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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
IRF530NSPBF	-	RFQ	8799	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		100 v	17a（TC）	10V	90mohm @ 9a，10v	4V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±20V	920 PF @ 25 V	-	3.8W（ta），70W（70W）TC）
R6535knzc17	7.8500	RFQ	300	Rohm半导体	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	R6535		MOSFET （金属 o化物）			to-3pf	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-R6535KNZC17	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		650 v	35A（TC）	10V	115mohm @ 18.1a，10v	5V @ 1.21MA	72 NC @ 10 V	±20V	3000 pf @ 25 V	-	102W（TC）
HAT2054M-EL-E	0.5900	RFQ	8	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	积极的	150°C	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6			MOSFET （金属 o化物）			6-TSOP	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000		n通道		30 V	6.3a（ta）		31mohm @ 3a，10v	2.5V @ 1mA		±20V	620 pf @ 10 V	-	1.05W（TA）
2SJ486ZU-TL-E	-	RFQ	9544	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
ZXMN7A11GTA	0.8400	RFQ	15	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	ZXMN7A11		MOSFET （金属 o化物）			SOT-223-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		70 v	2.7a（ta）	4.5V，10V	130MOHM @ 4.4A，10V	1V @ 250µA	7.4 NC @ 10 V	±20V	298 pf @ 40 V	-	2W（TA）
EFC3C001NUZTCG	-	RFQ	8068	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA，WLCSP	EFC3C001		MOSFET （金属 o化物）	1.6W		4-WLCSP（1.26x1.26）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2156-EFC3C001NUZTCG-488	Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）公共排水			-	-		-	1.3V @ 1mA	15nc @ 4.5V		-	逻辑水平门，2.5V
IPB65R150CFDATMA1	2.4796	RFQ	6108	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IPB65R150		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		650 v	22.4a（TC）	10V	150MOHM @ 9.3a，10V	4.5V @ 900µA	86 NC @ 10 V	±20V	2340 pf @ 100 V	-	195.3W（TC）
TK42A12N1，S4X	1.4900	RFQ	210	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK42A12		MOSFET （金属 o化物）			TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道		120 v	42A（TC）	10V	9.4mohm @ 21a，10v	4V @ 1mA	52 NC @ 10 V	±20V	3100 PF @ 60 V	-	35W（TC）
SI4830CDY-T1-E3	-	RFQ	5772	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4830		MOSFET （金属 o化物）	2.9W		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）			30V	8a		20mohm @ 8a，10v	3V @ 1mA	25nc @ 10V		950pf @ 15V	逻辑级别门
R6024ENXC7G	5.5800	RFQ	980	Rohm半导体	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	R6024		MOSFET （金属 o化物）			TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-R6024ENXC7G	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	24A（24A）	10V	165mohm @ 11.3a，10v	4V @ 1mA	70 NC @ 10 V	±20V	1650 pf @ 25 V	-	74W（TC）
NTMFSC0D9N04CL	5.0500	RFQ	8318	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜150°C（TA）	表面安装	8-POWERTDFN	NTMFSC0		MOSFET （金属 o化物）			8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		40 V	313a（TC）	4.5V，10V	-	2V @ 250µA	143 NC @ 10 V	±20V	8500 PF @ 20 V	-	83w（ta）
IRGP4640-EPBF	-	RFQ	7176	国际整流器	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		250 w		TO-247AD	-	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	25			400V，24a，10ohm，15V											-	600 v	65 a	72 a	1.9V @ 15V，24a	（100µJ）（600µJ）（off）	75 NC	40NS/105NS
SSF2145CH6	0.4300	RFQ	6	好公园的半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜150°C	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6			MOSFET （金属 o化物）	1.7W		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0080	3,000	-			20V	4.8A（TC），2.9a tc）		55mohm @ 3.6a，4.5V，80Mohm @ 3a，4.5V	1V @ 250µA	-		420pf @ 10V	标准
NTD4805N-1G	-	RFQ	4023	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	NTD48		MOSFET （金属 o化物）			我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道		30 V	12.7A（ta），95a（tc）	4.5V，11.5V	5mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	48 NC @ 11.5 V	±20V	2865 PF @ 12 V	-	1.41W（ta），79W（tc）
