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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
IXFK15N100Q	-	RFQ	9302	ixys	Hiperfet™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK15			MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25		n通道						1000 v	15A（TC）	10V	700mohm @ 500mA，10v	5V @ 4mA	170 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	360W（TC）
BC858CL3-TP	0.0375	RFQ	5740	微商业公司	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883	BC858				150兆		DFN1006-3	下载				353-BC858CL3-TP	Ear99	8541.21.0075	1																					30 V	100 ma							15NA			PNP	650mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
BUK7K134-100EX	-	RFQ	1443	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-12205，8-LFPAK56	BUK7K134			MOSFET （金属 o化物）	32W		LFPAK56D	下载					Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）							100V	9.8a		121MOHM @ 5A，10V	4V @ 1mA	10.5NC @ 10V		564pf @ 25V	-
AFGY160T65SPD-B4	15.0800	RFQ	9711	Onmi	汽车，AEC-Q100	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	Afgy160	标准			882 w		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-AFGY160T65SPD-B4	Ear99	8541.29.0095	30				400V，160a，5ohm，15V															132 ns	沟渠场停止	650 v	240 a	480 a	2.05V @ 15V，160a	12.4MJ（在）上，5.7MJ off）	245 NC	53NS/98NS
MRF6S27050HSR5	-	RFQ	8775	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		底盘安装	NI-780	MRF6		2.62GHz	ldmos			NI-780	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	50			-		500 MA	7W	16dB											-										28 V
2SB865-AE	0.2200	RFQ	26	Onmi	*	大部分	积极的												下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1
2SC2236-y-ap	-	RFQ	3523	微商业公司	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	2SC2236				900兆		to-92mod	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		353-2SC2236-y-APTB	Ear99	8541.21.0075	2,000																					30 V	1.5 a							100NA（ICBO）			NPN	2V @ 30mA，1.5a	160 @ 500mA，2V	120MHz
max8791agta+	0.5600	RFQ	1	ADI/MAXIM集成	*	大部分	积极的					Max8791			-				-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1																-
IRF6898MTRPBF	1.0000	RFQ	2752	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MX				MOSFET （金属 o化物）			DirectFet™等距MX	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1,009		n通道						25 v	40a（TA），214a （TC）		1.1MOHM @ 40a，10v	2.1V @ 100µA	68 NC @ 4.5 V	±16V	5630 pf @ 13 V	（（（）	2.8W（ta），78W（tc）
SQS460ENW-T1_GE3	0.8900	RFQ	5409	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8W	SQS460			MOSFET （金属 o化物）			PowerPak®1212-8W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						60 V	8A（TC）	4.5V，10V	36mohm @ 5.3a，10v	2.5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	755 pf @ 25 V	-	39W（TC）
2N3637	0.6500	RFQ	50	固态公司	-	大部分	积极的		-	通过洞	到205AD，TO-39-3							到39	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	2383-2N3637	Ear99	8541.10.0080	20																													-			PNP	-	-	-
2C3250A	9.2550	RFQ	8464	微芯片技术	*	大部分	积极的												-			到达不受影响	150-2C3250A			1
AOT380A60CL	1.8300	RFQ	25	Alpha＆欧米茄半导体公司	AMOS5™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	AOT380			MOSFET （金属 o化物）			TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	785-AOT380A60CL	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						600 v	11A（TC）	10V	380MOHM @ 5.5A，10V	3.8V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	955 PF @ 100 V	-	131W（TC）
2SA1020-y t6canofm	-	RFQ	6361	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SA1020				900兆		to-92mod	下载		（1 （无限）		2SA1020YT6CANOFM	Ear99	8541.21.0075	1																					50 V	2 a							1µA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，1a	70 @ 500mA，2V	100MHz
BSC010NE2LSATMA1	1.7200	RFQ	2	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC010			MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道						25 v	39A（TA），100A（tc）	4.5V，10V	1mohm @ 30a，10v	2V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	4700 PF @ 12 V	-	2.5W（ta），96w（tc）
