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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
PSMN130-200D，118	-	RFQ	4010	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PSMN1						下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500
IXFH26N100X	19.7800	RFQ	5621	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH26			MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道						1000 v	26a（TC）	10V	320MOHM @ 13A，10V	6V @ 4mA	113 NC @ 10 V	±30V	3290 pf @ 25 V	-	860W（TC）
IPB65R225C7ATMA1	-	RFQ	2290	Infineon技术	Coolmos™C7	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB65R			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						650 v	11A（TC）	10V	225MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 240µA	20 nc @ 10 V	±20V	996 PF @ 400 V	-	63W（TC）
MPS6513_D74Z	-	RFQ	5083	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	MPS651				625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																					30 V	200 ma										50NA（iCBO）		NPN	500mv @ 5mA，50mA	90 @ 2mA，10v	-
MGSF2N02ELT3G	-	RFQ	6580	Onmi	*		过时的					MGSF2						-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,000
DSA5001R0L	-	RFQ	3133	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		150°C（TJ）	表面安装	SC-85	DSA5001				150兆	smini3-f2-b	-	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0075	3,000																					50 V	100 ma										100µA		PNP	500mv @ 10mA，100mA	210 @ 2mA，10v	150MHz
STGP12NB60HD	-	RFQ	9172	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STGP12	标准			125 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000				480V，12a，10ohm，15V															80 ns	-	600 v	30 a	60 a	2.8V @ 15V，12a	210µJ（离）	68 NC	5NS/91NS
BF909AWR，115	-	RFQ	3254	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	7 V		表面安装	SC-82A，SOT-343	BF909		800MHz	MOSFET		CMPAK-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道双门		40mA		15 ma	-	-											2DB										5 v
IRL60SC216ARMA1	4.2200	RFQ	2488	Infineon技术	strongirfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	IRL60			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道						60 V	324a（TC）	4.5V，10V	1.5MOHM @ 100A，10V	2.4V @ 250µA	218 NC @ 4.5 V	±20V	16000 PF @ 30 V	-	2.4W（TA），375W（TC）
RJK03S3DPA-00＃j5a	0.8200	RFQ	9	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的					RJK03S3			-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	3,000																-
IPI530N15N3GXKSA1	-	RFQ	5036	Infineon技术	Optimos™	管子	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI530			MOSFET （金属 o化物）		pg-to262-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道						150 v	21a（TC）	8V，10V	53mohm @ 18a，10v	4V @ 35µA	12 nc @ 10 V	±20V	887 PF @ 75 V	-	68W（TC）
AOD4186	0.2558	RFQ	7688	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AOD418			MOSFET （金属 o化物）		TO-252（DPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						40 V	（10a ta），35a tc（TC）	4.5V，10V	15mohm @ 20a，10v	2.7V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	1200 pf @ 20 V	-	2.5W（ta），50W（50W）（TC）
STW58N65DM2AG	11.6700	RFQ	8672	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，MDMESH™DM2	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW58			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道						650 v	48A（TC）	10V	65MOHM @ 24A，10V	5V @ 250µA	88 NC @ 10 V	±25V	4100 PF @ 100 V	-	360W（TC）
ksa1015grta-on	0.0300	RFQ	23	Onmi	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）					400兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																					50 V	150 ma										100NA（ICBO）		PNP	300mv @ 10mA，100mA	200 @ 2mA，6v	80MHz
IXTP20N65X2	5.0500	RFQ	279	ixys	Ultra X2	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp20			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	238-ixtp20n65x2	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						650 v	20A（TC）	10V	185mohm @ 10a，10v	4.5V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±30V	1450 pf @ 25 V	-	290W（TC）
