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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
PN4391	1.0000	RFQ	1098	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				625兆		TO-92-3	-	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,000		n通道									14pf @ 20V												30 V	50 mA @ 20 V	4 V @ 1 na				30欧姆
Si4435dytrpbf	1.0300	RFQ	22	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4435		MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		P通道		30 V	8A（TC）	4.5V，10V	20mohm @ 8a，10v	1V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	2320 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
2N5607	43.0350	RFQ	5163	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-213AA，TO-66-2				25 w		TO-66（TO-213AA）	-			到达不受影响	150-2N5607	Ear99	8541.29.0095	1																80 V	5 a									-				PNP	-	-	-
CP247-MJ11016-WN	-	RFQ	1079	中央半导体公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	死	CP247			200 w		死	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1514-CP247-MJ11016-WN	Ear99	8541.29.0095	1																120 v	30 a									1ma				npn-达灵顿	4V @ 300mA，30a	1000 @ 20a，5v	4MHz
IPA60R520CPXKSA1	-	RFQ	4674	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA60R		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-31	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		600 v	6.8A（TC）	10V	520MOHM @ 3.8A，10V	3.5V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±20V	630 PF @ 100 V	-	30W（TC）
AOTF4N60L	0.9700	RFQ	28	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	AOTF4		MOSFET （金属 o化物）			TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	785-1790	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	4A（TC）	10V	2.2OHM @ 2A，10V	4.5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±30V	615 pf @ 25 V	-	35W（TC）
PMV48XP/mir	-	RFQ	8109	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-236AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934068503215	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		20 v	3.5A（ta）	2.5V，4.5V	55mohm @ 2.4a，4.5V	1.25V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±12V	1000 pf @ 10 V	-	510MW（ta），4.15W（tc）
PSMN5R0-30YL，115	0.9700	RFQ	8420	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	PSMN5R0		MOSFET （金属 o化物）			LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		30 V	91A（TC）	4.5V，10V	5mohm @ 15a，10v	2.15V @ 1mA	29 NC @ 10 V	±20V	1760 pf @ 12 V	-	61W（TC）
IPP039N10N5AKSA1	4.0000	RFQ	3721	Infineon技术	Optimos™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP039		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	100A（TC）	6V，10V	3.9mohm @ 50a，10v	3.8V @ 125µA	95 NC @ 10 V	±20V	7000 PF @ 50 V	-	188W（TC）
SPI07N65C3HKSA1	-	RFQ	6873	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	SPI07N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		650 v	7.3A（TC）	10V	600MOHM @ 4.6A，10V	3.9V @ 350µA	27 NC @ 10 V	±20V	790 pf @ 25 V	-	83W（TC）
FF6MR12W2M1HB70BPSA1	252.3600	RFQ	1381	Infineon技术	-	托盘	积极的										-		（1 （无限）	到达不受影响				15
MJD210RL	-	RFQ	6196	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MJD21			1.4 w		DPAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,800																25 v	5 a									100NA（ICBO）				PNP	1.8V @ 1a，5a	45 @ 2a，1V	65MHz
IRGB6B60KDPBF	-	RFQ	1052	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		90 W		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			400V，5A，100OHM，15V											70 ns	npt	600 v	13 a	26 a	2.2V @ 15V，5A	110µJ（在）上，135µJ（OFF）	18.2 NC	25NS/215NS
FQB22P10TM-F085	-	RFQ	3563	Onmi	汽车，AEC-Q101，QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB2		MOSFET （金属 o化物）			d²pak（to-263）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		P通道		100 v	22a（TC）	10V	125mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±30V	1500 pf @ 25 V	-	3.75W（TA），125W（（tc）
BC846AW，115	0.0200	RFQ	535	NXP半导体	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323				200兆		SOT-323	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BC846AW，115-954			1																65 v	100 ma									15NA（icbo）				NPN	400mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	100MHz
