RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
APT10043JVR	-	RFQ	2867	Microsemi Corporation	-	管子	过时的		底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克			MOSFET （金属 o化物）			isotop®	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		1000 v	22A（TJ）		430MOHM @ 500mA，10V	4V @ 1mA	480 NC @ 10 V		9000 PF @ 25 V	-
APT10086BVFRG	20.4800	RFQ	5331	微芯片技术	PowerMosv®	管子	积极的		通过洞	TO-247-3	APT10086		MOSFET （金属 o化物）			TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		1000 v	13A（TC）		860MOHM @ 500mA，10V	4V @ 1mA	275 NC @ 10 V		4440 pf @ 25 V	-
APT100GT60JR	-	RFQ	3381	微芯片技术	Thunderboltigbt®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	同位素	APT100			500 w	标准	isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	单身的														npt	600 v	148 a		2.5V @ 15V，100a				25 µA	不	5.15 nf @ 25 V
APT10M19SVRG	13.2200	RFQ	1	微芯片技术	PowerMosv®	管子	积极的		表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	APT10M19		MOSFET （金属 o化物）			D3 [S]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		100 v	75A（TC）		19mohm @ 500mA，10v	4V @ 1mA	300 NC @ 10 V		6120 PF @ 25 V	-
apt6021bllg	17.6700	RFQ	9254	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的		通过洞	TO-247-3	APT6021		MOSFET （金属 o化物）			TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		600 v	29A（TC）		210MOHM @ 14.5A，10V	5V @ 1mA	80 NC @ 10 V		3470 pf @ 25 V	-
APT65GP60J	36.0500	RFQ	3440	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT65GP60			431 w	标准	isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	单身的														pt	600 v	130 a		2.7V @ 15V，65a				1 MA	不	7.4 nf @ 25 V
APT65GP60L2DQ2G	20.7000	RFQ	2283	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT65GP60	标准		833 w			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1			400V，65A，5OHM，15V												pt	600 v	198 a	250 a	2.7V @ 15V，65a	605µJ（在）上，895µj（（）	210 NC	30NS/90NS
APT75GN120JDQ3G	-	RFQ	4063	Microsemi Corporation	-	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	同位素				379 w	标准	isotop®	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	30	单身的														沟渠场停止	1200 v	124 a		2.1V @ 15V，75a				200 µA	不	4.8 nf @ 25 V
APT75GP120J	43.8700	RFQ	7825	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	同位素	APT75GP120			543 w	标准	isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	10	单身的														pt	1200 v	128 a		3.9V @ 15V，75a				1 MA	不	7.04 NF @ 25 V
APT75GT120JRDQ3	46.6100	RFQ	6808	微芯片技术	Thunderboltigbt®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT75GT120			480 w	标准	isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	单身的														npt	1200 v	97 a		3.7V @ 15V，75a				200 µA	不	5.1 NF @ 25 V
APT8030LVRG	23.4800	RFQ	6618	微芯片技术	PowerMosv®	管子	积极的		通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT8030		MOSFET （金属 o化物）			TO-264 [L]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		800 v	27a（TC）		300mohm @ 500mA，10v	4V @ 2.5mA	510 NC @ 10 V		7900 PF @ 25 V	-
APT15F60B	-	RFQ	4244	Microsemi Corporation	Power MOS 8™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT15F60		MOSFET （金属 o化物）			TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	16A（TC）	10V	430MOHM @ 7A，10V	5V @ 500µA	72 NC @ 10 V	±30V	2882 PF @ 25 V	-	290W（TC）
APT20GN60BDQ1G	3.2186	RFQ	3270	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT20GN60	标准		136 w		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1			400V，20a，4.3Ohm，15V												沟渠场停止	600 v	40 a	60 a	1.9V @ 15V，20A	（230µJ）（在580µJ上）	120 NC	9NS/140NS
APT20M11JVR	72.3300	RFQ	8308	微芯片技术	PowerMosv®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT20M11		MOSFET （金属 o化物）			isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		200 v	175a（TC）	10V	11mohm @ 500mA，10v	4V @ 5mA	180 NC @ 10 V	±30V	21600 PF @ 25 V	-	700W（TC）
APT20M18LVFRG	33.5800	RFQ	1315	微芯片技术	PowerMosv®	管子	积极的		通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT20M18		MOSFET （金属 o化物）			TO-264 [L]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		200 v	100A（TC）		18mohm @ 50a，10v	4V @ 2.5mA	330 NC @ 10 V		9880 pf @ 25 V	-
