晶体管(100539)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	频率	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	测试条件	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	Td（开/关）@ 25°C	电压 - 测试	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	输入电容 (Cies) @ Vce	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
ZXT1053AKQTC	0.6100	询价	1840年	分散公司	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	ZXT1053				2.1W		TO-252，（D-Pak）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	2,500人																				75V	5A						10纳安			NPN	460mV@200mA，5A	300@1A，2V	140兆赫
PSMN7R8-120PS127	-	询价	4606	恩智浦	*	大部分	的积极												下载						0000.00.0000	1
DZT851-13	-	询价	6294	分散公司	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	DZT851				1W		SOT-223-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	2,500人																				60V	6A						50nA（ICBO）			NPN	375mV@300mA，6A	100 @ 2A，1V	130兆赫
2N3442	6.6200	询价	第726章	NTE电子公司	-	包	的积极		-65°C ~ 200°C（太焦）	通孔	TO-204AA、TO-3					117 W		TO-204 (TO-3)	下载	不符合 RoHS 指令			2368-2N3442	EAR99	8541.29.0095	1																				140伏	10A						200毫安			NPN	5V@2A、10A	20@3A，4V	80兆赫
PDTA144EMB，315	0.0300	询价	200	恩智浦	-	大部分	的积极			表面贴装	SC-101、SOT-883	PDTA144				250毫W		DFN1006B-3	下载					EAR99	8541.21.0075	1																				50V	100毫安						1微安			PNP - 预偏置	150mV@500μA，10mA	80@5mA，5V	180兆赫	47欧姆	47欧姆
SQA444CEJW-T1_GE3	0.4800	询价	3	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装，可湿侧面	PowerPAK® SC-70-6				MOSFET（金属O化物）			PowerPAK®SC-70W-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道						60V	9A（温度）	4.5V、10V	39毫欧@4.5A，10V	2.5V@250μA	9nC@10V	±20V	530pF@25V	-	13.6W（温度）
MMBT3906-G	0.0200	询价	第202章	onsemi	-	大部分	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3					200毫W		SOT23-3 (TO-236)	下载	不适用				EAR99	8541.21.0075	3,000																				40V	200毫安						100微安			国民党	400mV@5mA、50mA	100@10mA，1V	300兆赫
RF4C100BCTCR	0.8500	询价	3	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerUDFN	RF4C100			MOSFET（金属O化物）			HUML2020L8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道						20V	10A（塔）	1.8V、4.5V	15.6毫欧@10A，4.5V	1.2V@1mA	23.5nC@4.5V	±8V	1660pF@10V	-	2W（塔）
2SC5617-T3-A	0.5500	询价	2	瑞萨电子美国公司	*	大部分	的积极												下载	不适用	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,500人
APT11N80KC3G	-	询价	8224	美高森美公司	CoolMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				MOSFET（金属O化物）			TO-220 [K]	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道						800V	11A（温度）	10V	450毫欧@7.1A，10V	3.9V@680μA	60nC@10V	±20V	1585pF@25V	-	156W（温度）
IRF9362TRPBF	0.9500	询价	17号	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IRF9362			MOSFET（金属O化物）	2W		8-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000	2 个 P 沟道（双）							30V	8A		21毫欧@8A，10V	2.4V@25μA	39nC@10V		1300pF@25V	逻辑电平门
BSM100GD60DLCBOSA1	-	询价	8395	英飞凌科技	-	托盘	过时的		-40℃～125℃	安装结构	模块	BSM100				430W	标准	模块	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10	全桥																		-	600伏	130A		2.45V@15V，100A				500微安	不	4.3nF@25V
SMMBT3906LT3	0.0200	询价	63	onsemi	汽车，AEC-Q101	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3					300毫W		SOT-23-3 (TO-236)	-	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.21.0075	10,000																				40V	200毫安						-			国民党	400mV@5mA、50mA	100@10mA，1V	250兆赫
PXAC260622SC-V1-R250	62.2118	询价	7414	沃尔夫斯皮德公司	*	卷带式 (TR)	不适合新设计					PXAC260622							下载	符合RoHS标准	3（168小时）			EAR99	8541.29.0095	250
