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晶体管（（102018）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
IXFK27N80Q	30.2600	RFQ	181	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK27		MOSFET （金属 o化物）		TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		800 v	27a（TC）	10V	320MOHM @ 500mA，10V	4.5V @ 4mA	170 NC @ 10 V	±20V	7600 PF @ 25 V	-	500W（TC）
2SA1122CCTR-E	0.1100	RFQ	48	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
IPB320N20N3GATMA1	3.6100	RFQ	13	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB320		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		200 v	34A（TC）	10V	32MOHM @ 34A，10V	4V @ 90µA	29 NC @ 10 V	±20V	2350 pf @ 100 V	-	136W（TC）
SPI07N65C3XKSA1	0.9000	RFQ	22	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		pg-to262-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		650 v	7.3A（TC）	10V	600MOHM @ 4.6A，10V	3.9V @ 350µA	27 NC @ 10 V	±20V	790 pf @ 25 V	-	83W（TC）
SI7322ADN-T1-GE3	0.6800	RFQ	6488	Vishay Siliconix	Thunderfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7322		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		100 v	15.1A（TC）	10V	57MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	360 pf @ 50 V	-	26W（TC）
TSM4NB60CI C0G	1.1907	RFQ	7682	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM4NB60		MOSFET （金属 o化物）		ITO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	4A（TC）	10V	2.5OHM @ 2A，10V	4.5V @ 250µA	14.5 NC @ 10 V	±30V	500 pf @ 25 V	-	50W（TC）
NSVBC858CLT1G	0.3900	RFQ	6	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NSVBC858			300兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																30 V	100 ma					15NA（icbo）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
BSO330N02KGFUMA1	-	RFQ	6817	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	BSO330N02		MOSFET （金属 o化物）	1.4W	PG-DSO-8	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）			20V	5.4a		30mohm @ 6.5a，4.5V	1.2V @ 20µA	4.9nc @ 4.5V		730pf @ 10V	逻辑级别门
GT40R21 （STA1，E。	3.6500	RFQ	1369	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	GT40R21	标准		230 w	to-3p n（n）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25			280V，40a，10ohm，20V											600 ns	-	1200 v	40 a	200 a	2.8V @ 15V，40a	- （540µJ）（（540µJ））	-
BSC016N06NSSCATMA1	3.0500	RFQ	6120	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道		60 V	234a（TC）	6V，10V	1.6mohm @ 50a，10v	3.3V @ 95µA	95 NC @ 10 V	±20V	6500 PF @ 30 V	-	167W（TC）
PDTC123JQA147	0.0300	RFQ	143	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的				PDTC123					下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	5,000
AUIRF7736M2TR	3.6500	RFQ	3327	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距M4	AUIRF7736		MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™等距M4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,800		n通道		40 V	22a（22A），108a（tc）	10V	3mohm @ 65a，10v	4V @ 150µA	108 NC @ 10 V	±20V	4267 PF @ 25 V	-	2.5W（TA），63W（tc）
YJG20N06A	0.1420	RFQ	500	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-yjg20N06ATR	Ear99		5,000
DMP1011LFVQ-7	0.2024	RFQ	9225	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-Powervdfn	DMP1011		MOSFET （金属 o化物）		PowerDi3333-8（SWP）类型ux	下载			到达不受影响	31-DMP1011LFVQ-7TR	Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道		12 v	13A（13A），19a （TC）	2.5V，4.5V	11.7MOHM @ 12A，4.5V	1.2V @ 250µA	9.5 NC @ 6 V	-6V	913 PF @ 6 V	-	1.05W
IPP77N06S3-09	-	RFQ	9050	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ipp77n		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		55 v	77A（TC）	10V	9.1MOHM @ 39A，10V	4V @ 55µA	103 NC @ 10 V	±20V	5335 pf @ 25 V	-	107W（TC）
AUIRFP4409	-	RFQ	9837	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	AUIRFP4409		MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001518024	Ear99	8541.29.0095	400		n通道		300 v	38A（TC）	10V	69MOHM @ 24A，10V	5V @ 250µA	125 NC @ 10 V	±20V	5168 PF @ 50 V	-	341W（TC）
STB70NFS03LT4	-	RFQ	6147	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB70N		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1026-STB70NFS03LT4	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		30 V	70A（TC）	5V，10V	9.5MOHM @ 35A，10V	1V @ 250µA	30 NC @ 5 V	±18V	1440 pf @ 25 V	-	100W（TC）
