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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | 测试条件 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | trr) | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座( -r1) | 电阻 -发射极底座( r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2N7002K-AU_R1_000A2 | 0.2200 | ![]() | 28 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 2N7002 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 60 V | 300mA(TA) | 4.5V,10V | 3ohm @ 500mA,10v | 2.5V @ 250µA | 0.8 NC @ 5 V | ±20V | 35 pf @ 25 V | - | 500MW(TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | BC846BW/ZLX | - | ![]() | 9748 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | BC846XW | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | BC846 | 6-TSSOP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN5R6-100XS,127 | - | ![]() | 3010 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | PSMN5 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 100 v | 61.8A(TC) | 10V | 5.6mohm @ 15a,10v | 4V @ 1mA | 145 NC @ 10 V | ±20V | 8061 PF @ 50 V | - | 60W(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | DMP3015LSS-13 | 0.8700 | ![]() | 1740年 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | DMP3015 | MOSFET (金属 o化物) | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 30 V | 13A(TA) | 4.5V,10V | 11MOHM @ 13A,10V | 2V @ 250µA | 60.4 NC @ 10 V | ±20V | 2748 PF @ 20 V | - | 2.5W(TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | PMN120ENEAX | 0.3700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | SC-74,SOT-457 | PMN120 | MOSFET (金属 o化物) | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 60 V | 2.5a(ta) | 4.5V,10V | 123mohm @ 2.5a,10v | 2.7V @ 250µA | 6 NC @ 10 V | ±20V | 196 pf @ 30 V | - | 670MW(TA),7.5W(tc) | ||||||||||||||||||||||
![]() | 3LN01SS-TL-E | - | ![]() | 3609 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-81 | 3LN01 | MOSFET (金属 o化物) | 3-SSFP | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | n通道 | 30 V | 150mA(ta) | 1.5V,4V | 3.7OHM @ 80mA,4V | - | 1.58 NC @ 10 V | ±10V | 7 pf @ 10 V | - | 150MW(TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | APT10090SLLG | 17.8700 | ![]() | 2907 | 0.00000000 | 微芯片技术 | PowerMos7® | 管子 | 积极的 | 表面安装 | TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA | APT10090 | MOSFET (金属 o化物) | D3 [S] | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 1000 v | 12A(TC) | 900mohm @ 6a,10v | 5V @ 1mA | 71 NC @ 10 V | 1969 pf @ 25 V | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB34N50DM2AG | 6.1200 | ![]() | 1237 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | 汽车,AEC-Q101,MDMESH™DM2 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB | STB34 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 500 v | 26a(TC) | 10V | 120mohm @ 12.5a,10v | 5V @ 250µA | 44 NC @ 10 V | ±25V | 1850 pf @ 100 V | - | 190w(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | IRFH8337TRPBF | - | ![]() | 4620 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | MOSFET (金属 o化物) | PQFN(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n通道 | 30 V | 12a(12a),35a(tc) | 4.5V,10V | 12.8mohm @ 16.2a,10v | 2.35V @ 25µA | 10 NC @ 10 V | ±20V | 790 pf @ 10 V | - | 3.2W(TA),27W(TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | PN2907ATF | 0.4000 | ![]() | 37 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) | PN2907 | 625兆 | TO-92-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 60 V | 800 MA | 20NA(ICBO) | PNP | 1.6V @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,10V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | PJD10N10_L2_00001 | 0.2226 | ![]() | 1066 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | PJD10 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 3757-PJD10N10_L2_00001TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 100 v | 2.6a(ta),34.7a (TC) | 6V,10V | 130MOHM @ 5A,10V | 3.5V @ 250µA | 12 nc @ 10 V | ±25V | 707 PF @ 30 V | - | 2W(TA),34.7W(TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | DMN65D8LDWQ-7 | 0.4600 | ![]() | 3170 | 0.00000000 | 二极管合并 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | DMN65 | MOSFET (金属 o化物) | 300MW | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 60V | 180mA | 6ohm @ 115mA,10v | 2V @ 250µA | 0.87NC @ 10V | 22pf @ 25V | 逻辑级别门 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP50CN10NGHKSA1 | - | ![]() | 3009 | 0.00000000 | Infineon技术 | coolmos™ | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | pg-to220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 100 v | 20A(TC) | 10V | 50mohm @ 20a,10v | 4V @ 20µA | 16 NC @ 10 V | ±20V | 1090 pf @ 50 V | - | 44W(TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | FDME820NZT | 0.9600 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Onmi | PowerTrench® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-Powerufdfn | FDME820 | MOSFET (金属 o化物) | Microfet 1.6x1.6薄 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n通道 | 20 v | 9a(9a) | 1.8V,4.5V | 18mohm @ 9a,4.5V | 1V @ 250µA | 8.5 NC @ 4.5 V | ±12V | 865 pf @ 10 V | - | 2.1W(TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | BC847BS-QF | 0.2900 | ![]() | 5465 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | BC847 | 200MW | 6-TSSOP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 