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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
IPT60T040S7XTMA1	4.8790	RFQ	4897	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的										-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响				2,000
IPB049NE7N3GATMA1	2.8000	RFQ	2	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IPB049		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					75 v	80A（TC）	10V	4.9Mohm @ 80a，10v	3.8V @ 91µA	68 NC @ 10 V	±20V	4750 PF @ 37.5 V	-	150W（TC）
AON6774	-	RFQ	9838	Alpha＆欧米茄半导体公司	alphamos	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，平面线	aon67		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					30 V	44A（ta），85A（85A）TC）	4.5V，10V	2.05MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	3000 pf @ 15 V	-	6.2W（ta），48W（tc）
APTM100UM65SAG	346.0300	RFQ	2996	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTM100		MOSFET （金属 o化物）		SP6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					1000 v	145a（TC）	10V	78mohm @ 72.5a，10v	5V @ 20mA	1068 NC @ 10 V	±30V	28500 PF @ 25 V	-	3250W（TC）
BSB053N03LP g	-	RFQ	1041	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	3-wdson			MOSFET （金属 o化物）		MG-WDSON-2，CANPAK M™	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					30 V	（17a）（ta），71a（tc）	4.5V，10V	5.3MOHM @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	2700 pf @ 15 V	-	2.3W（ta），42W（（（TC）
IRFHM830TRPBF	0.9300	RFQ	4	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	IRFHM830		MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn二（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道					30 V	21a（21a），40a （TC）	4.5V，10V	3.8mohm @ 20a，10v	2.35V @ 50µA	31 NC @ 10 V	±20V	2155 pf @ 25 V	-	2.7W（TA），37W（tc）
SI7439DP-T1-GE3	3.9800	RFQ	1182	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7439		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道					150 v	3A（3A）	6V，10V	90MOHM @ 5.2A，10V	4V @ 250µA	135 NC @ 10 V	±20V		-	1.9W（TA）
PJZ9NA90_T0_10001	-	RFQ	6592	Panjit International Inc.	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	PJZ9NA90		MOSFET （金属 o化物）		to-3pl	-				3757-PJZ9NA90_T0_10001	过时的		1		n通道					900 v	9a（9a）	10V	1.4OHM @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±30V	1634 PF @ 25 V	-	240W（TC）
DMN2400UV-7	0.4700	RFQ	97	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	DMN2400		MOSFET （金属 o化物）	530MW	SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）						20V	1.33a		480MOHM @ 200MA，5V	900mv @ 250µA	0.5NC @ 4.5V		36pf @ 16V	逻辑级别门
STL9N80K5	-	RFQ	4890	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-	表面安装	8-Powervdfn	STL9N80		MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（5x6）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					800 v	7A（TC）	10V	-	-		-		-	110W（TC）
JAN2N4405	193.6480	RFQ	9865	微芯片技术	-	大部分	积极的		200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3					TO-39（（TO-205AD）	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1																		80 V	500 MA		-	PNP	-	-	-
FQB2P25TM	-	RFQ	4591	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	FQB2		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		P通道					250 v	2.3a（TC）	10V	4ohm @ 1.15a，10v	5V @ 250µA	8.5 NC @ 10 V	±30V	250 pf @ 25 V	-	3.13W（ta），52W（（ta）
IRF820	0.6000	RFQ	3	哈里斯公司	PowerMesh™II	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF8		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1		n通道					500 v	4A（TC）	10V	3ohm @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	315 pf @ 25 V	-	80W（TC）
2N5323	-	RFQ	9647	哈里斯公司	-	大部分	积极的		-	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N532			10 W	TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1																		50 V	2 a		-	PNP	-	-	-
IRF7321D2TR	-	RFQ	7221	Infineon技术	Fetky™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		P通道					30 V	4.7a（ta）	4.5V，10V	62MOHM @ 4.9A，10V	1V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	710 PF @ 25 V	Schottky 二极管（孤立）	2W（TA）
