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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
DMN4040SK3-13	0.1742	RFQ	9303	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DMN4040		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		40 V	6a（6a）	4.5V，10V	30mohm @ 12a，10v	3V @ 250µA	18.6 NC @ 10 V	±20V	945 PF @ 20 V	-	1.71W（TA）
IXFK30N110P	-	RFQ	3657	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK30		MOSFET （金属 o化物）		TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		1100 v	30A（TC）	10V	360mohm @ 15a，10v	6.5V @ 1mA	235 NC @ 10 V	±30V	13600 PF @ 25 V	-	960W（TC）
IPP65R310CFDAAKSA1	1.7962	RFQ	2079	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，CoolMos™	管子	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP65R310		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000879438	Ear99	8541.29.0095	500		n通道		650 v	11.4A（TC）	10V	310MOHM @ 4.4A，10V	4.5V @ 440µA	41 NC @ 10 V	±20V	1110 PF @ 100 V	-	104.2W（TC）
IPB0401NM5SATMA1	4.8800	RFQ	1	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-			IPB0401		-			-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		-			-	-	-	-		-		-	-
ISL9V5045S3S	-	RFQ	3700	Onmi	Ecospark®	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ISL9	逻辑		300 w	d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400			300V，1KOHM，5V												-	480 v	51 a		1.6V @ 4V，10a	-	32 NC	- /10.8µs
STF33N60DM6	5.3300	RFQ	632	Stmicroelectronics	MDMESH™M6	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF33		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	25A（TC）	10V	128MOHM @ 12.5A，10V	4.75V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±25V	1500 pf @ 100 V	-	35W（TC）
AUIRFS6535TRL	-	RFQ	7651	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		300 v	19a（tc）	10V	185mohm @ 11a，10v	5V @ 150µA	57 NC @ 10 V	±20V	2340 pf @ 25 V	-	210W（TC）
IRFC4468ED	-	RFQ	2092	Infineon技术	-	大部分	过时的									下载		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1					-
2SK4171	-	RFQ	3001	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	2SK4171		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	869-1048	Ear99	8541.29.0095	100		n通道		60 V	100A（TA）	4V，10V	7.2mohm @ 50a，10v	-	135 NC @ 10 V	±20V	6900 PF @ 20 V	-	1.75W（ta），75W（（（（（（（（（（
TLC530FTU	-	RFQ	1117	Onmi	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-220-3	TLC530		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		330 v	7a（ta）		-	-				-	-
SI5905BDC-T1-GE3	-	RFQ	2661	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5905		MOSFET （金属 o化物）	3.1W	1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）			8V	4a		80mohm @ 3.3a，4.5V	1V @ 250µA	11NC @ 8V		350pf @ 4V	逻辑级别门
IRL3716STRRPBF	-	RFQ	9143	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		20 v	180a（TC）	4.5V，10V	4MOHM @ 90A，10V	3V @ 250µA	79 NC @ 4.5 V	±20V	5090 pf @ 10 V	-	210W（TC）
PCFG60N65SMW	-	RFQ	3050	Onmi	-	大部分	过时的				PCFG60					-				488-PCFG60N65SMW	过时的		1
IPB019N08N5ATMA1	7.1200	RFQ	960	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	IPB019		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		80 V	180a（TC）	6V，10V	1.95MOHM @ 100A，10V	3.8V @ 154µA	123 NC @ 10 V	±20V	8970 pf @ 40 V	-	224W（TC）
FQB2N50TM	-	RFQ	1714年	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB2		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		500 v	2.1A（TC）	10V	5.3OHM @ 1.05a，10V	5V @ 250µA	8 nc @ 10 V	±30V	230 pf @ 25 V	-	3.13W（ta），55W（tc）
IXGT28N60BD1	-	RFQ	3512	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXGT28	标准		150 w	TO-268AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，28a，10ohm，15V											25 ns	-	600 v	40 a	80 a	2V @ 15V，28a	2MJ（（）	68 NC	15NS/175NS
