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晶体管（（100539）

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IPB013N06NF2SATMA1	3.9600	RFQ	800	Infineon技术	strongirfet™2	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB013		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道		60 V	40a（40a），198a（198a）TC）	6V，10V	1.3MOHM @ 100A，10V	3.3V @ 246µA	305 NC @ 10 V	±20V	13800 PF @ 30 V	-	3.8W（300W），300W （TC）
PSMP032N08NS1_T0_00601	2.4200	RFQ	1	Panjit International Inc.	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PSMP032N08		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB-L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PSMP032N08NS1_T0_00601	Ear99	8541.29.0095	50	n通道		80 V	166a（TC）	7V，10V	3.4mohm @ 50a，10v	3.75V @ 250µA	76 NC @ 7 V	±20V	7430 PF @ 40 V	-	156W（TC）
TSM035NB04LCZ	1.6825	RFQ	7136	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TSM035		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM035NB04LCZ	Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道		40 V	18A（18A），157A（tc）	4.5V，10V	3.5MOHM @ 18A，10V	2.5V @ 250µA	111 NC @ 10 V	±20V	6350 pf @ 20 V	-	2W（TA），156w（tc）
NTHL185N60S5H	3.3784	RFQ	4176	Onmi	SuperFet®III	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NTHL185N60S5H	Ear99	8541.29.0095	30	n通道		600 v	15A（TC）	10V	185MOHM @ 7.5A，10V	4.3V @ 1.4mA	25 NC @ 10 V	±30V	1350 pf @ 400 V	-	116W（TC）
ISK036N03LM5AUSA1	0.4339	RFQ	3873	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）		PG-VSON-6-1	下载	rohs3符合条件			448-isk036n03lm5ausa1tr			3,000	n通道		30 V	16.5A（TA），81A （TC）	4.5V，10V	3.6mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	21.5 NC @ 10 V	±16V	1400 pf @ 15 V	-	2.1W（TA），39W（tc）
SQJ409EP-T2_GE3	1.4900	RFQ	7432	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8			MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）		742-SQJ409EP-T2_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道		40 V	60a（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	260 NC @ 10 V	±20V	11000 PF @ 25 V	-	68W（TC）
G33N03S	0.4000	RFQ	3	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道		30 V	13A（TC）	4.5V，10V	12mohm @ 8a，10v	1.1V @ 250µA	13 NC @ 5 V	±20V	1550 pf @ 15 V	-	2.5W（TC）
JDX5012	0.6400	RFQ	22	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
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AUIRFSL4115	2.4500	RFQ	6882	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道		150 v	99a（TC）	10V	12.1MOHM @ 62a，10v	5V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	5270 pf @ 50 V	-	375W（TC）
SQ2310ES-T1_BE3	0.9000	RFQ	37	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SQ2310		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）		742-SQ2310ES-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道		20 v	6A（TC）	1.5V，4.5V	30mohm @ 5A，4.5V	1V @ 250µA	8.5 NC @ 4.5 V	±8V	485 pf @ 10 V	-	2W（TC）
IPB65R225C7ATMA2	1.5955	RFQ	1321	Infineon技术	Coolmos™C7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB65R225		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道		650 v	11A（TC）	10V	225MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 240µA	20 nc @ 10 V	±20V	996 PF @ 400 V	-	63W（TC）
spp08p06phxksa1	-	RFQ	5450	Infineon技术	Sipmos®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	spp08p		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	P通道		60 V	8.8A（TC）	10V	300mohm @ 6.2a，10v	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	420 pf @ 25 V	-	42W（TC）
r6020jnjgtl	4.8900	RFQ	940	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	R6020		MOSFET （金属 o化物）		LPT	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道		600 v	20A（TC）	15V	234mohm @ 10a，15v	7V @ 3.5mA	45 NC @ 15 V	±30V	1500 pf @ 100 V	-	252W（TC）
DMP3099LQ-13	0.0550	RFQ	8688	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMP3099		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10,000	P通道		30 V	3.8A（TA）	4.5V，10V	65mohm @ 3.8A，10V	2.1V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	563 pf @ 25 V	-	1.08W
