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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
DMC3021LSDQ-13	0.5700	RFQ	1	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	DMC3021		MOSFET （金属 o化物）	2.5W		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道						30V	8.5a，7a		21mohm @ 7a，10v	2.1V @ 250µA	16.1nc @ 10V		767pf @ 10V	逻辑级别门
IXTR200N10P	16.3410	RFQ	7117	ixys	极性	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXTR200		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					100 v	120A（TC）	10V	8mohm @ 60a，10v	5V @ 500µA	235 NC @ 10 V	±20V	7600 PF @ 25 V	-	300W（TC）
NSVMMBT3906T1G	0.3800	RFQ	4	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	NSVMMBT3906			200兆		SC-75，SOT-416	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																			40 V	200 ma			-			PNP	400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	250MHz
AOT482L	1.2789	RFQ	2630	Alpha＆欧米茄半导体公司	SDMOS™	管子	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	AOT482		MOSFET （金属 o化物）			TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					80 V	11a（11a），105a（tc）	7V，10V	7.2MOHM @ 20A，10V	3.7V @ 250µA	81 NC @ 10 V	±25V	4870 pf @ 40 V	-	2.1W（TA），333W（tc）
RN4907 （T5L，F，T）	-	RFQ	8660	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN4907			200MW		US6	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000																			50V	100mA			100NA（ICBO）			1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	200MHz	10KOHMS	47kohms
SI7236DP-T1-E3	-	RFQ	5143	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SI7236		MOSFET （金属 o化物）	46W		POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）						20V	60a		5.2MOHM @ 20.7A，4.5V	1.5V @ 250µA	105nc @ 10V		4000pf @ 10V	-
NTNS3A65PZT5G	-	RFQ	5314	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	NTNS3		MOSFET （金属 o化物）			SOT-883（XDFN3）（1x0.6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000		P通道					20 v	281ma（ta）	1.5V，4.5V	1.3OHM @ 200MA，4.5V	1V @ 250µA	1.1 NC @ 4.5 V	±8V	44 pf @ 10 V	-	155MW（TA）
IRL60B216	-	RFQ	5439	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRL60B216		MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001568416	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					60 V	195a（TC）	4.5V，10V	1.9MOHM @ 100A，10V	2.4V @ 250µA	258 NC @ 4.5 V	±20V	15570 pf @ 25 V	-	375W（TC）
ZX5T951GQTC	0.5500	RFQ	3	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				1.6 w		SOT-223-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	4,000																			60 V	5.5 a			20NA			PNP	250mv @ 500mA，5a	100 @ 2a，1V	120MHz
MUBW15-06A6	-	RFQ	9438	ixys	-	盒子	过时的		-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E1	mubw			61 w	三相桥梁整流器	E1	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三期逆变器																	npt	600 v	18 a	2.5V @ 15V，10a		1 MA	是的	570 pf @ 25 V
SI4840BDY-T1-E3	1.6600	RFQ	69	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4840		MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					40 V	19a（tc）	4.5V，10V	9MOHM @ 12.4a，10V	3V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 20 V	-	2.5W（ta），6W（（ta）
RFD10N05SM	0.6600	RFQ	11	哈里斯公司	-	大部分	积极的		-	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			TO-252，（-d-pak）	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					50 V	-	-	-	-		-		-	-
DF450R17N2E4PB11BDLA1	103.6600	RFQ	84	Infineon技术	*	大部分	积极的					DF450						-		供应商不确定	供应商不确定	2156-DF450R17N2E4PB11BDLA1-448			1
BCX42E6327HTSA1	0.3900	RFQ	17	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCX42			330兆		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																			125 v	800 MA			10µA			PNP	900mv @ 30mA，300mA	40 @ 200ma，1V	150MHz
IRF224	2.3400	RFQ	2	国际整流器	-	大部分	积极的		-	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1		n通道					250 v	3.8a	-	-	-		-		-	40W
PMPB10XNE/S500Z	0.1200	RFQ	5	Nexperia USA Inc.	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫			MOSFET （金属 o化物）			DFN2020MD-6	-				2156-PMPB10XNE/S500Z			2,451		n通道					20 v	9a（9a）	1.8V，4.5V	14mohm @ 9a，4.5V	900mv @ 250µA	34 NC @ 4.5 V	±12V	2175 PF @ 10 V	-	1.7W（TA），12.5W（tc）
IRFH3702TRPBF	0.6500	RFQ	25	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	IRFH3702		MOSFET （金属 o化物）			8-pqfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道					30 V	（16A）（TA），42A （TC）	4.5V，10V	7.1MOHM @ 16A，10V	2.35V @ 25µA	14 NC @ 4.5 V	±20V	1510 pf @ 15 V	-	2.8W（ta）
MRF5S19060NBR1	50.2600	RFQ	332	自由度半导体	-	大部分	积极的	65 v			TO-272BB	MRF5	1.99GHz	ldmos			TO-272 WB-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1			-	750 MA	12W	14dB											-					28 V
PSMN028-100YS，115	-	RFQ	5277	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PSMN0						下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500
MMBT3906TT1	0.0200	RFQ	111	Onmi	-	大部分	过时的					MMBT3906						下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
DMN10H100SK3-13	0.7500	RFQ	5	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DMN10		MOSFET （金属 o化物）			TO-252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					100 v	18A（TC）	4.5V，10V	80mohm @ 3.3a，10v	3V @ 250µA	25.2 NC @ 10 V	±20V	1172 PF @ 50 V	-	37W（TC）
BC807W，115	0.2000	RFQ	6	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC807			200兆		SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																			45 v	500 MA			100NA（ICBO）			PNP	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	80MHz
JANSH2N2219AL	248.3916	RFQ	5020	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/251	大部分	积极的		-55°C 200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				800兆		TO-5AA	-			到达不受影响	150-JANSH2N2219AL			1																			50 V	800 MA			10NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
DMN10H220LQ-13	0.0672	RFQ	2853	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMN10		MOSFET （金属 o化物）			SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10,000		n通道					100 v	1.6a（ta）	4.5V，10V	220MOHM @ 1.6A，10V	2.5V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±16V	401 PF @ 25 V	-	1.3W（TA）
IPA60R099P6XKSA1	6.8500	RFQ	4147	Infineon技术	Coolmos™P6	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA60R099		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-fp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					600 v	37.9a（TC）	10V	99MOHM @ 14.5A，10V	4.5V @ 1.21MA	70 NC @ 10 V	±20V	3330 PF @ 100 V	-	34W（TC）
NTE159-10	14.8600	RFQ	2	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				625兆		到92	下载	Rohs不合规			2368-NTE159-10	Ear99	8541.21.0095	1																			80 V	800 MA			50NA（iCBO）			PNP	500mv @ 50mA，500mA	50 @ 10mA，10v	-
FCPF20N60ST	-	RFQ	1253	Fairchild半导体	SuperFet™	大部分	积极的		-	通过洞	TO-220-3完整包	FCPF20		MOSFET （金属 o化物）			TO-220F	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					600 v	20A（TC）		-	-				-	-
JANS2N222221AUB/TR	65.0804	RFQ	4082	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/255	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				500兆		UB	-			到达不受影响	150-JANS2N222221AUB/TR	Ear99	8541.21.0095	50																			50 V	800 MA			50NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10v	-
BC807-25HR	0.2800	RFQ	2	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TA）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC807			320兆W		TO-236AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																			45 v	500 MA			100NA（ICBO）			PNP	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	80MHz
IRF710STRLPBF	1.6700	RFQ	15	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF710		MOSFET （金属 o化物）			d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道					400 v	2A（TC）	10V	3.6OHM @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），36W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²