FDZ203N	-	RFQ	6069	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-WFBGA	FDZ20		MOSFET （金属 o化物）		9-BGA （2x2.1）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		20 v	7.5A（ta）	2.5V，4.5V	18mohm @ 7.5a，4.5V	1.5V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±12V	1127 PF @ 10 V	-	1.6W（TA）
RSS070N05FW4TB1	-	RFQ	5107	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的									-	rohs3符合条件	（1 （无限）		846-RSS070N05FW4TB1TR	过时的		2,500					-
DMN6040SK3-13-52	0.3480	RFQ	3753	二极管合并	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DMN6040		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载				31-DMN6040SK3-13-52	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		60 V	20A（TC）	4.5V，10V	40mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	22.4 NC @ 10 V	±20V	1287 PF @ 25 V	-	42W（TC）
4AK17-91	22.2500	RFQ	29	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
IPD75N04S4-06	-	RFQ	2145	Infineon技术	Optimos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		PG-TO252-3-313	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		40 V	75A（TC）	10V	5.9MOHM @ 75A，10V	4V @ 26µA	32 NC @ 10 V	±20V	2550 pf @ 25 V	-	58W（TC）
MSCSM70TLM07CAG	741.9300	RFQ	4	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	MSCSM70		（SIC）	966W（TC）	SP6C	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCSM70TLM07CAG	Ear99	8541.29.0095	1	（4 n 通道（三级逆变器）			700V	349A（TC）		6.4MOHM @ 120A，20V	2.4V @ 12mA	645nc @ 20V		13500pf @ 700V	-
RM80N30DF	0.1600	RFQ	3287	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM80N30DFTR		8541.10.0080	40,000		n通道		30 V	81A（TC）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 30a，10V	2.5V @ 250µA		±20V	2295 pf @ 15 V	-	59W（TC）
DMTH6010SK3-13	1.1100	RFQ	6106	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DMTH6010		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		60 V	16.3a（ta），70A（tc）	10V	8mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	36.3 NC @ 10 V	±20V	1940 pf @ 30 V	-	3.1W（TA）
RSM002N06T2L	0.4300	RFQ	25	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-723	RSM002		MOSFET （金属 o化物）		VMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000		n通道		60 V	250mA（ta）	2.5V，10V	2.4OHM @ 250mA，10V	2.3V @ 1mA		±20V	15 pf @ 25 V	-	150MW（TA）
IRFF9231	4.3400	RFQ	3	国际整流器	-	大部分	积极的	-	通过洞	to-205af金属罐			MOSFET （金属 o化物）		to-205af（39）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		150 v	4A（TC）		-	-		-		-	25W
IPB180N06S4H1ATMA2	4.3600	RFQ	6	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	IPB180		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		60 V	180a（TC）	10V	1.7MOHM @ 100A，10V	4V @ 200µA	270 NC @ 10 V	±20V	21900 PF @ 25 V	-	250W（TC）
IRFS7530-7PPBF	-	RFQ	5750	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（7铅）	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		60 V	240a（TC）		1.4MOHM @ 100A，10V	3.7V @ 250µA	354 NC @ 10 V	±20V	12960 pf @ 25 V	-	375W（TC）
IPD06P005NATMA1	-	RFQ	7630	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD06P		MOSFET （金属 o化物）		pg-to252-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001727872	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道		60 V	6.5A（TC）	10V	250mohm @ 6.5a，10v	4V @ 270µA	10.6 NC @ 10 V	±20V	420 pf @ 30 V	-	28W（TC）
DMC3061SVT-7	-	RFQ	7486	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	DMC3061		MOSFET （金属 o化物）	880MW	TSOT-23-6	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	DMC3061SVT-7DI	Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道互补			30V	3.4a（ta），2.7a（2.7a）（ta）		60mohm @ 3.1a，10v，95mohm @ 2.7a，10v	1.8V @ 250µA，2.2V @ 250µA	6.6nc @ 10V，6.8NC @ 10V		278pf @ 15V，287pf @ 15V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²