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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
RJK6012DPP-E0 ＃T2	-	RFQ	1382	Renesas Electronics America Inc	-	管子	在sic中停产	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		600 v	10a（10a）	10V	920MOHM @ 5A，10V	-	30 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	30W（TC）
DMN3404L-7-50	0.0758	RFQ	5538	二极管合并	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMN3404		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载				31-DMN3404L-7-7-7-50	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		30 V	4.2A（ta）	3V，10V	28mohm @ 5.8A，10V	2V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	498 pf @ 15 V	-	720MW
DMTH3002LPSQ-13	0.5592	RFQ	6944	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		POWERDI5060-8（k型）	-			到达不受影响	31-DMTH3002LPSQ-13TR	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	240a（TC）	4.5V，10V	1.6mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	77 NC @ 10 V	±16V	5000 pf @ 15 V	-	1.2W（TA），136W（tc）
NVJD5121NT1G-M06	0.3900	RFQ	6448	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	NVJD5121		MOSFET （金属 o化物）	250MW（TA）	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）			60V	295ma（ta）		1.6ohm @ 500mA，10v	2.5V @ 250µA	0.9NC @ 4.5V		26pf @ 20V	-
RJK0395DPA-WS＃j53	0.5500	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
TSM60NB380CH	2.1663	RFQ	8075	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM60		MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM60NB380CH	Ear99	8541.29.0095	15,000		n通道		600 v	9.5A（TC）	10V	380MOHM @ 2.85a，10V	4V @ 250µA	19.4 NC @ 10 V	±30V	795 pf @ 100 V	-	83W（TC）
STL24N65M2	1.5922	RFQ	4995	Stmicroelectronics	MDMESH™M2	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL24		MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（8x8）HV	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		650 v	14A（TC）	10V	250MOHM @ 7A，10V	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±25V	1060 pf @ 100 V	-	125W（TC）
IRFB4310GPBF	-	RFQ	3919	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001564018	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	130a（TC）	10V	7mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	250 NC @ 10 V	±20V	7670 pf @ 50 V	-	300W（TC）
SPB80N10L	-	RFQ	9304	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	SPB80N		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		100 v	80A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 58a，10v	2V @ 2mA	240 NC @ 10 V	±20V	4540 pf @ 25 V	-	250W（TC）
PSMN3R5-80ES，127	1.4000	RFQ	4	NXP USA Inc.	*	管子	积极的				PSMN3					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000
PMZB370UNE，315	-	RFQ	3565	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN			MOSFET （金属 o化物）		DFN1006B-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	10,000		n通道		30 V	900mA（ta）	1.8V，4.5V	490MOHM @ 500mA，4.5V	1.05V @ 250µA	1.16 NC @ 15 V	±8V	78 pf @ 25 V	-	360MW（TA），2.7W（TC）
RGW60TS65EHRC11	7.1200	RFQ	5127	Rohm半导体	-	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	RGW60	标准		178 w	TO-247N	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-RGW60TS65EHRC11	Ear99	8541.29.0095	450			400V，15a，10ohm，15V											146 ns	沟渠场停止	650 v	64 a	120 a	1.9V @ 15V，30a		84 NC	37NS/101NS
2N4926	18.4950	RFQ	1243	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-2N4926			1
2SC5772FR-TL-E	0.2800	RFQ	171	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
mps22222arlpg	-	RFQ	6202	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPS222			625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																40 V	600 MA						10NA（ICBO）	NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	300MHz
AUIRF540ZS	-	RFQ	2984	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	AUIRF540		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	36a（TC）	10V	26.5MOHM @ 22a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1770 pf @ 25 V	-	92W（TC）
PBSS5160T，215	0.0600	RFQ	9141	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的				PBSS5					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
MSR2N222222AUB	-	RFQ	1610	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/255	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				500兆	UB	-			到达不受影响	150-MSR2N222222AUB			100																50 V	800 MA						50NA	NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
PBLS1501V115	0.0700	RFQ	36	Nexperia USA Inc.	*	大部分	积极的									下载					Ear99	8542.21.0095	1
PJP60R390E_T0_001	2.0300	RFQ	1	Panjit International Inc.	-	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PJP60R		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJP60R390E_T0_00001	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	1.5A（TA），11a（tc）	10V	390MOHM @ 3.8A，10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	531 PF @ 25 V	-	2W（ta），124W（tc）
BC856SH-QX	0.0305	RFQ	3372	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	BC856			270MW	6-TSSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1727-BC856SH-QX	Ear99	8541.21.0095	3,000																65V	100mA						15NA（icbo）	2 PNP （双）	300mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	100MHz
AOT27S60L_001	-	RFQ	4231	Alpha＆欧米茄半导体公司	AMOS™	大部分	上次购买	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	AOT27		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	-			到达不受影响	785-AOT27S60L_001			1		n通道		600 v	27a（TC）	10V	160MOHM @ 13.5A，10V	4V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±30V	1294 pf @ 100 V	-	357W（TC）
AUIRFR120Z	-	RFQ	9248	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		100 v	8.7A（TC）	10V	190MOHM @ 5.2A，10V	4V @ 25µA	10 NC @ 10 V	±20V	310 pf @ 25 V	-	35W（TC）
TSM4N90CI C0G	-	RFQ	6687	台湾半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM4N90		MOSFET （金属 o化物）		ITO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		900 v	4A（TC）	10V	4ohm @ 2a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±30V	955 pf @ 25 V	-	38.7W（TC）
IRG4PF50WD-201P	-	RFQ	4389	Infineon技术	-	包	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		200 w	TO-247AC	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001541540	Ear99	8541.29.0095	25			720v，28a，5ohm，15V											90 ns	-	900 v	51 a	204 a	2.7V @ 15V，28a	2.63mj（在）上，1.34mj off）	160 NC	50NS/110NS
IPI80N04S4-03	1.0700	RFQ	350	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		pg-to262-3-1	下载					Ear99	8542.39.0001	350		n通道		40 V	80A（TC）	10V	3.7MOHM @ 80A，10V	4V @ 53µA	66 NC @ 10 V	±20V	5260 pf @ 25 V	-	94W（TC）
BUK954R2-55B，127	-	RFQ	9867	Nexperia USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		55 v	75A（TC）	4.5V，10V	3.7MOHM @ 25A，10V	2V @ 1mA	95 NC @ 5 V	±15V	10220 PF @ 25 V	-	300W（TC）
VEC2415-TL-E	-	RFQ	1713年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	VEC2415		MOSFET （金属 o化物）	1W	SOT-28FL/VEC8	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）			60V	3a		80MOHM @ 1.5A，10V	2.6V @ 1mA	10NC @ 10V		505pf @ 20V	逻辑级别门
SIHP22N60S-E3	-	RFQ	1043	Vishay Siliconix	-	管子	过时的		通过洞	TO-220-3	SIHP22		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		SIHP22N60SE3	Ear99	8541.29.0095	25		n通道		600 v	22a（TC）		190mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V		2810 PF @ 25 V	-
IRFAF50	7.0500	RFQ	644	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1		n通道		900 v	6.2A（TC）	10V	1.85ohm @ 6.2a，10v	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	2700 PF @ 25 V	-	150W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²