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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻
MMIX1F520N075T2	24.3200	RFQ	455	ixys	Gigamos™，Trencht2™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	24-PowersMD，21个线索	MMIX1F520			MOSFET （金属 o化物）			24-smpd	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	625162	Ear99	8541.29.0095	20		n通道						75 v	500A（TC）	10V	1.6MOHM @ 100A，10V	5V @ 8mA	545 NC @ 10 V	±20V	41000 PF @ 25 V	-	830W（TC）
FGA90N30TU	-	RFQ	4984	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FGA90	标准			219 w		to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				-															-	300 v	90 a	220 a	1.4V @ 15V，20A	-	87 NC	-
NVMFS024N06CT1G	1.2900	RFQ	6600	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS024			MOSFET （金属 o化物）			5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道						60 V	8a（8a ta），25a tc）（TC）	10V	22mohm @ 3a，10v	4V @ 20µA	5.7 NC @ 10 V	±20V	333 pf @ 30 V	-	3.4W（ta），28W（tc）
NDD02N60Z-1G	-	RFQ	4607	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	NDD02			MOSFET （金属 o化物）			我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道						600 v	2.2A（TC）	10V	4.8OHM @ 1A，10V	4.5V @ 50µA	10.1 NC @ 10 V	±30V	274 PF @ 25 V	-	57W（TC）
Stu60N3LH5	-	RFQ	3426	Stmicroelectronics	StripFet™v	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	Stu60n			MOSFET （金属 o化物）			我帕克	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道						30 V	48A（TC）	5V，10V	8.4MOHM @ 24A，10V	3V @ 250µA	8.8 NC @ 5 V	±20V	1620 PF @ 25 V	-	60W（TC）
NTMD4184PFR2G	-	RFQ	4194	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NTMD4184			MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500		P通道						30 V	2.3a（ta）	4.5V，10V	95MOHM @ 3A，10V	3V @ 250µA	4.2 NC @ 4.5 V	±20V	360 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	770MW（TA）
MIXA60WH1200TEH	126.5860	RFQ	5196	ixys	-	盒子	积极的			底盘安装	E3	Mixa60				290 w	三相桥梁整流器	E3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5	三期逆变器																		-	1200 v	85 a		2.1V @ 15V，55a					500 µA	是的
NGTB40N120LWG	-	RFQ	7788	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	NGTB40	标准			260 w		TO-247-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				600V，40a，10ohm，15V															沟渠场停止	1200 v	80 a	320 a	2.35V @ 15V，40a	5.5MJ（在）上，1.4MJ off）	420 NC	140NS/360NS
NTTFS4937NTWG	-	RFQ	9761	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NTTFS4937			MOSFET （金属 o化物）			8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道						30 V	（11A）（ta），75a tc（75a））	4.5V，10V	4.5MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 250µA	35.5 NC @ 10 V	±20V	2540 pf @ 15 V	-	860MW（TA），43.1W（tc）
DMTH8012LK3-13	0.9100	RFQ	2	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DMTH8012			MOSFET （金属 o化物）			TO-252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						80 V	50A（TC）	4.5V，10V	16mohm @ 12a，10v	3V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	1949 PF @ 40 V	-	2.6W（ta）
BS7067N06LS3G	-	RFQ	2846	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn				MOSFET （金属 o化物）			PG-TSDSON-8	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道						60 V	（14a）（ta），20A （TC）	4.5V，10V	6.7MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 35µA	62 NC @ 10 V	±20V	4800 PF @ 30 V	-	2.1W（ta），78W（tc）
MTD6N15T4GV	-	RFQ	1571年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	mtd6n			MOSFET （金属 o化物）			DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						150 v	6A（TC）	10V	300MOHM @ 3A，10V	4.5V @ 1mA	30 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	1.25W（TA），20W（tc）
FDMC8010ET30	-	RFQ	9795	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMC8010			MOSFET （金属 o化物）			Power33	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						30 V	（30a）（TA），174a （TC）	4.5V，10V	1.3MOHM @ 30a，10v	2.5V @ 1mA	94 NC @ 10 V	±20V	5860 pf @ 15 V	-	2.8W（ta），65W（tc）
G2304	0.4400	RFQ	8	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				MOSFET （金属 o化物）			SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						30 V	3.6a（ta）	4.5V，10V	58mohm @ 3.6A，10V	2.2V @ 250µA	4 NC @ 10 V	±20V	230 pf @ 15 V	标准	1.7W（TA）