NGTD21T65F2SWK	-	RFQ	8030	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	死	NGTD21	标准				死	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			-											沟渠场停止	650 v		200 a	1.9V @ 15V，45a	-		-
NTTFS4800NTWG	-	RFQ	2703	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NTTFS4		MOSFET （金属 o化物）			8-WDFN（3.3x3.3）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		30 V	5A（5A），32a（tc）	4.5V，11.5V	20mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	16.6 NC @ 10 V	±20V	964 PF @ 15 V	-	860MW（TA），33.8W （TC）
JANSD2N3634L	-	RFQ	8520	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/357	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				1 w		TO-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50															140 v	10 µA						10µA			PNP	600mv @ 5mA，50mA	50 @ 50mA，10v	-
MSJPF20N65-bp	5.6100	RFQ	7594	微商业公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	MSJPF20		MOSFET （金属 o化物）			TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		650 v	20A（TC）	10V	380MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±30V	901 PF @ 50 V	-	31.3W（TC）
MWI100-06A8T	-	RFQ	7316	ixys	-	管子	积极的	-	底盘安装	E3	MWI100			410 w	标准	E3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5	三相逆变器													npt	600 v	130 a		2.5V @ 15V，100a				1.2 ma	不	4.3 NF @ 25 V
MGSF1N03LT3	-	RFQ	4761	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MGSF1		MOSFET （金属 o化物）			SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道		30 V	1.6a（ta）	4.5V，10V	100mohm @ 1.2A，10V	2.4V @ 250µA		±20V	140 pf @ 5 V	-	420MW（TA）
IXFN100N10S3	-	RFQ	7704	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN100		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		100 v	100A（TC）	10V	15mohm @ 500mA，10v	4V @ 4mA	180 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	360W（TC）
IRF7749L2TR1PBF	-	RFQ	5676	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距l8			MOSFET （金属 o化物）			DirectFet™等距l8	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		60 V	33A（33A），375a（tc）	10V	1.5MOHM @ 120A，10V	4V @ 250µA	300 NC @ 10 V	±20V	12320 PF @ 25 V	-	3.3W（TA），125W（tc）
MMSF1310R2	0.2000	RFQ	7	Onmi	*	大部分	积极的										下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500
JANTX2N3499U4/TR	-	RFQ	6180	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				1 w		U4	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX2N3499U4/tr	Ear99	8541.29.0095	1															100 v	500 MA						50NA（iCBO）			NPN	600mv @ 30mA，300mA	100 @ 150mA，10V	-
JANSD2N222222AUA	158.4100	RFQ	5615	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/255	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅				650兆		UA	-			到达不受影响	150-JANSD2N222222AUA			1															50 V	800 MA						50NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
FJC1386PTF	-	RFQ	2945	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	FJC13			500兆		SOT-89-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000															20 v	5 a						500NA（ICBO）			PNP	1V @ 100mA，4a	80 @ 500mA，2V	-
BC807-25-AU_R1_000A1	0.2100	RFQ	56	Panjit International Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC807			330兆		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000															45 v	500 MA						100NA（ICBO）			PNP	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	100MHz
2SK1584 （0）-t1-az	0.5100	RFQ	8	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000
2SB1151-AZ	0.9100	RFQ	7	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
IRFH5306TR2PBF	-	RFQ	3012	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）			PQFN（5x6）单个死亡	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400		n通道		30 V	（15A）（TA），44A （TC）		8.1MOHM @ 15A，10V	2.35V @ 25µA	12 nc @ 4.5 V		1125 PF @ 15 V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²