RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
RFP8P05	1.0000	RFQ	1742年	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	50		P通道						50 V	8A（TC）		300mohm @ 8a，10v	4V @ 250µA	80 NC @ 20 V			-
STW13N60M2	-	RFQ	1427	Stmicroelectronics	MDMESH™II Plus	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	stw13n			MOSFET （金属 o化物）			TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道						600 v	11A（TC）	10V	380MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±25V	580 pf @ 100 V	-	110W（TC）
BUK953R5-60E，127	-	RFQ	4741	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						60 V	120A（TC）	5V，10V	3.4mohm @ 25a，10v	2.1V @ 1mA	95 NC @ 5 V	±10V	13490 pf @ 25 V	-	293W（TC）
PMN45en，135	-	RFQ	2305	Nexperia USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457				MOSFET （金属 o化物）			6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10,000		n通道						30 V	5.2A（TC）	4.5V，10V	40mohm @ 3a，10v	2V @ 1mA	6.1 NC @ 4.5 V	20V	495 pf @ 25 V	-	1.75W（TC）
FQB7N30TM	0.7800	RFQ	10	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	800		n通道						300 v	7A（TC）	10V	700MOHM @ 3.5A，10V	5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	610 pf @ 25 V	-	3.13W（ta），85W（tc）
PMXB56EN147	-	RFQ	1146	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的												下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	5,000
IRFSL4310ZPBF	-	RFQ	2861	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001557618	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						100 v	120A（TC）	10V	6mohm @ 75a，10v	4V @ 150µA	170 NC @ 10 V	±20V	6860 pf @ 50 V	-	250W（TC）
SQJQ142E-T1_GE3	2.5200	RFQ	1641年	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®8X8	SQJQ142			MOSFET （金属 o化物）			PowerPak®8X8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SQJQ142E-T1_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道						40 V	460a（TC）	10V	1.24MOHM @ 20A，10V	3.5V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	6975 PF @ 25 V	-	500W（TC）
2SK544E-AC	0.0700	RFQ	19	Onmi	*	大部分	积极的												下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	1
RRS040P03FRATB	0.3489	RFQ	2760	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RRS040			MOSFET （金属 o化物）			8-sop	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道						30 V	4A（ta）	4V，10V	75MOHM @ 4A，10V	2.5V @ 1mA	5.2 NC @ 5 V	±20V	480 pf @ 10 V	-	2W（TA）
IXTH30N25L2	19.6670	RFQ	8977	ixys	线性l2™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth30			MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixth30n25l2	Ear99	8541.29.0095	30		n通道						250 v	30A（TC）	10V	140mohm @ 15a，10v	4.5V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	3200 PF @ 25 V	-	355W（TC）
FQA6N70	-	RFQ	6692	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FQA6			MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道						700 v	6.4A（TC）	10V	1.5OHM @ 3.2A，10V	5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±30V	1400 pf @ 25 V	-	152W（TC）
DMN4020LFDEQ-13	0.1279	RFQ	1808年	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-Powerudfn	DMN4020			MOSFET （金属 o化物）			U-DFN2020-6（e）	下载			到达不受影响	31-DMN4020LFDEQ-13TR	Ear99	8541.29.0095	10,000		n通道						40 V	8.6a（ta）	4.5V，10V	21mohm @ 8a，10v	2.4V @ 250µA	25.3 NC @ 10 V	±20V	1201 PF @ 20 V	-	850MW（TA）
BUK7275-100A，118	-	RFQ	4049	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					Buk72							-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500
PSMN3R0-30yl，115	1.3000	RFQ	4	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	PSMN3R0			MOSFET （金属 o化物）			LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道						30 V	100A（TC）	4.5V，10V	3mohm @ 15a，10v	2.15V @ 1mA	45.8 NC @ 10 V	±20V	2822 PF @ 12 V	-	81W（TC）
FDPF10N50UT	0.8600	RFQ	1	Fairchild半导体	Unifet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载					Ear99	8542.39.0001	351		n通道						500 v	8A（TC）	10V	1.05OHM @ 4A，10V	5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	1130 PF @ 25 V	-	42W（TC）
