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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
SQ3427AEEV-T1_BE3	0.7800	RFQ	812	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SQ3427		MOSFET （金属 o化物）			6-TSOP	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		60 V	5.3A（TC）	4.5V，10V	95MOHM @ 4.5A，10V	2.5V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	1000 pf @ 30 V	-	5W（TC）
APT150GN60LDQ4G	28.3800	RFQ	6569	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT150	标准		536 w		TO-264 [L]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			400V，150a，1ohm，15V											沟渠场停止	600 v	220 a	450 a	1.85V @ 15V，150a	8.81mj（在）上，4.295mj（OFF）	970 NC	44NS/430NS
2SK1401A-E	4.2800	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
HUF75343S3	1.0000	RFQ	540	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	400		n通道		55 v	75A（TC）	10V	9mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	205 NC @ 20 V	±20V	3000 pf @ 25 V	-	270W（TC）
2SK1421	1.8600	RFQ	2	Onmi	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
BUK662R7-55C	-	RFQ	6957	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										-						0000.00.0000	1
PSMN005-55P，127	-	RFQ	7457	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PSMN0		MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		55 v	75A（TC）	4.5V，10V	5.8mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	103 NC @ 5 V	±15V	6500 PF @ 25 V	-	230W（TC）
IXTA30N65X2	8.9736	RFQ	4909	ixys	Ultra X2	管子	积极的	-	-	-	ixta30		-			-	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta30n65x2	Ear99	8541.29.0095	50		-			-	-	-	-		-		-	-
FW217-NMM-TL-E	0.5500	RFQ	104	Onmi	*	大部分	积极的				FW217		-				-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1,000												-
NTB75N03-006	-	RFQ	2514	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NTB75		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		30 V	75A（TC）	10V	6.5MOHM @ 37.5A，10V	2V @ 250µA	75 NC @ 5 V	±20V	5635 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），125W（tc）
IXGP42N30C3	-	RFQ	8492	ixys	Genx3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXGP42	标准		223 w		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			200V，21a，10ohm，15V											pt	300 v		250 a	1.85V @ 15V，42a	（120µJ）（在150µJ上）	76 NC	21NS/113NS
MCS8804-TP	-	RFQ	6309	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	MCS8804		MOSFET （金属 o化物）	-		8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		353-MCS8804-TPTR	Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）			20V	8a		13mohm @ 8a，10v	1V @ 250µA	17.9nc @ 4.5V		1800pf @ 10V	-
AONS36316	0.6800	RFQ	9501	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，平面线	AONS363		MOSFET （金属 o化物）			8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		30 V	28a（28a），32A（tc）	4.5V，10V	4.1MOHM @ 20A，10V	1.9V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±12V	2005 PF @ 15 V	-	（5W）（26W）（26W）TC）
FSS133-TL-E	0.7700	RFQ	17	Sanyo	*	大部分	积极的				FSS133		-				-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1,000												-
SGF80N60UFTU	-	RFQ	3701	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	SGF80N60	标准		110 w		to-3pf	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	360			300V，40a，5ohm，15V											-	600 v	80 a	220 a	2.6V @ 15V，40a	（570µJ）（在590µJ上）	175 NC	23ns/90ns
CM150DY-28H	-	RFQ	7391	Powerex Inc.	IGBTMOD™	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块				1100 w	标准	模块	-	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1	半桥													-	1400 v	150 a		4.2V @ 15V，150a				1 MA	不	30 NF @ 10 V
FDD5N50UTF_WS	-	RFQ	3815	Onmi	FRFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD5		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		500 v	3A（TC）	10V	2ohm @ 1.5A，10V	5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±30V	650 pf @ 25 V	-	40W（TC）
PSMN015-110P，127	-	RFQ	5936	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的				PSMN0						下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000
AUIRF9540N	1.0400	RFQ	5	国际整流器	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		P通道		100 v	23A（TC）	10V	117mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	97 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	140W（TC）
FQD20N06TM	-	RFQ	4146	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			TO-252，（-d-pak）	下载						0000.00.0000	1		n通道		60 V	16.8A（TC）	10V	63mohm @ 8.4a，10v	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±25V	590 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），38W（tc）
NTMFS4982NFT3G	-	RFQ	6077	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4982		MOSFET （金属 o化物）			5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		30 V	26.5A（TA），207a （TC）	4.5V，10V	1.3MOHM @ 25A，10V	2.2V @ 1mA	84 NC @ 10 V	±20V	6000 pf @ 15 V	-	1.5W（TA）
IXFP36N20X3	4.6800	RFQ	387	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixfp36		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		200 v	36a（TC）	10V	45mohm @ 18a，10v	4.5V @ 500µA	21 NC @ 10 V	±20V	1425 PF @ 25 V	-	176W（TC）
SPD06N80C3ATMA1	2.2400	RFQ	7251	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SPD06N80		MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		800 v	6a（6a）	10V	900MOHM @ 3.8A，10V	3.9V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	785 pf @ 100 V	-	83W（TC）
YJQ40G10A	0.2650	RFQ	500	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的										-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-YJQ40G10ATR	Ear99		5,000
EPC2302	8.7500	RFQ	53	EPC	Egan®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	7-PowerWQFN			ganfet（n化岩）			7-qfn （3x5）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0040	3,000		n通道		100 v	101a（ta）	5V	1.8mohm @ 50a，5v	2.5V @ 14mA	23 NC @ 5 V	+6V，-4V	3200 PF @ 50 V	-	-
FDA24N50F	4.4800	RFQ	7220	Onmi	Unifet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FDA24		MOSFET （金属 o化物）			to-3pn	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2156-FDA24N50F	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	24A（TC）	10V	200mohm @ 12a，10v	5V @ 250µA	85 NC @ 10 V	±30V	4310 PF @ 25 V	-	270W（TC）
ECH8601M-TL-H	-	RFQ	3871	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	ECH8601		MOSFET （金属 o化物）			8-ech	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）公共排水			24V	8a（8a）		23mohm @ 4A，4.5V	1.3V @ 1mA	7.5NC @ 4.5V		-	逻辑水平门，2.5V
IRFS7730pbf	-	RFQ	4097	国际整流器	hexfet®，strongirfet™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			d²pak（to-263ab）	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		75 v	195a（TC）	6V，10V	2.6MOHM @ 100A，10V	3.7V @ 250µA	407 NC @ 10 V	±20V	13660 pf @ 25 V	-	375W（TC）
IXTP140N12T2	6.5700	RFQ	42	ixys	TRENCHT2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXTP140		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		120 v	140a（TC）	10V	10mohm @ 70a，10v	4.5V @ 250µA	174 NC @ 10 V	±20V	9700 PF @ 25 V	-	577W（TC）
2N7002VC-7	0.4000	RFQ	33	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	2N7002		MOSFET （金属 o化物）	150MW		SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）			60V	280mA		7.5OHM @ 50mA，5V	2.5V @ 250µA	-		50pf @ 25V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²