STW48N60DM2	10.6600	RFQ	4222	Stmicroelectronics	MDMESH™DM2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW48		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道		600 v	40a（TC）	10V	79mohm @ 20a，10v	5V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±25V	3250 pf @ 100 V	-	300W（TC）
RRQ045P03TR	0.8900	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	RRQ045		MOSFET （金属 o化物）		TSMT6（SC-95）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道		30 V	4.5A（ta）	4V，10V	35MOHM @ 4.5A，10V	2.5V @ 1mA	14 NC @ 5 V	±20V	1350 pf @ 10 V	-	600MW（TA）
IPD60R360P7ATMA1	1.7700	RFQ	4	Infineon技术	Coolmos™P7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ipd60r		MOSFET （金属 o化物）		pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道		600 v	9A（TC）	10V	360MOHM @ 2.7A，10V	4V @ 140µA	13 NC @ 10 V	±20V	555 pf @ 400 V	-	41W（TC）
STD2NK90Z-1	1.9700	RFQ	2	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	STD2		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道		900 v	2.1A（TC）	10V	6.5OHM @ 1.05a，10V	4.5V @ 50µA	27 NC @ 10 V	±30V	485 pf @ 25 V	-	70W（TC）
STB18N60DM2	2.9500	RFQ	1	Stmicroelectronics	MDMESH™DM2	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB18		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道		600 v	12A（TC）	10V	295MOHM @ 6A，10V	5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±25V	800 pf @ 100 V	-	90W（TC）
DMP45H4D9HJ3	0.7487	RFQ	1570年	二极管合并	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，短线索	DMP45		MOSFET （金属 o化物）		TO-251	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	75	P通道		450 v	4.6A（TC）	10V	4.9Ohm @ 1.05a，10V	5V @ 250µA	13.7 NC @ 10 V	±30V	547 PF @ 25 V	-	104W（TC）
AOT190A60CL	2.4800	RFQ	7912	Alpha＆欧米茄半导体公司	AMOS5™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	AOT190		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	785-AOT190A60CL	Ear99	8541.29.0095	50	n通道		600 v	20A（TC）	10V	190MOHM @ 7.6A，10V	4.6V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±30V	1935 PF @ 100 V	-	208W（TC）
FP10R12YT3B4BOMA1	75.1800	RFQ	5917	Infineon技术	-	托盘	不适合新设计				FP10R12					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			0000.00.0000	20
FDMA507PZ	1.1200	RFQ	9614	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	FDMA507		MOSFET （金属 o化物）		6-microfet（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道		20 v	7.8A（ta）	1.8V，4.5V	24mohm @ 7.8a，5v	1.5V @ 250µA	42 NC @ 5 V	±8V	2015 PF @ 10 V	-	2.4W（TA）
IRFH5006TR2PBF	-	RFQ	5406	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400	n通道		60 V	21a（21A），100A （TC）		4.1MOHM @ 50a，10v	4V @ 150µA	100 nc @ 10 V		4175 PF @ 30 V	-
SIRA60DP-T1-GE3	1.4800	RFQ	10	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira60		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道		30 V	100A（TC）	4.5V，10V	0.94MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 250µA	60 NC @ 4.5 V	+20V，-16V	7650 pf @ 15 V	-	57W（TC）
IXFX360N10T	13.8500	RFQ	7057	ixys	hiperfet™，战沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX360		MOSFET （金属 o化物）		加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道		100 v	360a（TC）	10V	2.9MOHM @ 100A，10V	5V @ 3mA	525 NC @ 10 V	±20V	33000 PF @ 25 V	-	1250W（TC）
PMPB08R4VPX	0.5300	RFQ	5	Nexperia USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	PMPB08		MOSFET （金属 o化物）		DFN2020MD-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道		12 v	12a（12a）		9.6mohm @ 12a，4.5V	900mv @ 250µA	40 NC @ 4.5 V	±8V	2200 PF @ 6 V	-	1.9W（ta），12.5W（tc）
FQA90N08	-	RFQ	3710	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FQA90		MOSFET （金属 o化物）		to-3pn	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450	n通道		80 V	90A（TC）	10V	16mohm @ 45a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±25V	3250 pf @ 25 V	-	214W（TC）
IXBF32N300	81.7300	RFQ	25	ixys	Bimosfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5 （3个线索）	IXBF32	标准		160 w	ISOPLUS I4-PAC™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		-											1.5 µs	-	3000 v	40 a	250 a	3.2V @ 15V，32a	-	142 NC	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²