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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	（QG））（最大） @ vgs	（ciss））（最大） @ vds
AOD464	0.3715	RFQ	6525	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AOD46		MOSFET （金属 o化物）		TO-252（DPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		105 v	40a（TC）	6V，10V	28mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±25V	2445 PF @ 25 V	-	2.3W（TA），100W（TC）
DMN1017UCP3-7	0.2035	RFQ	4374	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XDFN	DMN1017		MOSFET （金属 o化物）		X3-DSN1010-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		12 v	7.5A（ta）	1.8V，3.3V	17mohm @ 5A，3.3V	1V @ 250µA	16 NC @ 3.3 V	±8V	1503 PF @ 6 V	-	1.47W
IXXX200N60B3	25.6400	RFQ	2502	ixys	XPT™，GenX3™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXXX200	标准		1630 w	加上247™-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			360V，100a，1ohm，15V											100 ns	-	600 v	380 a	900 a	1.7V @ 15V，100a	2.85MJ（在）上，4.4MJ off）	315 NC	48NS/160NS
IRFM220BTF	0.2900	RFQ	70	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-4	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道		200 v	1.13A（TC）	10V	800MOHM @ 570mA，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±30V	390 pf @ 25 V	-	2.4W（TC）
irfu6215pbf	-	RFQ	1501	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		IPAK（to-251）	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		P通道		150 v	13A（TC）	10V	295MOHM @ 6.6A，10V	4V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±20V	860 pf @ 25 V	-	110W（TC）
irlr110trr	-	RFQ	6708	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR110		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		100 v	4.3A（TC）	4V，5V	540MOHM @ 2.6a，5V	2V @ 250µA	6.1 NC @ 5 V	±10V	250 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
AONS21307	0.2614	RFQ	6543	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，平面线	AONS213		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	785-AONS21307TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		30 V	17a（17a），24a （TC）	4.5V，10V	11mohm @ 20a，10v	2.3V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±25V	1995 pf @ 15 V	-	5W（5W），38W（tc）
OP540/BD/C3,027	0.2600	RFQ	32	Nexperia USA Inc.	*	大部分	积极的									-						0000.00.0000	1
RW1A025APT2CR	-	RFQ	4370	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	RW1A025		MOSFET （金属 o化物）		6-Wemt	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000		P通道		12 v	2.5a（ta）	1.5V，4.5V	62MOHM @ 2.5A，4.5V	1V @ 1mA	16 NC @ 4.5 V	-8V	2000 pf @ 6 V	-	400MW（TA）
2SK2159-T1-AZ	-	RFQ	6837	肾脏	-	大部分	过时的									-				2156-2SK2159-T1-AZ			1
ixta8n65x2	3.3100	RFQ	7966	ixys	Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta8		MOSFET （金属 o化物）		TO-263	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		650 v	8A（TC）	10V	500MOHM @ 4A，10V	5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±30V	800 pf @ 25 V	-	150W（TC）
FDW2506P	-	RFQ	6293	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	FDW25		MOSFET （金属 o化物）	600MW	8-tssop	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500	2（p 通道（双）			20V	5.3a		22mohm @ 5.3a，4.5V	1.5V @ 250µA	34NC @ 4.5V		1015pf @ 10V	逻辑级别门
2SK1449	3.2900	RFQ	900	Onmi	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-2SK1449-488			1
E3M0120090J-Tr	8.1573	RFQ	5147	Wolfspeed，Inc。	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA			SIC （硅碳化物交界晶体管）		TO-263-7	-				1697-E3M0120090J-Tr			800		n通道		900 v	22a（TC）	15V	155mohm @ 15a，15v	3.5V @ 3mA	18 nc @ 15 V	+15V，-4V	414 PF @ 600 V		83W（TC）
TSM500P02DCQ RFG	1.1900	RFQ	83	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	6-vdfn裸露的垫子	TSM500		MOSFET （金属 o化物）	620MW	6-TDFN （2x2）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）			20V	4.7A（TC）		50mohm @ 3A，4.5V	800MV @ 250µA	9.6nc @ 4.5V		1230pf @ 10V	-
