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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
SI3585CDV-T1-GE3	0.5500	RFQ	3868	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3585		MOSFET （金属 o化物）	1.4W，1.3W	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道			20V	3.9a，2.1a		58mohm @ 2.5a，4.5V	1.5V @ 250µA	4.8NC @ 10V		150pf @ 10V	逻辑级别门
IXFX110N65X3	18.3853	RFQ	2257	ixys	-	管子	积极的				IXFX110					-				238-ixfx110n65x3			30
IXTT74N20P	7.2430	RFQ	7227	ixys	极性	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXTT74		MOSFET （金属 o化物）		TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	74A（TC）	10V	34mohm @ 37A，10V	5V @ 250µA	107 NC @ 10 V	±20V	3300 PF @ 25 V	-	480W（TC）
2SA1381FSTU	-	RFQ	5129	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	2SA1381			7 W	TO-126-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	60															300 v	100 ma						100NA（ICBO）	PNP	600mv @ 2mA，20mA	160 @ 10mA，10v	150MHz
IXGT28N60B	-	RFQ	9087	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXGT28	标准		150 w	TO-268AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，28a，10ohm，15V											-	600 v	40 a	80 a	2V @ 15V，28a	2MJ（（）	68 NC	15NS/175NS
BLL1214-250	261.9600	RFQ	153	Rochester Electronics，LLC	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BLL1214-250-2156	Ear99	8541.29.0075	1
RN2409，LXHF	0.3400	RFQ	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	RN2409			200兆	S-Mini	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000															50 V	100 ma						500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	70 @ 10mA，5V	200 MHz	47科姆斯	22 KOHMS
IXFK220N20X3	20.7100	RFQ	10	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK220		MOSFET （金属 o化物）		TO-264	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		200 v	220A（TC）	10V	6.2MOHM @ 110A，10V	4.5V @ 4mA	204 NC @ 10 V	±20V	13600 PF @ 25 V	-	960W（TC）
DRC2144W0L	-	RFQ	2617	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DRC2144			200兆	mini3-g3-b	-	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000															50 V	100 ma						500NA	npn-预先偏见	250mv @ 500µA，10mA	60 @ 5mA，10v		47科姆斯	22 KOHMS
BD772-y-TP	0.1596	RFQ	1737年	微商业公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	BD772			500兆	SOT-89	下载				353-BD772-y-TP	Ear99	8541.21.0095	1															30 V	3 a						10µA	PNP	500mv @ 200mA，2a	60 @ 1A，2V	80MHz
DMC25D0UVT-7	0.4100	RFQ	10	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	DMC25		MOSFET （金属 o化物）	1.2W	TSOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道			25V，30V	400mA，3.2a		4ohm @ 400mA，4.5V	1.5V @ 250µA	0.7NC @ 8V		26.2pf @ 10V	-
SI2366ds-T1-BE3	0.4600	RFQ	8433	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）		742-SI2366DS-T1-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		30 V	4.5A（ta），5.8a tc）	4.5V，10V	36mohm @ 4.5A，10V	2.5V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±20V	335 pf @ 15 V	-	1.25W（TA），2.1W（TC）
PDTC143ZU-QAX	0.0365	RFQ	1388	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	PDTC143			200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1727-PDTC143ZU-QAXTR	Ear99	8541.21.0075	3,000															50 V	100 ma						1µA	npn-预先偏见	100mV @ 250µA，5mA	100 @ 10mA，5v	230 MHz	4.7科姆斯	47科姆斯
TSM2N7002KCX RFG	-	RFQ	7633	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TSM2N7002		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		60 V	300mA（TA）	4.5V，10V	2ohm @ 300mA，10v	2.5V @ 250µA	0.4 NC @ 4.5 V	±20V	30 pf @ 25 V	-	300MW（TA）
SQJQ186ER-T1_GE3	2.9300	RFQ	2	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，鸥翼	SQJQ186		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		80 V	329a（TC）	10V	2.3MOHM @ 20A，10V	3.5V @ 250µA	185 NC @ 10 V	±20V	10552 PF @ 25 V	-	600W（TC）
