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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
PMPB33XN，115	0.3800	RFQ	2	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	PMPB33			MOSFET （金属 o化物）		DFN2020MD-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						30 V	4.3a（ta）	2.5V，4.5V	47MOHM @ 4.3A，4.5V	1.2V @ 250µA	7.6 NC @ 4.5 V	±12V	505 pf @ 15 V	-	1.5W（ta），8.3W（TC）
IRFN214BTA_FP001	-	RFQ	8399	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	IRFN2			MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道						250 v	600mA（TA）	10V	2ohm @ 300mA，10v	4V @ 250µA	10.5 NC @ 10 V	±30V	275 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
IXFK78NNNN03	22.5100	RFQ	187	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK78			MOSFET （金属 o化物）		TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道						500 v	78A（TC）	10V	68mohm @ 500mA，10v	5V @ 4mA	147 NC @ 10 V	±30V	9900 PF @ 25 V	-	1130W（TC）
BSM400D12P2G003	2.0000	RFQ	4	Rohm半导体	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）		模块	BSM400			（SIC）	2450W（TC）	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-BSM400D12P2G003	Ear99	8541.29.0095	4	2 n 通道（半桥）							1200V（1.2kV）	400A（TC）		-	4V @ 85mA	-		38000pf @ 10V	-
FGHL50T65SQDT	6.7800	RFQ	3488	Onmi	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	FGHL50	标准			268 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-FGHL50T65SQDT	Ear99	8541.29.0095	30				400V，12.5a，4.7Ohm，15V															沟渠场停止	650 v	100 a	200 a	2.1V @ 15V，50a	223µJ（在）上，91.13µJ（OFF）	99.7 NC	22.8NS/70NS
PJQ5420_R2_00001	0.1992	RFQ	9821	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	PJQ5420			MOSFET （金属 o化物）		DFN5060-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJQ5420_R2_00001TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						30 V	10.5A（ta），60a（tc）	4.5V，10V	9mohm @ 16a，10v	2.5V @ 250µA	7.1 NC @ 4.5 V	±20V	763 PF @ 25 V	-	2W（TA），54W（tc）
BLC10G18XS-320AVTZ	-	RFQ	5442	Ampleon USA Inc.	BLC	托盘	过时的				SOT-1258-7	BLC10		1.805GHZ〜1.88GHz	ldmos		SOT-1258-7	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	20			-				-											-
BDX54CG	-	RFQ	8021	Onmi	-	管子	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BDX54				65 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																				100 v	8 a							500µA	pnp-达灵顿	2V @ 12mA，3a	750 @ 3a，3v	-
DCX115EU-7-F-50	0.0357	RFQ	9220	二极管合并	dcx（xxxx）u	大部分	积极的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	DCX115				200MW	SOT-363	下载				31-DCX115EU-7-F-50	Ear99	8541.21.0075	3,000																				50V	100mA							500NA（ICBO）	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 500µA，10mA	82 @ 5mA，5V	250MHz	100kohms	100kohms
PMSS3904,115	0.0200	RFQ	236	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PMSS3						下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
BC856BM3-TP	0.0340	RFQ	5860	微商业公司	-	大部分	积极的		-55°C〜150°C	表面安装	SOT-723	BC856				265兆	SOT-723	下载				353-BC856BM3-TP	Ear99	8541.21.0075	1																				65 v	100 ma							1ma	PNP	650mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	100MHz
AOK125A60	5.3600	RFQ	77	Alpha＆欧米茄半导体公司	AMOS5™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	AOK125			MOSFET （金属 o化物）		TO-247	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	785-AOK125A60	Ear99	8541.29.0095	30		n通道						600 v	28a（TC）	10V	125mohm @ 14a，10v	4.5V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±20V	2993 PF @ 100 V	-	357W（TC）
IXTL2N470	114.3700	RFQ	274	ixys	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	isoplusi5-pak™	ixtl2			MOSFET （金属 o化物）		isoplusi5-pak™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixtl2n470	Ear99	8541.29.0095	25		n通道						4700 v	2A（TC）	10V	20ohm @ 1A，10V	6V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	6860 pf @ 25 V	-	220W（TC）
SIHB30N60AEL-GE3	5.9500	RFQ	18	Vishay Siliconix	El	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	SIHB30			MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						600 v	28a（TC）	10V	120mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±30V	2565 PF @ 100 V	-	250W（TC）