IPB024N08NF2SATMA1	3.1100	RFQ	779	Infineon技术	strongirfet™2	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB024N		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		80 V	107a（TC）	6V，10V	2.4MOHM @ 100A，10V	3.8V @ 85µA	133 NC @ 10 V	±20V	6200 PF @ 40 V	-	150W（TC）
SI3139KWA-TP	0.0229	RFQ	9710	微商业公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	SI3139		MOSFET （金属 o化物）		SOT-323	下载				353-SI3139KWA-TP	Ear99	8541.21.0095	1		P通道		20 v	600mA	1.8V，4.5V	850MOHM @ 500mA，4.5V	1.1V @ 250µA	0.86 NC @ 4.5 V	±12V	40 pf @ 16 V	-	150MW（TA）
DMT10H9M9SSSSSS-13	0.4606	RFQ	1677年	二极管合并	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的				DMT10					-			到达不受影响	31-DMT10H9M9SSSSSSSSS-13TR			2,500
STH275N8F7-2AG	5.9600	RFQ	3839	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，StripFet™F7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STH275		MOSFET （金属 o化物）		H2PAK-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		80 V	180a（TC）	10V	2.1MOHM @ 90A，10V	4.5V @ 250µA	193 NC @ 10 V	±20V	13600 PF @ 50 V	-	315W（TC）
IRGP4062D-EPBF	-	RFQ	5241	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		250 w	TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			400V，24a，10ohm，15V											89 ns	沟	600 v	48 a	72 a	1.95V @ 15V，24a	（115µJ）（在600µJ上）	75 NC	41NS/104NS
FQP8N60C	1.2200	RFQ	4	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	247		n通道			7.5A（TC）	10V	1.2OHM @ 3.75A，10V	4V @ 250µA	36	±30V	1255	-	147W（TC）										10	25
IXFB70N60Q2	30.0952	RFQ	8285	ixys	Hiperfet™，Q2类	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFB70		MOSFET （金属 o化物）		加上264™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		600 v	70A（TC）	10V	88mohm @ 35a，10v	5.5V @ 8mA	265 NC @ 10 V	±30V	12000 PF @ 25 V	-	890W（TC）
IRF810	0.4600	RFQ	93	哈里斯公司	*	大部分	积极的				IRF81		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1												-
FDMC4435BZ-F127-L701	0.5273	RFQ	6317	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-mlp（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-FDMC4435BZ-F127-L701TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		30 V	8.5a（ta），18a（tc）	4.5V，10V	20mohm @ 8.5a，10v	3V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±25V	2045 PF @ 15 V	-	2.3W（TA），31W（tc）
2SK2631-TL-E	-	RFQ	6259	Onmi	-	大部分	过时的	150°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		DPAK/TP-FA	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-2SK2631-TL-E-488			1		n通道		800 v	1A（1A）	15V	10ohm @ 500mA，15v	5.5V @ 1mA	8 nc @ 10 V	±30V	300 pf @ 20 V	-	1W（TA），30W（TC）
IRF9Z34NSTRRPBF	-	RFQ	4590	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	800		P通道		55 v	19a（tc）	10V	100mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	620 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），68w（tc）
PMPB19XP，115	0.4900	RFQ	2	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	PMPB19		MOSFET （金属 o化物）		DFN2020MD-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		20 v	7.2A（ta）	1.8V，4.5V	22.5MOHM @ 7.2A，4.5V	900mv @ 250µA	43.2 NC @ 4.5 V	±12V	2890 pf @ 10 V	-	1.7W（TA），12.5W（tc）
TSM60NB380CF	2.5238	RFQ	7234	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TSM60		MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM60NB380CF	Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道		600 v	11A（TC）	10V	380MOHM @ 2.7A，10V	4V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±30V	810 PF @ 100 V	-	62.5W（TC）
SSM3J372R，LXHF	0.4600	RFQ	20	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101，U-MOSVI	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	SOT-23-3平线			MOSFET （金属 o化物）		SOT-23F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		30 V	6a（6a）	1.8V，10V	42MOHM @ 5A，10V	1.2V @ 1mA	8.2 NC @ 4.5 V	+6V，-12V	560 pf @ 15 V	-	1W（ta）
PSMN7R8-120PSQ	-	RFQ	2412	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载					Ear99	8541.29.0095	177		n通道		120 v	70A（TC）	10V	7.9mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	167 NC @ 10 V	±20V	9473 PF @ 60 V	-	349W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²