LGD8209TI	-	RFQ	6710	Littelfuse Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	Rohs符合条件	（1 （无限）		18-LGD8209TITR		0000.00.0000	2,500
SI3440ADV-T1-GE3	0.4700	RFQ	3708	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3440		MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		150 v	2.2A（TC）	7.5V，10V	380MOHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	4 NC @ 10 V	±20V	80 pf @ 75 V	-	3.6W（TC）
TSM052NB03CR RLG	0.8200	RFQ	4	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM052		MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	17a（17A），90A （TC）	4.5V，10V	5.2MOHM @ 17A，10V	2.5V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	2294 pf @ 15 V	-	3.1W（TA），83W（tc）
SSM6K405TU，LF	0.3700	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅	SSM6K405		MOSFET （金属 o化物）		UF6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		20 v	2A（TA）	1.5V，4V	126mohm @ 1A，4V	1V @ 1mA	3.4 NC @ 4 V	±10V	195 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
SL05N06-TP	0.4800	RFQ	5	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SL05		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		60 V	5A（5A）	4.5V，10V	44mohm @ 5A，10V	2.5V @ 250µA	26.4 NC @ 10 V	±20V	1018 PF @ 30 V	-	2.5W
BC875,126	-	RFQ	1437	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC87			830兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000															45 v	1 a						50NA	npn-达灵顿	1.8V @ 1mA，1a	2000 @ 500mA，10V	200MHz
2SK2054-T1-AZ	0.8300	RFQ	14	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	表面安装	TO-243AA			MOSFET （金属 o化物）		MP-2	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-2SK2054-T1-AZ	Ear99	8541.29.0075	1		n通道		60 V	3A（3A）	4V，10V	200mohm @ 1.5A，10V	2V @ 1mA		±20V	530 pf @ 10 V	-	2W（TA）
TK4P60DB（T6RSS-Q）	-	RFQ	1320	东芝半导体和存储	π-mosvii	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK4P60		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		TK4P60DBT6RSQ	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		600 v	3.7a（ta）	10V	2ohm @ 1.9a，10v	4.4V @ 1mA	11 NC @ 10 V	±30V	540 pf @ 25 V	-	80W（TC）
TPC8031-H （TE12LQM）	-	RFQ	5858	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）	TPC8031		MOSFET （金属 o化物）		8-SOP（5.5x6.0）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		30 V	11a（11a）		13.3MOHM @ 5.5A，10V	2.5V @ 1mA	21 NC @ 10 V		2150 pf @ 10 V	-	-
MMDT5213W	0.0266	RFQ	2486	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	MMDT5213			200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2796-MMDT5213WTR		8541.21.0000	3,000																100 ma						100NA（ICBO）	npn-预先偏见	-	80 @ 10mA，5V	250 MHz	47科姆斯	47科姆斯
SSM3K7002KFU，LXH	0.4000	RFQ	5	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	SC-70，SOT-323			MOSFET （金属 o化物）		USM	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		60 V	400mA（TA）	4.5V，10V	1.5OHM @ 100mA，10v	2.1V @ 250µA	0.6 NC @ 4.5 V	±20V	40 pf @ 10 V	-	150MW（TA）
IXTY1R4N100P	2.6384	RFQ	6346	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ixty1		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	70		n通道		1000 v	1.4A（TC）	10V	11ohm @ 500mA，10v	4.5V @ 50µA	17.8 NC @ 10 V	±20V	450 pf @ 25 V	-	63W（TC）
2N7002KA-TP	0.0411	RFQ	2395	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2N7002		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		60 V	340mA（TJ）	4.5V，10V	5ohm @ 500mA，10v	2.5V @ 250µA		±20V	40 pf @ 10 V	-	350MW
FDMS9408	0.6700	RFQ	1	Fairchild半导体	*	大部分	积极的				FDMS940		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	3,000												-
MCH6631-TL-E-SY	0.0900	RFQ	93	Sanyo	*	大部分	积极的				MCH6631		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	3,000												-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²