CLF1G0035-100,112	-	询价	2135	恩智浦	-	大部分	的积极	150伏		安装结构	SOT-467C			3GHz	N化晶体管高电子迁移率晶体管			SOT467C	下载						0000.00.0000	1			-		330毫安	100W	12分贝											-								50V
2N5883	3.5000	询价	20	固态公司	-	大部分	的积极		-65°C ~ 200°C（太焦）	通孔	TO-204AA、TO-3					200W		TO-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	供应商未定义	2383-2N5883	EAR99	8541.10.0080	10																				60V	25A						2毫安			国民党	4V@6.25A，25A	35@3A，4V	4兆赫兹
2SB1392C-E	-	询价	3743	瑞萨电子美国公司	*	大部分	的积极												下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1
PMST5550-QF	0.0447	询价	7346	安世半导体美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	PMST5550				200毫W		SOT-323	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行	1727-PMST5550-QFTR	EAR99	8541.21.0075	10,000																				140伏	300毫安						100nA（ICBO）			NPN	250mV@5mA，50mA	60@10mA，5V	300兆赫
JANTXV2N3635L	14.3906	询价	5491	微芯片	军事，MIL-PRF-19500/357	大部分	的积极		-65°C ~ 200°C（太焦）	通孔	TO-205AA、TO-5-3金属罐	2N3635				1W		TO-5	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1																				140伏	1A						10微安			国民党	600mV@5mA、50mA	100@50mA，10V	-
IRF2804SPBF	-	询价	9983	英飞凌科技	HEXFET®	管子	SIC停产		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB				MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道						40V	75A（温度）	10V	2mOhm@75A，10V	4V@250μA	240nC@10V	±20V	6450pF@25V	-	300W（温度）
M8550-C-AP	-	询价	8815	微商公司	-	胶带和盒子 (TB)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	M8550				625毫W		TO-92	-	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0075	2,000																				25V	800毫安						100纳安			国民党	500毫伏@80毫安，800毫安	120@100mA，1V	150兆赫
MRF19045LSR5	28.1800	询价	135	飞思卡尔半导体	-	大部分	的积极	65V			NI-400S	MRF19		1.93GHz	LDMOS			NI-400S-240	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	50			-		550毫安	9.5W	14.5分贝											-								26V
MAT02BRC/883C	20.2700	询价	129	模拟器件公司	-	大部分	的积极		-55℃～125℃	表面贴装	20-LCC（J导联）	垫02				500毫W		20-PLCC (9x9)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	1																				40V	20毫安						200pA			2 NPN（双）	100mV@100μA，1mA	500@1mA，40V	-
2SA1627-T-AZ	0.8700	询价	1	瑞萨电子美国公司	*	大部分	的积极												下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1
NTE36	5.1900	询价	296	NTE电子公司	-	包	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3					100W		TO-3P	下载	符合ROHS3标准			2368-NTE36	EAR99	8541.29.0095	1																				140伏	12A						100微安			NPN	2.5V@500mA，5A	60@1A，5V	15兆赫
KSC3265OMTF	0.0400	询价	18	仙童	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3					200毫W		SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.21.0075	3,000																				25V	800毫安						100nA（ICBO）			NPN	400毫伏@20毫安、500毫安	100@100mA，1V	120兆赫
FDPF7N60NZT	0.6400	询价	5	仙童	UniFET-II™	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包				MOSFET（金属O化物）			TO-220F-3	下载					EAR99	8541.29.0095	1		N沟道						600伏	6.5A（温度）	10V	1.25欧姆@3.25A，10V	5V@250μA	17nC@10V	±30V	730pF@25V	-	33W（温度）
SIGC42T60UNX7SA1	-	询价	1099	英飞凌科技	-	大部分	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	死	SIGC42T60	标准					死	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		过时的		1				400V，50A，6.8欧姆，15V															不扩散条约	600伏	50A	150A	3.15V@15V，50A	-	48纳秒/350纳秒
奥尔夫8403	0.9600	询价	17号	国际校正器公司	HEXFET®	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA				MOSFET（金属O化物）			I-PAK	下载					EAR99	8541.29.0095	1		N沟道						40V	100A（温度）	10V	3.1毫欧@76A，10V	3.9V@100μA	99nC@10V	±20V	3171pF@25V	-	99W（温度）
2N549	-	询价	1360	通用半导体	*	大部分	的积极												下载						0000.00.0000	56

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(100539)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²