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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
ST50V10100	75.9300	RFQ	8771	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的	110 v			底盘安装	M243	ST50	-	ldmos		M243	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-ST50V10100			50	-		18a		100W	18db											-
STB20NM50T4	5.6600	RFQ	4115	Stmicroelectronics	MDMESH™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB20		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					550 v	20A（TC）	10V	250mohm @ 10a，10v	5V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±30V	1480 pf @ 25 V	-	192W（TC）
PTRA097058NB-V1-R2	119.8668	RFQ	8752	Wolfspeed，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	105 v			表面安装	HB2SOF-6-1	PTRA097058	730MHz〜960MHz	LDMO （双）		PG-HB2SOF-6-1	下载				1697-PTRA097058NB-V1-R2TR			250	-		10µA	450 MA	800W	18.4db											-			48 v
FL6L52060L	-	RFQ	4774	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		125°C（TJ）		表面安装	6-SMD，平坦的铅			MOSFET （金属 o化物）		WSSMINI6-F1	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	10,000		P通道					20 v	2A（TA）	1.8 V，4V	120MOHM @ 1A，4V	1.1V @ 1mA		±10V	300 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	540MW（TA）
AO5404EL	-	RFQ	4174	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	SC-89，SOT-490	AO5404		MOSFET （金属 o化物）		SC-89-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					20 v	500mA（ta）	1.8V，4.5V	550MOHM @ 500mA，4.5V	1V @ 250µA	1 NC @ 4.5 V	±8V	45 pf @ 10 V	-	280MW（TA）
SISA10BDN-T1-GE3	0.9100	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	PowerPak®1212-8			MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					30 V	26a（26a），104a（tc（TC）	4.5V，10V	3.6mohm @ 10a，10v	2.4V @ 250µA	36.2 NC @ 10 V	+20V，-16V	1710 PF @ 15 V	-	3.8W（63W（ta）（TC）
MMDT3904-TPQ2	0.0834	RFQ	9987	微商业公司	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	MMDT3904			200MW	SOT-363	下载				353-MMDT3904-TPQ2	Ear99	8541.21.0075	1																		40V	200mA		50NA	2 NPN （双）	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
BG3123H6327XTSA1	-	RFQ	7714	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	8 V			表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BG3123	800MHz	MOSFET		PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		25mA，20mA	14 ma	-	25DB											1.8dB			5 v
DMG1026UV-7	0.4000	RFQ	156	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	SOT-563，SOT-666	DMG1026		MOSFET （金属 o化物）	580MW	SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）						60V	410mA		1.8Ohm @ 500mA，10v	1.8V @ 250µA	0.45NC @ 10V		32pf @ 25V	逻辑级别门
2SK544D-AC	0.0700	RFQ	50	Onmi	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	1
2N3498U4/tr	135.3150	RFQ	4480	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		表面安装	3-SMD，没有铅				1 w	U4	-			到达不受影响	150-2N3498U4/tr	Ear99	8541.29.0095	100																		100 v	500 MA		50NA（iCBO）	NPN	600mv @ 30mA，300mA	40 @ 150mA，10v	-
FDS86140	2.9500	RFQ	260	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS86		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					100 v	11.2a（ta）	6V，10V	9.8mohm @ 11.2a，10v	4V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	2580 pf @ 50 V	-	2.5W（ta），5W（（（（（（（）
A2N7002HL-HF	0.0538	RFQ	1323	comchip技术	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	SC-101，SOT-883	A2N7002		MOSFET （金属 o化物）		DFN1006-3	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		641-A2N7002HL-HFTR	Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道					60 V	300mA（TA）		2.5ohm @ 500mA，10v	2.5V @ 250µA		±20V	41 pf @ 20 V	-	150MW（TA）
IFS75S12N3T4_B11	96.4800	RFQ	220	Infineon技术	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
Stu6n60dm2	0.6333	RFQ	9711	Stmicroelectronics	MDMESH™DM2	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	Stu6n60		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					600 v	5A（TC）	10V	1.1OHM @ 2.5A，10V	4.75V @ 250µA	6.2 NC @ 10 V	±25V	274 PF @ 100 V	-	60W（TC）