BUK7Y59-60EX	-	RFQ	7909	NXP半导体	Trenchmos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669			MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BUK7Y59-60EX-954	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		60 V	17a（TC）	10V	59mohm @ 5a，10v	4V @ 1mA	7.8 NC @ 10 V	±20V	494 pf @ 25 V	-	37W（TC）
SSM3J143TU，LXHF	0.4600	RFQ	32	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101，U-MOSVI	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	3-SMD，平坦的铅			MOSFET （金属 o化物）		UFM	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道		20 v	5.5A（ta）	1.5V，4.5V	29.8mohm @ 3A，4.5V	1V @ 1mA	12.8 NC @ 4.5 V	+6V，-8V	840 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
BSO080P03NS3GXUMA1	-	RFQ	1628年	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	BSO080		MOSFET （金属 o化物）		PG-DSO-8	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道		30 V	12a（12a）	6V，10V	8mohm @ 14.8A，10V	3.1V @ 150µA	81 NC @ 10 V	±25V	6750 PF @ 15 V	-	1.6W（TA）
SIHW21N80AE-GE3	4.7800	RFQ	3139	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHW21		MOSFET （金属 o化物）		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2266-SIHW21N80AE-GE3	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		800 v	17.4A（TC）	10V	235mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±30V	1388 pf @ 100 V	-	32W（TC）
RTU002P02T106	0.1579	RFQ	5711	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	RTU002		MOSFET （金属 o化物）		UMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道		20 v	250mA（ta）	2.5V，4.5V	1.5OHM @ 250mA，4.5V	2V @ 1mA		±12V	50 pf @ 10 V	-	200mw（ta）
2SC2411K_R1_00001	0.2200	RFQ	2	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2SC2411K			225兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-2SC2411K_R1_00001DKR	Ear99	8541.21.0075	3,000																32 v	500 MA					1µA（ICBO）	NPN	600mv @ 50mA，500mA	120 @ 100mA，3v	250MHz
SIRA88DP-T1-GE3	0.4900	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira88		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		30 V	45.5A（TC）	4.5V，10V	6.7MOHM @ 10a，10v	2.4V @ 250µA	12.5 NC @ 4.5 V	+20V，-16V	985 pf @ 15 V	-	25W（TC）
KSB601Y	-	RFQ	3111	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	KSB60			1.5 w	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1200																100 v	5 a					10µA（ICBO）	pnp-达灵顿	1.5V @ 3mA，3a	5000 @ 3A，2V	-
PJD18N20_L2_00001	0.9600	RFQ	1	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	PJD18N20		MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJD18N20_L2_00001DKR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		200 v	18A（TC）	10V	160MOHM @ 9A，10V	3V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	1017 PF @ 25 V	-	83W（TC）
FCH22N60N	-	RFQ	8788	Onmi	Supremos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	FCH22N60		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	1990-FCH22N60N	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	22a（TC）	10V	165mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±30V	1950 pf @ 100 V	-	205W（TC）
KSD471A-O-BP	-	RFQ	3599	微商业公司	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	KSD471			800兆	到92	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		353-KSD471A-O-BP	Ear99	8541.21.0075	1,000																30 V	1 a					100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 100mA，1a	70 @ 100mA，1V	130MHz
STHU36N60DM6AG	6.7700	RFQ	6254	Stmicroelectronics	汽车	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA			MOSFET （金属 o化物）		hu3pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-STHU36N60DM6AGTR	Ear99	8541.29.0095	600		n通道		600 v	29A（TC）	10V	99MOHM @ 14.5A，10V	4.75V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±25V	1960 pf @ 100 V	-	210W（TC）
IPB147N03LGATMA1	-	RFQ	8730	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB147N		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		30 V	20A（TC）	4.5V，10V	14.7mohm @ 20a，10v	2.2V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±20V	1000 pf @ 15 V	-	31W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（102018）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²