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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
FDMS2506SDC	-	RFQ	4733	Onmi	Dual Cool™，PowerTrench®，SyncFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS25			MOSFET （金属 o化物）			8-pqfn（5x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						25 v	39A（ta），49a（tc）	4.5V，10V	1.45MOHM @ 30a，10V	3V @ 1mA	93 NC @ 10 V	±20V	5945 pf @ 13 V	-	3.3W（TA），89w（tc）
DMP31D7LDW-7	0.0706	RFQ	6056	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	DMP31			MOSFET （金属 o化物）			SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	dmp31d7ldw-7di	Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）								550mA（ta）		900MOHM @ 420mA，10V	2.6V @ 250µA				-
FCP099N60E	-	RFQ	4506	Fairchild半导体	SuperFet®II	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道						600 v	37A（TC）	10V	99mohm @ 18.5a，10v	3.5V @ 250µA	114 NC @ 10 V	±20V	3465 PF @ 380 V	-	357W（TC）
PHP18NQ10T，127	0.6000	RFQ	4	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PHP18							下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000
IPB110N06L g	-	RFQ	3984	Infineon技术	-	（CT）	过时的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB110N			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						60 V	78A（TC）		11mohm @ 78a，10v	2V @ 94µA	79 NC @ 10 V		2700 pf @ 30 V	-
IPD50R500CEAUMA1	1.0100	RFQ	26	Infineon技术	CoolMos™CE	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD50R500			MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						500 v	7.6A（TC）	13V	500mohm @ 2.3a，13v	3.5V @ 200µA	18.7 NC @ 10 V	±20V	433 pf @ 100 V	-	57W（TC）
PSMN004-55W，127	-	RFQ	8607	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	PSMN0			MOSFET （金属 o化物）			TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道						55 v	100A（TC）	4.5V，10V	4.2MOHM @ 25A，10V	2V @ 1mA	226 NC @ 5 V	±15V	13000 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXGQ90N27PB	-	RFQ	9153	ixys	Polar™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXGQ90	标准			150 w		to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				-															-	270 v	90 a		2.1V @ 15V，50a	-	79 NC	-
PSMN7R0-100ES，127	-	RFQ	5074	Nexperia USA Inc.	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）			i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						100 v	100A（TC）	10V	6.8mohm @ 15a，10v	4V @ 1mA	125 NC @ 10 V	±20V	6686 pf @ 50 V	-	269W（TC）
WS1A2639-V1-R1	41.0060	RFQ	7616	Wolfspeed，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125 v		表面安装	20-tflga裸露的垫子	WS1A2639		2.496GHZ〜2.69GHz	-			20-LGA （6x6）	-				1697-WS1A2639-V1-R1TR			100	-		-		50 mA	8W	16.9db											-									48 v
PSMN3R4-30PL，127	1.9500	RFQ	8	Nexperia USA Inc.	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PSMN3R4			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						30 V	100A（TC）	4.5V，10V	3.4mohm @ 10a，10v	2.15V @ 1mA	64 NC @ 10 V	±20V	3907 PF @ 12 V	-	114W（TC）
STL18N60M2	1.2230	RFQ	1348	Stmicroelectronics	MDMESH™II Plus	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL18			MOSFET （金属 o化物）			PowerFlat™（5x6）HV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						600 v	9A（TC）	10V	308MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	21.5 NC @ 10 V	±25V	791 PF @ 100 V	-	57W（TC）
IRL3803VPBF	1.0000	RFQ	5678	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道						30 V	140a（TC）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 71A，10V	1V @ 250µA	76 NC @ 4.5 V	±16V	3720 PF @ 25 V	-	200W（TC）
MSC035SMA070B	15.0500	RFQ	5081	微芯片技术	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	MSC035			sicfet （碳化硅）			TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道						700 v	77A（TC）	20V	44mohm @ 30a，20v	2.7V @ 2mA	99 NC @ 20 V	+25V，-10V	2010 PF @ 700 V	-	283W（TC）
DMP3017SFG-13	-	RFQ	9396	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMP3017			MOSFET （金属 o化物）			PowerDI3333-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	DMP3017SFG-13DITR	Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道						30 V	11.5A（TA）	4.5V，10V	10mohm @ 11.5a，10v	3V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±25V	2246 pf @ 15 V	-	940MW（TA）