2SJ296STL-E	4.3800	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	过时的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	69
SPU02N60S5	-	RFQ	9583	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				MOSFET （金属 o化物）		pg-to251-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道						600 v	1.8A（TC）	10V	3ohm @ 1.1a，10v	5.5V @ 80µA	9.5 NC @ 10 V	±20V	240 pf @ 25 V	-	25W（TC）
J112-D27Z	-	RFQ	1960年	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）					625兆	TO-92-3	下载						0000.00.0000	1		n通道													-														35 v	5 ma @ 15 V	1 V @ 1 µA		50欧姆
IAUZ20N08S5L300ATMA1	1.1300	RFQ	7150	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™-5	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IAUZ20			MOSFET （金属 o化物）		PG-TSDSON-8-32	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道						80 V	20A（TC）	4.5V，10V	30mohm @ 10a，10v	2V @ 8µA	10.5 NC @ 10 V	±20V	599 pf @ 40 V	-	30W（TC）
IXTN8N150L	53.8500	RFQ	160	ixys	线性	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixtn8			MOSFET （金属 o化物）		SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道						1500 v	7.5A（TC）	20V	3.6OHM @ 4A，20V	8V @ 250µA	250 NC @ 15 V	±30V	8000 PF @ 25 V	-	545W（TC）
BCW68G	0.0500	RFQ	224	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000																					45 v	800 MA										20NA		PNP	1.5V @ 30mA，300mA	160 @ 100mA，1V	100MHz
RRS050P03HZGTB	1.2800	RFQ	2	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RRS050			MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道						30 V	5A（5A）	4V，10V	50mohm @ 5a，10v	2.5V @ 1mA	9.2 NC @ 5 V	±20V	850 pf @ 10 V	-	2W（TA）
IAUT300N08S5N012ATMA2	7.1000	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn	IAUT300			MOSFET （金属 o化物）		PG-HSOF-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道						80 V	300A（TC）	6V，10V	1.2MOHM @ 100A，10V	3.8V @ 275µA	231 NC @ 10 V	±20V	16250 PF @ 40 V	-	375W（TC）
DMJ70H1D4SV3	-	RFQ	5183	二极管合并	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	DMJ70			MOSFET （金属 o化物）		TO-251	下载	rohs3符合条件	不适用	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道						700 v	5A（TC）	10V	1.5OHM @ 1A，10V	4V @ 250µA	7.5 NC @ 10 V	±30V	342 PF @ 50 V	-	78W（TC）
IRF1324S-7ppbf	-	RFQ	1518年	国际整流器	Hexfet®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（7铅）	下载						0000.00.0000	1		n通道						24 V	240a（TC）	10V	1MOHM @ 160a，10V	4V @ 250µA	252 NC @ 10 V	±20V	7700 PF @ 19 V	-	300W（TC）
IKW20N60TAFKSA1	-	RFQ	4622	Infineon技术	Trechstop®	管子	过时的		-	通过洞	TO-247-3	IKW20N60	标准			166 w	PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240				400V，20A，12OHM，15V															41 ns	沟渠场停止	600 v	40 a	60 a	2.05V @ 15V，20A	770µJ	120 NC	18NS/199N
SST210 SOT-143 4L ROHS	5.4800	RFQ	2	线性集成系统公司	SST210	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜125°C（TJ）	表面安装	TO-253-4，TO-253AA				MOSFET （金属 o化物）		SOT-143-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道						30 V	50mA（TA）	5V，25V	50ohm @ 1mA，10v	1.5V @ 1µA		±40V		-	300MW（TA）
IAUC100N08S5N031ATMA1	2.8800	RFQ	2499	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™-5	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IAUC100			MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-34	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道						80 V	100A（TC）	6V，10V	3.1MOHM @ 50a，10v	3.8V @ 95µA	76 NC @ 10 V	±20V	5525 pf @ 40 V	-	167W（TC）
IPI100P03P3L-04	-	RFQ	4039	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	ipi100p			MOSFET （金属 o化物）		pg-to262-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000311117	Ear99	8541.29.0095	500		P通道						30 V	100A（TC）	4.5V，10V	4.3mohm @ 80a，10v	2.1V @ 475µA	200 NC @ 10 V	+5V，-16V	9300 PF @ 25 V	-	200W（TC）
EFC2J011NUZTDG	-	RFQ	1982	Onmi	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					EFC2J011			-			-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	5,000																-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²