GAN080-650EBEZ	9.2500	RFQ	2	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-vdfn暴露垫	GAN080			ganfet（n化岩）			DFN8080-8	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						650 v	29a（ta）	6V	80mohm @ 8a，6v	2.5V @ 30.7mA	6.2 NC @ 6 V	+7V，-6V	225 PF @ 400 V	-	240W（TA）
SI7366DP-T1-E3	-	RFQ	4870	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7366			MOSFET （金属 o化物）			PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						20 v	13A（TA）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 20A，10V	3V @ 250µA	25 NC @ 4.5 V	±20V		-	1.7W（TA）
HUF76131SK8T	0.4900	RFQ	10	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道						30 V	10a（10a）	4.5V，10V	13mohm @ 10a，10v	1V @ 250µA	47 NC @ 10 V	±20V	1605 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
PTAC260302SCV1S250XTMA1	-	RFQ	7626	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				-			-	-			-	-		（1 （无限）	到达不受影响	SP001093910	过时的	0000.00.0000	250	-		-			-	-											-
AFV10700HSR5	503.6126	RFQ	1060	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	105 v		表面安装	NI-780S-4L	AFV10700		1.03GHz〜1.09GHz	ldmos			NI-780S-4L	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50	双重的		10µA		100 ma	770W	19.2db											-									50 V
IXTT64N25P	7.2430	RFQ	1501	ixys	极性	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixtt64			MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道						250 v	64A（TC）	10V	49mohm @ 500mA，10v	5V @ 250µA	105 NC @ 10 V	±20V	3450 pf @ 25 V	-	400W（TC）
BUK7M12-40EX	0.8900	RFQ	1	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-1210，8-LFPAK33（5铅）	BUK7M12			MOSFET （金属 o化物）			LFPAK33	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道						40 V	48A（TC）	10V	12mohm @ 15a，10v	4V @ 1mA	15.8 NC @ 10 V	±20V	979 PF @ 25 V	-	55W（TC）
PMZ600Unelyl	0.4100	RFQ	111	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883	PMZ600						SOT-883	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10,000		n通道						20 v	600mA（TC）		620MOHM @ 600mA，4.5V	950mv @ 250µA	0.7 NC @ 4.5 V		21.3 pf @ 10 V	标准	2.7W（TC）
AUIRFR5410TRL	2.8900	RFQ	16	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AUIRFR5410			MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道						100 v	13A（TC）	10V	205MOHM @ 7.8A，10V	4V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±20V	760 pf @ 25 V	-	66W（TC）
PMN15ENEX	0.4400	RFQ	3	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457				MOSFET （金属 o化物）			6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道						30 V	6.4a（ta）	4.5V，10V	24mohm @ 6.4a，10v	2.5V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	440 pf @ 15 V	-	667MW（TA），7.5W（tc）
RE1E002SPTCL	0.3600	RFQ	12	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-89，SOT-490	RE1E002			MOSFET （金属 o化物）			EMT3F（SOT-416FL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道						30 V	250mA（ta）	4V，10V	1.4OHM @ 250mA，10V	2.5V @ 1mA		±20V	30 pf @ 10 V	-	150MW（TA）
FQP2N60	0.9000	RFQ	84	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						600 v	2.4A（TC）	10V	4.7ohm @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±30V	350 pf @ 25 V	-	64W（TC）
UT6MA2TCR	0.6500	RFQ	33	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	6-Powerudfn	UT6MA2			MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）		HUML2020L8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道							30V	4A（ta）		46mohm @ 4A，10V，70MOHM @ 4A，10V	2.5V @ 1mA	4.3nc @ 10v，6.7nc @ 10V		180pf @ 15V，305pf @ 15V	-
DMN61D8LVTQ-7	0.4900	RFQ	4035	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	DMN61			MOSFET （金属 o化物）	820MW		TSOT-26	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）							60V	630mA		1.8ohm @ 150mA，5V	2V @ 1mA	0.74NC @ 5V		12.9pf @ 12V	逻辑级别门
SSM3K316T（TE85L，f）	-	RFQ	3620	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SSM3K316			MOSFET （金属 o化物）			TSM	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道						30 V	4A（ta）	1.8V，10V	53mohm @ 3a，10v	1V @ 1mA	4.3 NC @ 4 V	±12V	270 pf @ 10 V	-	700MW（TA）
IPB031NE7N3GATMA1	-	RFQ	7968	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB031			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						75 v	100A（TC）	10V	3.1MOHM @ 100A，10V	3.8V @ 155µA	117 NC @ 10 V	±20V	8130 PF @ 37.5 V	-	214W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²