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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
GTRA360502M-V1-R3K	23.5558	RFQ	9037	Wolfspeed，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125 v		表面安装	6-vdfn裸露的垫子	GTRA360502		3.4GHz〜3.8GHz	hemt			6-DFN（6.5x7）	-				1697-GTRA360502M-V1-R3KTR			3,000	-		-		25 ma	50W	13DB											-										48 v
PJQ5466A1-AU_R2_000A1	0.9500	RFQ	6	Panjit International Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	PJQ5466			MOSFET （金属 o化物）			DFN5060-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJQ5466A1-AU_R2_000A1TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						60 V	7.4A（TA），48a tc）	4.5V，10V	17mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	13.5 NC @ 4.5 V	±20V	1574 PF @ 25 V	-	2.4W（ta），100W（（（（（（（（）
PTFB212503EL-V1-R250	-	RFQ	2339	Wolfspeed，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	H-33288-6			2.17GHz	ldmos			H-33288-6	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	250			-		1.85 a	55W	18.1db											-										30 V
IRFBF20STRLPBF	2.4700	RFQ	800	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFBF20			MOSFET （金属 o化物）			d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道						900 v	1.7A（TC）	10V	8ohm @ 1A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	490 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），54W（TC）
DCX114EUQ-13R-F	0.0528	RFQ	7412	二极管合并	Automotive，AEC-Q101，DCX（xxxx）u	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	DCX114				200MW		SOT-363	下载			到达不受影响	31-DCX114EUQ-13R-FTR	Ear99	8541.21.0075	10,000																					50V	100mA							500NA（ICBO）			1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	250MHz	10KOHMS	10KOHMS
FGA5065ADF	4.8100	RFQ	368	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FGA5065	标准			268 w		to-3pn	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，50a，6ohm，15V															31.8 ns	沟渠场停止	650 v	100 a	150 a	2.2V @ 15V，50a	1.35MJ（在）上，309µJ（（）	72.2 NC	20.8NS/62.4NS
MSJP08N90A-BP	3.3500	RFQ	4	微商业公司	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	MSJP08			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB（H）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	353-MSJP08N90A-BP	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道						900 v	8A（TC）	10V	1.62OHM @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	13.6 NC @ 10 V	±30V	474 PF @ 25 V	-	113W（TC）
TSM036N03PQ56 RLG	1.7400	RFQ	438	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM036			MOSFET （金属 o化物）			8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						30 V	124A（TC）	4.5V，10V	3.6mohm @ 22a，10v	2.5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	2530 pf @ 15 V	-	83W（TC）
NGTB35N65FL2WG	4.9900	RFQ	90	Onmi	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	NGTB35	标准			300 w		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，35a，10ohm，15V															68 ns	沟渠场停止	650 v	70 a	120 a	2V @ 15V，35a	（840µJ）（在），280µJ（OFF）上）	125 NC	72NS/132NS
R6511knd3tl1	2.2900	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	R6511			MOSFET （金属 o化物）			TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						650 v	11A（TC）	10V	400MOHM @ 3.8A，10V	5V @ 320µA	22 NC @ 10 V	±20V	760 pf @ 25 V	-	124W（TC）
FS35R12W1T7B11BOMA1	52.4300	RFQ	12	Infineon技术	EasyPack™，Trenchstop™	托盘	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	FS35R12				20兆	标准	ag-easy1b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2156-FS35R12W1T7B11BOMA1-448	Ear99	8541.29.0095	24	三相逆变器																			沟渠场停止	1200 v	35 a		1.6V @ 15V，35a					7.3 µA	是的	6.62 NF @ 25 V
BF1203,115	-	RFQ	5300	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	10 v		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	BF120		400MHz	MOSFET			6-TSSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道双门		30mA		15 ma	-	27dB											1dB										5 v
PHPT61003PY，115	1.0000	RFQ	4426	Nexperia USA Inc.	*	大部分	积极的												下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	1
