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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IPP60R750E6	0.5100	RFQ	1	Infineon技术	Coolmos E6™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					600 v	5.7A（TC）	10V	750MOHM @ 2A，10V	3.5V @ 170µA	17.2 NC @ 10 V	±20V	373 pf @ 100 V	-	48W（TC）
DMN2040U-7	0.3900	RFQ	2	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMN2040			MOSFET （金属 o化物）			SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					20 v	6a（6a）	2.5V，4.5V	25mohm @ 8.2a，4.5V	1.2V @ 250µA	7.5 NC @ 4.5 V	±12V	667 pf @ 10 V	-	800MW（TA）
STK28N3LLH5	-	RFQ	7140	Stmicroelectronics	StripFet™v	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	Polarpak®	STK28			MOSFET （金属 o化物）			Polarpak®	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					30 V	28a（TC）	4.5V，10V	4.5mohm @ 14a，10v	2.5V @ 250µA	19 nc @ 4.5 V	±22V	2300 PF @ 25 V	-	5.2W（TC）
AON3611	0.6000	RFQ	50	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	AON361			MOSFET （金属 o化物）	2.1W，2.5W		8-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道，普通排水						30V	5a，6a		50mohm @ 5a，10v	2.5V @ 250µA	10NC @ 10V		170pf @ 15V	逻辑级别门
IPP180N10N3GXKSA1	2.0700	RFQ	500	Infineon技术	Optimos™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP180			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					100 v	43A（TC）	6V，10V	18mohm @ 33a，10v	3.5V @ 33µA	25 NC @ 10 V	±20V	1800 PF @ 50 V	-	71W（TC）
R8005anjfrgtl	3.2100	RFQ	1	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	R8005			MOSFET （金属 o化物）			LPT	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					800 v	5A（TC）	10V	2.1OHM @ 2.5a，10v	5V @ 1mA	20 nc @ 10 V	±30V	500 pf @ 25 V	-	120W（TC）
CMS09N10D-HF	-	RFQ	5221	comchip技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）			D-pak（TO-252）	下载		（1 （无限）		641-CMS09N10D-HFTR	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					100 v	9.6A（TC）	10V	140MOHM @ 6A，10V	2.5V @ 250µA	15.5 NC @ 10 V	±20V	690 pf @ 25 V	-	30W（TC）
PJD100P03_L2_00001	1.0500	RFQ	3242	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	PJD100			MOSFET （金属 o化物）			TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJD100P03_L2_00001DKR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道					30 V	15.8A（TA），100A （TC）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	107 NC @ 10 V	±20V	6067 PF @ 25 V	-	2W（TA），104w（tc）
FS150R12KT4B11BOSA1	289.0000	RFQ	9	Infineon技术	Econopack™3	托盘	积极的		-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FS150R12				750 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器																	沟渠场停止	1200 v	150 a		2.1V @ 15V，150a				1 MA	是的	9.35 NF @ 25 V
NXH010P90MNF1PG	-	RFQ	3288	Onmi	-	托盘	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	NXH010			（SIC）	328W（TJ）		-	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NXH010P90MNF1PG	Ear99	8541.29.0095	28	2 n 通道（双）公共来源						900V	154a（TC）		14mohm @ 100a，15v	4.3V @ 40mA	546.4NC @ 15V		7007pf @ 450V	-
ECH8411-TL-E	-	RFQ	4188	Sanyo	-	大部分	过时的		150°C	表面安装	8-SMD，平坦的铅				MOSFET （金属 o化物）			8-ech	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-ECH8411-TL-E-600057			1		n通道					20 v	9a（9a）	1.8V，4V	16mohm @ 4A，4V	1.3V @ 1mA	21 NC @ 10 V	±12V	1740 pf @ 10 V	-	1.4W（TA）
IRF7739L1TRPBF	5.3200	RFQ	5370	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距l8	IRF7739			MOSFET （金属 o化物）			DirectFet™等距l8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道					40 V	46A（ta），270a （TC）	10V	1MOHM @ 160a，10V	4V @ 250µA	330 NC @ 10 V	±20V	11880 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），125W（tc）
IPI126N10N3GXKSA1	0.6900	RFQ	10	Infineon技术	Optimos™3	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					100 v	58A（TC）	6V，10V	12.6mohm @ 46A，10V	3.5V @ 46µA	35 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 50 V	-	94W（TC）
NX138AKMYL	0.2800	RFQ	36	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883				MOSFET （金属 o化物）			SOT-883	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10,000		n通道					60 V	270mA（ta）	2.5V，10V	4.2OHM @ 190mA，10v	1.5V @ 250µA	0.6 NC @ 10 V	±20V	15 pf @ 30 V	-	340MW（TA），2.3W（（tc）
BSO203SP	0.3600	RFQ	5	Infineon技术	Optimos®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）			PG-DSO-8	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		P通道					20 v	7a（ta）	2.5V，4.5V	21mohm @ 8.9a，4.5V	1.2V @ 50µA	39 NC @ 4.5 V	±12V	3750 pf @ 15 V	-	1.6W（TA）