SI7413DN-T1-GE3	-	RFQ	3638	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7413		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道					20 v	8.4a（ta）	1.8V，4.5V	15mohm @ 13.2a，4.5V	1V @ 400µA	51 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.5W（TA）
ixtp6n50p	-	RFQ	6555	ixys	Polarhv™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp6		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					500 v	6A（TC）	10V	1.1OHM @ 3A，10V	5V @ 50µA	14.6 NC @ 10 V	±30V	740 pf @ 25 V	-	100W（TC）
IRFR5305TRRPBF	-	RFQ	4473	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001573302	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道					55 v	31a（TC）	10V	65mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	110W（TC）
ABC858AW-HF	0.0800	RFQ	6296	comchip技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	ABC858			200兆	SOT-323	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		641-ABC858AW-HFTR	Ear99	8541.21.0075	3,000																		30 V	100 ma		15NA（icbo）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	125 @ 2mA，5V	250MHz
SSM3J120TU，LF	-	RFQ	2941	东芝半导体和存储	U-Mosiv	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，平坦的铅	SSM3J120		MOSFET （金属 o化物）		UFM	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道					20 v	4A（ta）	1.5V，4V	38mohm @ 3A，4V	1V @ 1mA	22.3 NC @ 4 V	±8V	1484 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
提示30b-bp	-	RFQ	6667	微商业公司	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	提示30			30 W	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		353-tip30b-bp	Ear99	8541.29.0095	5,000																		80 V	1 a		300µA	PNP	700mv @ 125mA，1a	40 @ 200ma，4V	3MHz
BLM10D1822-60ABGYZ	34.1127	RFQ	8517	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	65 v		表面安装	OMP-400-8G-1	BLM10	1.8GHz〜2.2GHz	ldmos		OMP-400-8G-1	-	rohs3符合条件			1603-BLM10D1822-60ABGYZTR			300	-		1.4µA	90 MA	-	27.8db											-			30 V
APT6010B2LLG	27.1800	RFQ	5738	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	APT6010		MOSFET （金属 o化物）		T-MAX™[B2]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					600 v	54A（TC）	10V	100mohm @ 27a，10v	5V @ 2.5mA	150 NC @ 10 V	±30V	6710 PF @ 25 V	-	690W（TC）
2N5339QFN	22.1850	RFQ	3894	微芯片技术	-	大部分	积极的		-55°C 〜200°C	通过洞	到205AD，TO-39-3				1 w	TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-2N5339QFN	Ear99	8541.29.0095	1																		100 v	5 a		100µA	NPN	1.2V @ 500mA，5a	60 @ 2a，2v	-
IPW60R041P6FKSA1	13.4900	RFQ	4596	Infineon技术	Coolmos™P6	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IPW60R041		MOSFET （金属 o化物）		pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					600 v	77.5A（TC）	10V	41MOHM @ 35.5a，10V	4.5V @ 2.96mA	170 NC @ 10 V	±20V	8180 pf @ 100 V	-	481W（TC）
BCP55-16-AQ	0.1499	RFQ	4116	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装					2 w	SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	2796-BCP55-16-AQTR		8541.29.0000	4,000																		60 V	1 a			NPN	500V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	100MHz
AO4818BL_102	-	RFQ	2007	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AO481		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）						30V	8a（8a）		19mohm @ 8a，10v	2.4V @ 250µA	18NC @ 10V		888pf @ 15V	-
DCP68-13	0.4000	RFQ	4536	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	DCP68			1 w	SOT-223-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500																		20 v	1 a		100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 100mA，1a	85 @ 500mA，1V	330MHz
2N5663	23.8800	RFQ	7573	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				1 w	TO-5AA	-			到达不受影响	150-2N5663	Ear99	8541.29.0095	1																		300 v	2 a		200NA	NPN	800mv @ 400mA，2a	25 @ 500mA，5V	-
IPS135N03LGAKMA1	-	RFQ	5866	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK			MOSFET （金属 o化物）		PG-TO251-3-11	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					30 V	30A（TC）	4.5V，10V	13.5mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±20V	1000 pf @ 15 V	-	31W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²