IXYH16N170CV1	14.2600	RFQ	30	ixys	XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixyh16	标准		310 w		TO-247（IXYH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			850V，16a，10ohm，15V											150 ns	-	1700 v	40 a	100 a	3.8V @ 15V，16a	2.1mj（在）上，1.5mj off）	56 NC	11NS/140NS
F3L11MR12W2M1B74BOMA1	198.0200	RFQ	21	Infineon技术	EasyPack™	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	F3L11MR12			20兆	标准	AG-EASY2B-2	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三级逆变器														沟渠场停止	1200 v	100 a		1.5V @ 15V，100a							9 µA	是的	21.7 NF @ 25 V
NTMFS5C430NT3G	1.8724	RFQ	1863年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS5		MOSFET （金属 o化物）			5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		40 V	35A（35A），185A （TC）	10V	1.7MOHM @ 50a，10v	3.5V @ 250µA	47 NC @ 10 V	±20V	3300 PF @ 25 V	-	3.8W（TA），106W（tc）
FP25R12N2T7B80BPSA1	97.7727	RFQ	3753	Infineon技术	Trenchstop™	托盘	积极的	-	底盘安装	模块	FP25R12				标准	Ag-Easy2b	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	-														沟渠场停止				-								不
2N5760	77.3850	RFQ	7509	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3				150 w		TO-204AD（TO-3）	-			到达不受影响	150-2N5760	Ear99	8541.29.0095	1																140 v	6 a									-				NPN	-	-	-
S2SA1774G	0.4000	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	S2SA1774			150兆		SC-75，SOT-416	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																50 V	100 ma									500PA（ICBO）				PNP	500mv @ 5mA，50mA	120 @ 1mA，6v	140MHz
2SC3458L	0.9900	RFQ	3	Sanyo	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-2SC3458L-600057			1
BC184C_J35Z	-	RFQ	8199	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC184			350兆		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																30 V	500 MA									15NA（icbo）				NPN	250mv @ 5mA，100mA	250 @ 2mA，5v	150MHz
C2M1000170J	10.0700	RFQ	880	Wolfspeed，Inc。	C2M™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-7 （直线直线）	C2M1000170		sicfet （碳化硅）			D2PAK（7铅）	下载	Rohs符合条件	3（168））			Ear99	8541.29.0095	50		n通道		1700 v	5.3A（TC）	20V	1.4OHM @ 2A，20V	3.1V @ 500µA（typ）	13 NC @ 20 V	+25V，-10V	200 pf @ 1000 V	-	78W（TC）
DMT69M8LFV-7	0.7800	RFQ	980	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMT69		MOSFET （金属 o化物）			PowerDI3333-8（UX）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		60 V	45A（TC）	4.5V，10V	9.5MOHM @ 13.5A，10V	3V @ 250µA	33.5 NC @ 10 V	±16V	1925 PF @ 30 V	-	42W（TC）
STF24NM65N	-	RFQ	2416	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF24		MOSFET （金属 o化物）			TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		650 v	19a（tc）	10V	190MOHM @ 9.5A，10V	4V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±25V	2500 PF @ 50 V	-	40W（TC）
BCR08PN	0.0702	RFQ	3415	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BCR08			250MW		SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2796-bcr08pntr		8541.21.0000	3,000																60V	100mA									100NA（ICBO）				1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	170MHz	2.2kohms	47kohms
TK12A50W，S5X	2.1100	RFQ	50	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）			TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道		500 v	11.5A（TA）	10V	300MOHM @ 5.8A，10V	3.7V @ 600µA	25 NC @ 10 V	±30V	890 pf @ 300 V	-	35W（TC）
2N4998	324.3000	RFQ	4536	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	螺柱坐骑	TO-210AA，TO-59-4，螺柱				35 w		TO-59	-			到达不受影响	150-2N4998	Ear99	8541.29.0095	1																80 V	2 a									-				NPN	850mv @ 200µA，1mA	-	-
IXFQ8N85X	4.5552	RFQ	8060	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXFQ8N85		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixfq8n85x	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		850 v	8A（TC）	10V	850MOHM @ 4A，10V	5.5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	654 pf @ 25 V	-	200W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²