IPA60R125CP	-	RFQ	1680年	Infineon技术	coolmos®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-31	下载						0000.00.0000	1		n通道					600 v	25A（TC）	10V	125mohm @ 16a，10v	3.5V @ 1.1mA	70 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 100 V	-	35W（TC）
IRFI9Z24GPBF	2.6600	RFQ	1536年	Vishay Siliconix	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI9			MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFI9Z24GPBF	Ear99	8541.29.0095	50		P通道					60 V	8.5A（TC）	10V	280MOHM @ 5.1A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	570 pf @ 25 V	-	37W（TC）
RW1A030APT2CR	-	RFQ	3626	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	RW1A030			MOSFET （金属 o化物）			6-Wemt	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000		P通道					12 v	3A（3A）	1.5V，4.5V	42MOHM @ 3A，4.5V	1V @ 1mA	22 NC @ 4.5 V	-8V	2700 PF @ 6 V	-	700MW（TA）
RM2003	0.0620	RFQ	9948	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	RM200			MOSFET （金属 o化物）	800MW（TA）		SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM2003Tr		8541.10.0080	30,000	n和p通道						20V	3A（3A）		35mohm @ 3A，4.5V，75MOHM @ 2.5A，4.5V	1.2V @ 250µA，1V @ 250µA	5NC @ 4.5V，3.2NC @ 4.5V		260pf @ 10V，325pf @ 10V	-
GN2470K4-G	1.3300	RFQ	5357	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	GN2470	标准			2.5 w		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			-															-	700 v	1 a	3.5 a	5V @ 13V，3A	-	8NS/20NS
SIHB30N60E-GE3	6.0700	RFQ	879	Vishay Siliconix	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB30			MOSFET （金属 o化物）			d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		SIHB30N60EGE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					600 v	29A（TC）	10V	125mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±30V	2600 PF @ 100 V	-	250W（TC）
BLF8G10LS-160V，112	66.3900	RFQ	5	NXP USA Inc.	-	管子	积极的	65 v		法兰安装	SOT-502B	BLF8		920MHz〜960MHz	ldmos			SOT502B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1				1.1 a	35W	19.7db											-								30 V
SPB04N60S5ATMA1	-	RFQ	5997	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SPB04N			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					600 v	4.5A（TC）	10V	950MOHM @ 2.8A，10V	5.5V @ 200µA	22.9 NC @ 10 V	±20V	580 pf @ 25 V	-	50W（TC）
AUIRFB3806-IR	-	RFQ	6895	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	2156-AUIRFB3806-IR	Ear99	0000.00.0000	1		n通道					60 V	43A（TC）		15.8mohm @ 43a，10v	-		-		-	71W（TC）
E3M0045065K	12.2872	RFQ	5692	Wolfspeed，Inc。	汽车，AEC-Q101，e	管子	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4				SIC （硅碳化物交界晶体管）			TO-247-4L	-				1697-E3M0045065K			30		n通道					650 v	46A（TC）	15V	60mohm @ 17.6a，15v	3.6V @ 4.84mA	64 NC @ 15 V	+19V，-8V	122 PF @ 400 V		150W（TC）
IXTX400N15X4	44.1200	RFQ	1	ixys	Ultra X4	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	ixtx400			MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					150 v	400A（TC）	10V	3.1MOHM @ 100A，10V	4.5V @ 1mA	430 NC @ 10 V	±20V	14500 PF @ 25 V	-	1500W（TC）
IRF8852TRPBF	-	RFQ	5013	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	IRF8852			MOSFET （金属 o化物）	1W		8-tssop	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2 n 通道（双）						25V	7.8a		11.3MOHM @ 7.8A，10V	2.35V @ 25µA	9.5NC @ 4.5V		1151pf @ 20V	逻辑级别门
MRF7S24250N-3STG	-	RFQ	2591	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的					MRF7S24250							-	rohs3符合条件		到达不受影响	935345449598		0000.00.0000	1
SQJ146ELP-T1_GE3	0.9400	RFQ	2030	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ146			MOSFET （金属 o化物）			PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）		742-SQJ146ELP-T1_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					40 V	74A（TC）	4.5V，10V	5.8mohm @ 15a，10v	2.2V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	1780 pf @ 25 V	-	75W（TC）
SQJ444EP-T1_BE3	1.3300	RFQ	9631	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8				MOSFET （金属 o化物）			PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）		742-SQJ44444EP-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					40 V	60a（TC）	4.5V，10V	3.2MOHM @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	5000 pf @ 25 V	-	68W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²