FQA30N40	3.7291	RFQ	9848	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FQA30			MOSFET （金属 o化物）		to-3pn	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道						400 v	30A（TC）	10V	140mohm @ 15a，10v	5V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±30V	4400 PF @ 25 V	-	290W（TC）
NTDV20N06LT4G-VF01	0.6260	RFQ	5981	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTDV20			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						60 V	20A（TA）	10V	46mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1015 PF @ 25 V	-	1.88W（TA）
IXFH40N30	-	RFQ	2786	ixys	Hiperfet™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH40			MOSFET （金属 o化物）		TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	IXFH40N30-NDR	Ear99	8541.29.0095	30		n通道						300 v	40a（TC）	10V	85mohm @ 500mA，10v	4V @ 4mA	200 NC @ 10 V	±20V	4800 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IRF1404ZGPBF	-	RFQ	7270	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001553874	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						40 V	180a（TC）	10V	3.7MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	4340 pf @ 25 V	-	220W（TC）
DMA964060R	-	RFQ	3705	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产			表面安装	6-SMD，平坦的铅	DMA96406				125MW	smini6-f3-b	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	8,000																				50V	100mA							500NA	2 PNP-）	250mv @ 500µA，10mA	160 @ 5mA，10v	-	4.7kohms	-
BCX5110TA	0.4000	RFQ	165	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	BCX5110				1 w	SOT-89-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																				45 v	1 a							100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	150MHz
2SC3311AQA	-	RFQ	6725	松下电子组件	-	（CT）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	3-SIP	2SC3311				300兆	NS-B1	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0075	5,000																				50 V	100 ma							1µA	NPN	300mv @ 10mA，100mA	160 @ 2mA，10v	150MHz
MJ6503锡/铅	-	RFQ	9951	中央半导体公司	MJ6503	管子	过时的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	MJ6503				125 w	TO-3	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1514-MJ6503TIN/铅	Ear99	8541.29.0095	1																				400 v	8 a							500µA	PNP	5V @ 3a，8a	15 @ 2a，5v	-
NTB6N60T4	1.3000	RFQ	6	摩托罗拉	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道						600 v	6A（TC）	10V	1.2OHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1670 pf @ 25 V	-	142W（TC）
NVD5805NT4G	-	RFQ	4518	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NVD580			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						40 V	51A（TC）	5V，10V	9.5Mohm @ 15a，10v	3.5V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	1725 PF @ 25 V	-	47W（TC）
BUK6E2R0-30C，127	-	RFQ	3149	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						30 V	120A（TC）	10V	2.2MOHM @ 25A，10V	2.8V @ 1mA	229 NC @ 10 V	±16V	14964 PF @ 25 V	-	306W（TC）
JANSM2N2369AUB/TR	149.5210	RFQ	9573	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/317	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C	表面安装	3-SMD，没有铅	2n2369a				360兆w	UB	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANSM2N2369AUB/TR	Ear99	8541.21.0095	1																				20 v								400NA	NPN	450mv @ 10mA，100mA	20 @ 100mA，1V	-
IXFK64N60P	22.0900	RFQ	1865年	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK64			MOSFET （金属 o化物）		TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道						600 v	64A（TC）	10V	96mohm @ 500mA，10v	5V @ 8mA	200 NC @ 10 V	±30V	12000 PF @ 25 V	-	1040W（TC）
SI3407DV-T1-E3	-	RFQ	7620	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3407			MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道						20 v	8A（TC）	2.5V，4.5V	24mohm @ 7.5a，4.5V	1.5V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±12V	1670 pf @ 10 V	-	2W（TA），4.2W（TC）
STAC2942B	-	RFQ	9826	Stmicroelectronics	-	托盘	过时的	130 v			stac244f	STAC294		175MHz	MOSFET		stac244f	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20	n通道		40a		250 MA	450W	-											-									50 V
DMG3415U-13	-	RFQ	7790	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMG3415			MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	DMG3415U-13DI	Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道						20 v	4A（ta）	1.8V，4.5V	42.5MOHM @ 4A，4.5V	1V @ 250µA	9.1 NC @ 4.5 V	±8V	294 pf @ 10 V	-	900MW（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²