFET （金属 o化物）			SOT-26	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2796-MD10P380TR		8541.21.0000	3,000		P通道						100 v	1.6a（ta）	4.5V，10V	325MOHM @ 1A，10V	2.3V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	1046 pf @ 50 V	-	1W（ta）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²