SIR820DP-T1-GE3	0.6350	RFQ	3781	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	PowerPak®SO-8	Sir820		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					30 V	40a（TC）	4.5V，10V	3mohm @ 15a，10v	2.4V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	3512 PF @ 15 V	-	37.8W（TC）
94-4762	-	RFQ	5124	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR4105		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道					55 v	27a（TC）	10V	45mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 25 V	-	68W（TC）
MRF6S9160HR5	-	RFQ	9536	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v			底盘安装	SOT-957A	MRF6	880MHz	ldmos		NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			-	1.2 a	35W	20.9db											-			28 V
BUK9520-100A，127	0.6100	RFQ	2	NXP USA Inc.	*	管子	积极的						Buk95					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000
rjl6018dpk-00 t0	-	RFQ	5215	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的		150°C（TJ）		通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	RJL6018		MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					600 v	27a（27A）	10V	265mohm @ 13.5A，10V	-	98 NC @ 10 V	±30V	3830 pf @ 25 V	-	200W（TC）
NTMFS4847NT1G	-	RFQ	1490	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					30 V	11.5A（ta），85a tc）	4.5V，11.5V	4.1MOHM @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	28 NC @ 4.5 V	±16V	2614 pf @ 12 V	-	880MW（TA），48.4W（tc）
FDS4435	-	RFQ	6045	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS44		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道					30 V	8.8a（ta）	4.5V，10V	20mohm @ 8.8a，10v	3V @ 250µA	24 NC @ 5 V	±25V	1604 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
CPC5608N	-	RFQ	4430	ixys集成电路部门	-	管子	过时的	-		-	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CPC5608				8-SOIC	-		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	80			-																			-
IRFS530a	0.4500	RFQ	4	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					100 v	10.7A（TC）	10V	110MOHM @ 5.35a，10V	4V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±20V	790 pf @ 25 V	-	32W（TC）
SI4501BDY-T1-GE3	0.6300	RFQ	53	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4501		MOSFET （金属 o化物）	4.5W，3.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道，普通排水						30V，8V	12a，8a		17mohm @ 10a，10v	2V @ 250µA	25nc @ 10V		805pf @ 15V	逻辑级别门
PUMH15-QX	0.0544	RFQ	8064	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的				表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	PUMH15			200MW	6-TSSOP	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1727-PUMH15-QXTR	Ear99	8541.21.0095	3,000																		50V	100mA		1µA	2 NPN- 预偏（双重）	150MV @ 500µA，10mA	30 @ 10mA，5V	230MHz	4.7kohms	4.7kohms
DMNH4015SSDQ-13	0.3969	RFQ	1638年	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	DMNH4015		MOSFET （金属 o化物）	1.4W，2W	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）						40V	8.6a（ta）		15mohm @ 12a，10v	3V @ 250µA	33nc @ 10V		1938pf @ 15V	-
mpsa93 bp	-	RFQ	1828年	微商业公司	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	MPSA93			625兆	到92	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		353-MPSA93-bp	Ear99	8541.21.0095	1,000																		200 v	500 MA		250NA（ICBO）	PNP	500mv @ 2mA，20mA	40 @ 10mA，10v	50MHz
JANSD2N2369AUA/TR	166.8512	RFQ	2498	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/317	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C		表面安装	4-SMD，没有铅	2n2369a			360兆w	UA	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANSD2N2369AUA/TR	Ear99	8541.21.0095	1																		15 v			400NA	NPN	450mv @ 10mA，100mA	20 @ 100mA，1V	-
FDMS3622S	-	RFQ	3054	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	8-POWERTDFN	FDMS3622		MOSFET （金属 o化物）	1W	Power56	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）						25V	17.5a，34a		5mohm @ 17.5A，10V	2V @ 250µA	26NC @ 10V		1570pf @ 13V	逻辑级别门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²