DMN3061SVTQ-7	0.4700	RFQ	3057	二极管合并	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	DMN3061			MOSFET （金属 o化物）	880MW（TA）		TSOT-26	-				31-DMN3061SVTQ-7	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）							30V	3.4a（ta）		60mohm @ 3.1a，10v	1.8V @ 250µA	6.6nc @ 10V		278pf @ 15V	标准
AUIRFR5505-IR	-	RFQ	6682	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		P通道						55 v	18A（TC）	10V	110MOHM @ 9.6a，10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	650 pf @ 25 V	-	57W（TC）
Smun2130T1	0.0200	RFQ	87	Onmi	*	大部分	积极的												下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
BSS127 E6327	-	RFQ	7554	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道						600 v	21ma（ta）	4.5V，10V	500ohm @ 16mA，10v	2.6V @ 8µA	1 NC @ 10 V	±20V	28 PF @ 25 V	-	500MW（TA）
BCP5316H6327XTSA1	0.2968	RFQ	3529	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BCP53				2 w		PG-SOT223-4-24	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																					80 V	1 a							100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	125MHz
SI7668ADP-T1-GE3	-	RFQ	2483	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7668			MOSFET （金属 o化物）			PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						30 V	40a（TC）	4.5V，10V	3mohm @ 25a，10v	1.8V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±12V	8820 PF @ 15 V	-	5.4W（ta），83W（tc）
CGHV40320D-GP4	290.9560	RFQ	20	Wolfspeed，Inc。	甘	托盘	积极的	150 v			死	CGHV40320		4GHz	hemt			死	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			光盘3A001B3	8541.29.0075	10			-		500 MA	320W	19db											-										50 V
2SC2812-7-TB-E	0.2500	RFQ	402	Sanyo	*	大部分	积极的												下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,210
KSD362RTU	-	RFQ	3170	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	KSD362				40 W		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																					70 v	5 a							20µA（ICBO）			NPN	1V @ 500mA，5a	40 @ 5A，5V	10MHz
SD214DE TO-72 4L	7.6200	RFQ	456	线性集成系统公司	SD214DE	大部分	积极的		-55°C〜125°C（TJ）	通过洞	TO-206AF，TO-72-4金属可以				MOSFET （金属 o化物）			TO-72-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0080	500		n通道						20 v	50mA（TA）	5V，25V	45ohm @ 1mA，10v	1.5V @ 1µA		±40V		-	300MW（TA）
IRF740AL	-	RFQ	3007	Vishay Siliconix	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF740			MOSFET （金属 o化物）			i2pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF740AL	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						400 v	10A（TC）	10V	550MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±30V	1030 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），125W（tc）
TSM60NB1R4CH	1.0097	RFQ	2300	台湾半导体公司	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM60			MOSFET （金属 o化物）			TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM60NB1R4CH	Ear99	8541.29.0095	15,000		n通道						600 v	3A（TC）	10V	1.4OHM @ 900mA，10V	4V @ 250µA	7.12 NC @ 10 V	±30V	257.3 pf @ 100 V	-	28.4W（TC）
CPP55-BC177-CT	-	RFQ	5130	中央半导体公司	-	大部分	过时的												-			到达不受影响	1514-CPP55-BC177-CT	Ear99	8541.29.0040	1
FDMC8882	0.9200	RFQ	875	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMC88			MOSFET （金属 o化物）			8-mlp（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						30 V	10.5A（TA），16a （TC）	4.5V，10V	14.3mohm @ 10.5a，10v	2.5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	945 PF @ 15 V	-	2.3W（TA），18W（tc）
FQB9N25CTM	-	RFQ	9876	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB9			MOSFET （金属 o化物）			d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道						250 v	8.8A（TC）	10V	430MOHM @ 4.4A，10V	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±30V	710 PF @ 25 V	-	3.13W（TA），74W（tc）
BLC9H10XS-500AY	99.0750	RFQ	9981	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	105 v		表面安装	SOT-1273-1	BLC9		617MHz〜960MHz	ldmos			SOT1273-1	-	rohs3符合条件			1603-BLC9H10XS-500AYTR			100	2 n 通道（双）公共来源		1.4µA			500W	18.9db											-										50 V
HUF753213	1.5500	RFQ	561	Onmi	Ultrafet™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	HUF75321			MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						55 v	35A（TC）	10V	34mohm @ 35a，10v	4V @ 250µA	44 NC @ 20 V	±20V	680 pf @ 25 V	-	93W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²