BLA6G1011L-200RG，1	300.7900	RFQ	20	Ampleon USA Inc.	-	大部分	在sic中停产	65 v		底盘安装	SOT-502D	BLA6G1011		1.03GHz〜1.09GHz	ldmos			最多	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20			49a		100 ma	200W	20dB											-										28 V
STL85N6F3	-	RFQ	4947	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL85			MOSFET （金属 o化物）			PowerFlat™（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						60 V	85A（TC）	10V	5.7MOHM @ 8.5A，10V	2V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	3400 PF @ 25 V	-	80W（TC）
CMS10P10D-HF	-	RFQ	3826	comchip技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	CMS10			MOSFET （金属 o化物）			D-pak（TO-252）	下载		（1 （无限）		641-CMS10P10D-HFTR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道						100 v	10A（TC）		210MOHM @ 5A，10V	3V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	1419 PF @ 25 V	-	2W（TA），54W（tc）
FQD7P20TM	1.2000	RFQ	3462	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD7P20			MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道						200 v	5.7A（TC）	10V	690MOHM @ 2.85a，10V	5V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±30V	770 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），55W（tc）
CSD18537NQ5A	0.9200	RFQ	21	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18537			MOSFET （金属 o化物）			8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						60 V	50A（TC）	6V，10V	13mohm @ 12a，10v	3.5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	1480 pf @ 30 V	-	3.2W（ta），75W（tc）
IPA50R299CPXKSA1	-	RFQ	6648	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA50R			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-31	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道						550 v	12A（TC）	10V	299MOHM @ 6.6a，10V	3.5V @ 440µA	31 NC @ 10 V	±20V	1190 pf @ 100 V	-	104W（TC）
FGPF7N60LSDTU	-	RFQ	4730	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FGPF7	标准			45 W		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50				300V，7A，470OHM，15V															65 ns	-	600 v	14 a	21 a	2V @ 15V，7a	270µJ（在）上，3.8MJ（3.8MJ）	24 NC	120NS/410NS
RCX100N25	2.2500	RFQ	466	Rohm半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	RCX100			MOSFET （金属 o化物）			TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道						250 v	10a（10a）	10V	-	-		±30V		-	40W（TC）
FS950R08A6P2BBPSA1	917.7000	RFQ	9	Infineon技术	HybridPack™	托盘	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	FS950R08				870 w	标准	Ag-Hybridd-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	三相逆变器																			沟渠场停止	750 v	950 a		1.35V @ 15V，450a					1 MA	是的	80 nf @ 50 V
TP5335K1-G-VAO	-	RFQ	5577	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TP5335			MOSFET （金属 o化物）			SOT-23-3	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-TP5335K1-G-VAOTR	Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道						350 v	85ma（tj）	4.5V，10V	30ohm @ 200mA，10v	2.4V @ 1mA		±20V	110 pf @ 25 V	-	360MW（TA）
RM120N30T2	0.3300	RFQ	1989	美国直发	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM120N30T2		8541.10.0080	5,000		n通道						30 V	120a（ta）	10V	3.5mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA		±20V	3550 pf @ 25 V	-	120W（ta）
FDZ661PZ	0.3200	RFQ	80	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA，WLCSP				MOSFET （金属 o化物）			4-WLCSP（0.8x0.8）	下载					Ear99	8542.39.0001	952		P通道						20 v	2.6a（ta）	1.5V，4.5V	140MOHM @ 2A，4.5V	1.2V @ 250µA	8.8 NC @ 4.5 V	±8V	555 pf @ 10 V	-	1.3W（TA）
NTK3043NT1H	0.0700	RFQ	132	Onmi	*	大部分	积极的												-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	4,000
RM45N600T7	2.9000	RFQ	7621	美国直发	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3				MOSFET （金属 o化物）			TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM45N600T7		8541.10.0080	1,800		n通道						600 v	44.5A（TJ）	10V	90MOHM @ 15.6A，10V	4V @ 250µA		±30V	2808 PF @ 100 V	-	431W

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²