IRFS7787pbf	-	RFQ	9853	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道						75 v	76A（TC）		8.4mohm @ 46A，10V	3.7V @ 100µA	109 NC @ 10 V	±20V	4020 PF @ 25 V	-	125W（TC）
DMTH45M5SFVW-7	0.2842	RFQ	8192	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-Powervdfn				MOSFET （金属 o化物）			PowerDi3333-8（SWP）类型ux	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		31-DMTH45M5SFVW-7TR	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道						40 V	18A（18A），71A（71A）（TC）	10V	5.5MOHM @ 25A，10V	3.5V @ 250µA	13.2 NC @ 10 V	±20V	1083 PF @ 20 V	-	3.5W（TA），51W（TC）
PSMN1R9-40PLQ	3.7900	RFQ	4	Nexperia USA Inc.	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PSMN1R9			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						40 V	150a（TC）	4.5V，10V	1.7MOHM @ 25A，10V	2.1V @ 1mA	120 NC @ 5 V	±20V	13200 PF @ 25 V	-	349W（TC）
PMPB55NEA，115	-	RFQ	6316	Nexperia USA Inc.	*	大部分	积极的												下载						0000.00.0000	1
SIS436DN-T1-GE3	-	RFQ	1531年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS436			MOSFET （金属 o化物）			PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						25 v	16A（TC）	4.5V，10V	10.5mohm @ 10a，10v	2.3V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	855 pf @ 10 V	-	3.5W（TA），27.7W（tc）
FF300R17ME4B11BOSA1	-	RFQ	7269	Infineon技术	EconoDual™3	大部分	在sic中停产		-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FF300R17				1800 w	标准	模块	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	2独立																		沟渠场停止	1700 v	375 a		2.3V @ 15V，300A					3 ma	是的	24.5 nf @ 25 V
IXGH40N120A2	11.4189	RFQ	1003	ixys	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH40	标准			360 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				960V，40a，2ohm，15V															pt	1200 v	75 a	160 a	2V @ 15V，40a	（15mj））	136 NC	22NS/420NS
NTHL020N120SC1	42.6300	RFQ	4884	Onmi	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	NTHL020			sicfet （碳化硅）			TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NTHL020N120SC1	Ear99	8541.29.0095	30		n通道						1200 v	103A（TC）	20V	28mohm @ 60a，20v	4.3V @ 20mA	203 NC @ 20 V	+25V，-15V	2890 pf @ 800 V	-	535W（TC）
TK9P65W，RQ	0.8760	RFQ	2610	东芝半导体和存储	dtmosiv	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK9P65			MOSFET （金属 o化物）			DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道						650 v	9.3a（ta）	10V	560MOHM @ 4.6A，10V	3.5V @ 350µA	20 nc @ 10 V	±30V	700 pf @ 300 V	-	80W（TC）
IRFHM8329TRPBF	-	RFQ	9501	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN				MOSFET （金属 o化物）			PQFN（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道						30 V	16a（16A），57A （TC）	4.5V，10V	6.1MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 25µA	26 NC @ 10 V	±20V	1710 PF @ 10 V	-	2.6W（TA），33W（tc）
APT34F60B	13.3600	RFQ	9	微芯片技术	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT34F60			MOSFET （金属 o化物）			TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道						600 v	36a（TC）	10V	210mohm @ 17a，10v	5V @ 1mA	165 NC @ 10 V	±30V	6640 pf @ 25 V	-	624W（TC）
2SK3402-ZK-E1-AY	1.3800	RFQ	17	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）			TO-252（MP-3Z）	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-2SK3402-ZK-E1-AY	Ear99	8541.29.0075	1		n通道						60 V	36a（TC）	4V，10V	15mohm @ 18a，10v	2.5V @ 1mA	61 NC @ 10 V	±20V	3200 PF @ 10 V	-	1W（ta），40W（40W）TC）
AON6452	0.6350	RFQ	8431	Alpha＆欧米茄半导体公司	SDMOS™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，平面线	AON645			MOSFET （金属 o化物）			8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						100 v	6.5A（TA），26a （TC）	7V，10V	25mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±25V	2200 PF @ 50 V	-	2W（TA），35W（tc）（TC）
IRL5602STRLPBF	-	RFQ	7219	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001573916	Ear99	8541.29.0095	800		P通道						20 v	24A（TC）	2.5V，4.5V	42mohm @ 12a，4.5V	1V @ 250µA	44 NC @ 4.5 V	±8V	1460 pf @ 15 V	-	75W（TC）
IXFT58N20	-	RFQ	6264	ixys	Hiperfet™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXFT58			MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道						200 v	58A（TC）	10V	40mohm @ 29a，10v	4V @ 4mA	220 NC @ 10 V	±20V	4400 PF @ 25 V	-	300W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²