NSVMMBT222222AM3T5G	0.3900	RFQ	3744	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-723	NSVMMBT2222				640兆		SOT-723	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000																					40 V	600 MA							10NA（ICBO）			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	300MHz
MITA15WB1200TMH	-	RFQ	7962	ixys	-	盒子	过时的		-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	Minipack2	MITA15W				120 w	三相桥梁整流器	Minipack2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20	三期逆变器																			沟	1200 v	30 a		2.2V @ 15V，15a					600 µA	是的	1.1 NF @ 25 V
2DC4672-13-79	-	RFQ	6076	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的					2DC4672							-	Rohs符合条件	（1 （无限）		31-2DC4672-13-79TR	过时的		2,500
2N5322E3	20.1300	RFQ	5537	微芯片技术	-	大部分	积极的		-	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以					10 W		TO-5AA	-			到达不受影响	150-2N5322E3	Ear99	8541.29.0095	1																					75 v	2 a							-			PNP	-	-	-
STH320N4F6-6	2.7377	RFQ	3981	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，Deepgate™，StripFet™VI	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	STH320			MOSFET （金属 o化物）			H2PAK-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						40 V	200a（TC）	10V	1.3MOHM @ 80A，10V	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	13800 PF @ 15 V	-	300W（TC）
SPP07N60S5XKSA1	-	RFQ	1722年	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SPP07N			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000681034	Ear99	8541.29.0095	500		n通道						600 v	7.3A（TC）	10V	600MOHM @ 4.6A，10V	5.5V @ 350µA	35 NC @ 10 V	±20V	970 pf @ 25 V	-	83W（TC）
MTD6N20ET4	-	RFQ	8435	Onmi	-	（CT）	过时的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	mtd6n			MOSFET （金属 o化物）			DPAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						200 v	6A（TC）		700MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	21 NC @ 10 V		480 pf @ 25 V	-
SUM90N08-7M6P-E3	-	RFQ	1249	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	sum90			MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道						75 v	90A（TC）	10V	7.6mohm @ 30a，10v	4.8V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±20V	3528 pf @ 30 V	-	3.75W（TA），150W（tc）
APT6038BFLLG	10.5300	RFQ	6337	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的			通过洞	TO-247-3	APT6038			MOSFET （金属 o化物）			TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道						600 v	17a（TC）		380MOHM @ 8.5A，10V	5V @ 1mA	43 NC @ 10 V		1850 pf @ 25 V	-
BC846AW	0.0317	RFQ	9485	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323					200兆		SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2796-BC846AWTR		8541.21.0000	3,000																					65 v	100 ma							15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	100MHz
2SB1274S	0.2000	RFQ	4	Onmi	-	大部分	过时的		-	通过洞	TO-220-3完整包					2 w		TO-220毫升	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0075	100																					60 V	3 a							100µA（ICBO）			PNP	1V @ 200mA，2a	140 @ 500mA，5V	100MHz
ES6U1T2R	0.4000	RFQ	8	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅				MOSFET （金属 o化物）			6-Wemt	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000		P通道						12 v	1.3a（ta）	1.5V，4.5V	260MOHM @ 1.3A，4.5V	1V @ 1mA	2.4 NC @ 4.5 V	±10V	290 pf @ 6 V	Schottky 二极管（孤立）	700MW（TA）
AOD3N40	0.2725	RFQ	7779	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AOD3			MOSFET （金属 o化物）			TO-252（DPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						400 v	2.6A（TC）	10V	3.1OHM @ 1A，10V	4.5V @ 250µA	5.1 NC @ 10 V	±30V	225 pf @ 25 V	-	50W（TC）
IPT60T040S7XTMA1	4.8790	RFQ	4897	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的												-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响				2,000
IPB049NE7N3GATMA1	2.8000	RFQ	2	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IPB049			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						75 v	80A（TC）	10V	4.9Mohm @ 80a，10v	3.8V @ 91µA	68 NC @ 10 V	±20V	4750 PF @ 37.5 V	-	150W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²