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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
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PHD78NQ03LT，118	-	RFQ	2348	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	PHD78		MOSFET （金属 o化物）			DPAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		25 v	75A（TC）	5V，10V	9mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	11 NC @ 4.5 V	±20V	970 pf @ 12 V	-	107W（TC）
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IRFR3410TRPBF	-	RFQ	8581	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载						0000.00.0000	1		n通道		100 v	31a（TC）	10V	39mohm @ 18a，10v	4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	1690 pf @ 25 V	-	（3W）（110W）（TC）
RS1G150MNTB	0.9800	RFQ	3335	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	RS1G		MOSFET （金属 o化物）			8-hsop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		40 V	15A（TA）	4.5V，10V	10.6mohm @ 15a，10v	2.5V @ 1mA	15 NC @ 10 V	±20V	930 PF @ 20 V	-	（3W）（25W）（25W）TC）
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ixta34n65x2	6.0894	RFQ	5021	ixys	Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta34		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		650 v	34A（TC）	10V	96mohm @ 17a，10v	5V @ 250µA	54 NC @ 10 V	±30V	3000 pf @ 25 V	-	540W（TC）
DMP21D0UFB4-7B	0.3700	RFQ	5369	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	DMP21		MOSFET （金属 o化物）			X2-DFN1006-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000		P通道		20 v	770ma（ta）	1.8V，4.5V	495MOHM @ 400mA，4.5V	1V @ 250µA	1.54 NC @ 8 V	±8V	80 pf @ 10 V	-	430MW（TA）
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2SK3495	-	RFQ	7024	Onmi	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	20
TP2640LG-G	2.4900	RFQ	1	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TP2640		MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,300		P通道		400 v	86ma（TJ）	2.5V，10V	15ohm @ 300mA，10v	2V @ 1mA		±20V	300 pf @ 25 V	-	740MW（TA）
3SK323UG-TL-E	0.4800	RFQ	81	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
FF300R07ME4BOSA1	169.5600	RFQ	4	Infineon技术	EconoDual™3	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FF300R07			20兆	标准	Ag-Econod-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	2独立														沟渠场停止	650 v	300 a		1.95V @ 15V，300A				1 MA	是的	18.5 nf @ 25 V
2SC4983-6-TB-E	0.0600	RFQ	138	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
BSC0702LSATMA1	1.7400	RFQ	1330	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC0702		MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		60 V	100A（TC）	4.5V，10V	2.3MOHM @ 50a，10v	2.3V @ 49µA	30 NC @ 4.5 V	±20V	4400 PF @ 30 V	标准	83W（TC）
SSM3J144TU，LF	0.4100	RFQ	3	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	3-SMD，平坦的铅	SSM3J144		MOSFET （金属 o化物）			UFM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道		20 v	3.2A（ta）	1.5V，4.5V	93mohm @ 1.5A，4.5V	1V @ 1mA	4.7 NC @ 4.5 V	+6V，-8V	290 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
PUMD17,115	0.0300	RFQ	298	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	PUMD17			300MW		SOT-363	下载						0000.00.0000	11,225																50V	100mA						1µA			1 npn，1 pnp- 预偏（二）	150MV @ 500µA，10mA	60 @ 5mA，5V	-	47kohms	22KOHMS
PMGD280UN，115	0.4400	RFQ	131	Nexperia USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	PMGD280		MOSFET （金属 o化物）	400MW		6-TSSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）			20V	870mA		340MOHM @ 200MA，4.5V	1V @ 250µA	0.89NC @ 4.5V		45pf @ 20V	逻辑级别门
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FF200R12KT4HOSA1	151.9500	RFQ	12	Infineon技术	c	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FF200R12			1100 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	半桥														沟渠场停止	1200 v	320 a		2.15V @ 15V，200a				5 ma	不	14 NF @ 25 V
FQD5N50CTM	0.5100	RFQ	8	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		500 v	4A（TC）	10V	1.4OHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	625 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），48W（tc）
2SA1586-Y，LXHF	0.3300	RFQ	1	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	SC-70，SOT-323				200兆		USM	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000																50 V	150 ma						100NA（ICBO）			PNP	300mv @ 10mA，100mA	120 @ 2mA，6v	80MHz
SI1467DH-T1-BE3	0.6700	RFQ	9484	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1467		MOSFET （金属 o化物）			SC-70-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响	742-SI1467DH-T1-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		20 v	（3a（ta），2.7a（2.7a）TC）		90MOHM @ 2A，4.5V	1V @ 250µA	13.5 NC @ 4.5 V	±8V	561 PF @ 10 V	-	1.5W（TA），2.78W（tc）
APTGF15A120T1G	-	RFQ	8942	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-	底盘安装	SP1				140 w	标准	SP1	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1	半桥														npt	1200 v	25 a		3.7V @ 15V，15a				250 µA	是的	1 nf @ 25 V
IXYH40N120B3D1	11.2500	RFQ	7721	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXYH40	标准		480 w		TO-247（IXYH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			600V，40a，10ohm，15V											100 ns	-	1200 v	86 a	180 a	2.9V @ 15V，40a	2.7MJ（在）上，1.6MJ off）	87 NC	22NS/177NS
2N5931	72.1350	RFQ	6015	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AA，TO-3				175 w		TO-204AD（TO-3）	-			到达不受影响	150-2N5931	Ear99	8541.29.0095	1																160 v	30 a						-			PNP	-	-	-
BSM20GD60DLC	32.5000	RFQ	75	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	底盘安装	模块				125 w	标准	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	全桥														-	600 v	32 a		2.45V @ 15V，20A				500 µA	不	1.1 NF @ 25 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²