APT20M19JVR	-	RFQ	7350	Microsemi Corporation	PowerMosv®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克			MOSFET （金属 o化物）			isotop®	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	10		n通道		200 v	112a（TC）	10V	19mohm @ 500mA，10v	4V @ 1mA	495 NC @ 10 V	±30V	11640 pf @ 25 V	-	500W（TC）
APT20M38SVRG	14.3500	RFQ	9107	微芯片技术	PowerMosv®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	APT20M38		MOSFET （金属 o化物）			D3 [S]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	67A（TC）	10V	38mohm @ 500mA，10v	4V @ 1mA	225 NC @ 10 V	±30V	6120 PF @ 25 V	-	370W（TC）
APT22F120L	15.4200	RFQ	4	微芯片技术	Power MOS 8™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT22F120		MOSFET （金属 o化物）			TO-264 [L]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		1200 v	23A（TC）	10V	700mohm @ 12a，10v	5V @ 2.5mA	260 NC @ 10 V	±30V	8370 pf @ 25 V	-	1040W（TC）
APT25GP90BDQ1G	-	RFQ	3982	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT25GP90	标准		417 w		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1			600V，40a，4.3Ohm，15V												pt	900 v	72 a	110 a	3.9V @ 15V，25a	370µJ（OFF）	110 NC	13ns/55ns
APT30GN60BDQ2G	4.2959	RFQ	2435	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT30GN60	标准		203 w		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1			400V，30a，4.3Ohm，15V												沟渠场停止	600 v	63 a	90 a	1.9V @ 15V，30a	（525µJ）（在700µJ上）	165 NC	12NS/155NS
APT30GT60BRDQ2G	-	RFQ	5717	微芯片技术	Thunderboltigbt®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT30GT60	标准		250 w		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	30			400V，30a，10ohm，15V											22 ns	npt	600 v	64 a	110 a	2.5V @ 15V，30a	80µJ（在）上，605µJ（605µJ）	7.5 NC	12NS/225NS
APT5010B2FLLG	17.3800	RFQ	9102	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	APT5010		MOSFET （金属 o化物）			T-MAX™[B2]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		500 v	46A（TC）	10V	100mohm @ 23a，10v	5V @ 2.5mA	95 NC @ 10 V	±30V	4360 pf @ 25 V	-	520W（TC）
APT50GN60BDQ2G	7.2700	RFQ	8192	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT50GN60	标准		366 w		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1			400V，50a，4.3Ohm，15V												沟渠场停止	600 v	107 a	150 a	1.85V @ 15V，50a	（1185µJ）（在1565µJ上）	325 NC	20N/230N
APT50GT60BRDQ2G	11.2700	RFQ	172	微芯片技术	Thunderboltigbt®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT50GT60	标准		446 w		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1			400V，50A，5OHM，15V											22 ns	npt	600 v	110 a	150 a	2.5V @ 15V，50a	995µJ（在）上，1070µj（（）	240 NC	14NS/240NS
APT50M50JVFR	70.9700	RFQ	2022	微芯片技术	PowerMosv®	管子	积极的		底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT50M50		MOSFET （金属 o化物）			isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		500 v	77A（TC）		50mohm @ 500mA，10v	4V @ 5mA	1000 NC @ 10 V		19600 pf @ 25 V	-
APT50M50L2LLG	37.7300	RFQ	1849年	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的		通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT50M50		MOSFET （金属 o化物）			264 MAX™[L2]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		500 v	89A（TC）		50mohm @ 44.5a，10v	5V @ 5mA	200 NC @ 10 V		10550 pf @ 25 V	-
APT5510JFLL	-	RFQ	2720	Microsemi Corporation	PowerMos7®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克			MOSFET （金属 o化物）			isotop®	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	10		n通道		550 v	44A（TC）	10V	100mohm @ 22a，10v	5V @ 2.5mA	124 NC @ 10 V	±30V	5823 PF @ 25 V	-	463W（TC）
APT56M50L	11.5900	RFQ	3190	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT56M50		MOSFET （金属 o化物）			TO-264	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		500 v	56A（TC）	10V	100mohm @ 28a，10v	5V @ 2.5mA	220 NC @ 10 V	±30V	8800 pf @ 25 V	-	780W（TC）
APT5F100K	-	RFQ	2014	Microsemi Corporation	Power MOS 8™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220 [K]	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		1000 v	5A（TC）	10V	2.8ohm @ 3a，10v	5V @ 500µA	43 NC @ 10 V	±30V	1409 PF @ 25 V	-	225W（TC）
apt6010jll	39.8500	RFQ	9820	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的		底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT6010		MOSFET （金属 o化物）			isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		600 v	47A（TC）		100mohm @ 23.5a，10v	5V @ 2.5mA	150 NC @ 10 V		6710 PF @ 25 V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²