45V | 100mA | 15NA(icbo) | NPN,PNP | 300mv @ 5mA,100mA | 200 @ 2mA,5v | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB80N03S4L03 | 1.1000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon技术 | coolmos™ | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB | MOSFET (金属 o化物) | pg-to263-3-2 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 295 | n通道 | 30 V | 80A(TC) | 4.5V,10V | 3.7MOHM @ 80A,10V | 2.2V @ 45µA | 75 NC @ 10 V | ±16V | 5100 PF @ 25 V | - | 94W(TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | PJF5NA50_T0_00001 | - | ![]() | 4298 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | PJF5NA50 | MOSFET (金属 o化物) | ITO-220AB | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 3757-PJF5NA50_T0_00001 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 500 v | 5A(5A) | 10V | 1.55ohm @ 2.5a,10v | 4V @ 250µA | 11 NC @ 10 V | ±30V | 491 PF @ 25 V | - | 42W(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | IKW75N60H3 | 1.0000 | ![]() | 8822 | 0.00000000 | Infineon技术 | Trenchstop™ | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | 标准 | 428 w | pg-to247-3-41 | 下载 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 400V,75A,5.2OHM,15V | 190 ns | 沟渠场停止 | 600 v | 80 a | 225 a | 2.3V @ 15V,75a | 3MJ(在)上,1.7MJ(OFF) | 470 NC | 31NS/265NS | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RJP30H1DPD-A0 Q2 | 1.4800 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AOD66919 | 0.6619 | ![]() | 4969 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | Alplosgt™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | AOD66 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252(DPAK) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 785-AOD66919TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 100 v | 22a(22a),70a tc(70a tc) | 4.5V,10V | 6.5MOHM @ 20A,10V | 2.6V @ 250µA | 66 NC @ 10 V | ±20V | 3420 PF @ 50 V | - | 6.2W(ta),156w(tc) | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3019 | 1.0900 | ![]() | 343 | 0.00000000 | NTE Electronics,Inc | - | 包 | 积极的 | 175°C(TJ) | 通过洞 | 到205AD,TO-39-3 | 800兆 | 到39 | 下载 | rohs3符合条件 | 2368-2N3019 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 V | 1 a | 10NA(ICBO) | NPN | 500mv @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,10V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCTL270N04Y-TP | 3.2100 | ![]() | 5628 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powersfn | MOSFET (金属 o化物) | Toll-8L | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n通道 | 40 V | 270a(TC) | 6V,10V | 2mohm @ 30a,10v | 4.4V @ 250µA | 135.6 NC @ 10 V | ±20V | 8010 PF @ 25 V | - | 391W(TJ) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IGC10T65U8QX1SA1 | - | ![]() | 8806 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | - | - | - | IGC10 | - | - | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||
APT35GP120B2DQ2G | - | ![]() | 2948 | 0.00000000 | 微芯片技术 | PowerMos7® | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3变体 | APT35GP120 | 标准 | 543 w | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 600V,35A,4.3OHM,15V | pt | 1200 v | 96 a | 140 a | 3.9V @ 15V,35a | (750µJ)(在680µJ上) | 150 NC | 16NS/95NS | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RN1903FE,LF(ct | 0.2500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | RN1903 | 100MW | ES6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0075 | 4,000 | 50V | 100mA | 500NA | 2 NPN- 预偏(双重) | 300mv @ 250µA,5mA | 70 @ 10mA,5V | 250MHz | 22KOHMS | 22KOHMS | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IGB30N60H3XKSA1 | - | ![]() | 8197 | 0.00000000 | Infineon技术 | Trenchstop™ | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB | 标准 | 187 W | pg-to263-3-2 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400V,30a,10.5Ohm,15V | 沟渠场停止 | 600 v | 60 a | 120 a | 2.4V @ 15V,30a | (730µJ)(在),440µJ((((() | 165 NC | 18NS/207NS | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BC817-16W-AU_R1_000A1 | 0.2100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | BC817 | 300兆 | SOT-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 3757-BC817-16W-AU_R1_000A1DKR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 45 v | 500 MA | 100NA(ICBO) | NPN | 700mv @ 50mA,500mA | 100 @ 100mA,1V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||
BCP5616TTC | 0.0750 | ![]() | 3713 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | BCP5616 | 2.5 w | SOT-223-3 | 下载 | 到达不受影响 | 31-BCP5616TTCTR | Ear99 | 8541.29.0075 | 4,000 | 80 V | 1 a | 100NA(ICBO) | NPN | 500mv @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,2V | 150MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PJQ5461A_R2_00001 | 0.1963 | ![]() | 8481 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | PJQ5461 | MOSFET (金属 o化物) | DFN5060-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 3757-PJQ5461A_R2_00001TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 60 V | 3.2a(ta),11.5a(tc) | 4.5V,10V | 110mohm @ 6a,10v | 2.5V @ 250µA | 10 NC @ 10 V | ±20V | 785 pf @ 30 V | - | (2W)(26W)(26W)TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | MMDT3946Q | 0.0420 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | MMDT3946 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-MMDT3946QTR | Ear99 | 3,000 |
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