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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet 测试条件 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() trr) IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电流 -icm) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 切换能量 门充电 TD (开/关) @ 25°C 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2)
2N7002K-AU_R1_000A2 Panjit International Inc. 2N7002K-AU_R1_000A2 0.2200
RFQ
ECAD 28 0.00000000 Panjit International Inc. 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 2N7002 MOSFET (金属 o化物) SOT-23 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 60 V 300mA(TA) 4.5V,10V 3ohm @ 500mA,10v 2.5V @ 250µA 0.8 NC @ 5 V ±20V 35 pf @ 25 V - 500MW(TA)
BC846BW/ZLX Nexperia USA Inc. BC846BW/ZLX -
RFQ
ECAD 9748 0.00000000 Nexperia USA Inc. BC846XW 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 BC846 6-TSSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000
PSMN5R6-100XS,127 NXP USA Inc. PSMN5R6-100XS,127 -
RFQ
ECAD 3010 0.00000000 NXP USA Inc. - 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 PSMN5 MOSFET (金属 o化物) TO-220F - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 61.8A(TC) 10V 5.6mohm @ 15a,10v 4V @ 1mA 145 NC @ 10 V ±20V 8061 PF @ 50 V - 60W(TC)
DMP3015LSS-13 Diodes Incorporated DMP3015LSS-13 0.8700
RFQ
ECAD 1740年 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) DMP3015 MOSFET (金属 o化物) 8-so 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 30 V 13A(TA) 4.5V,10V 11MOHM @ 13A,10V 2V @ 250µA 60.4 NC @ 10 V ±20V 2748 PF @ 20 V - 2.5W(TA)
PMN120ENEAX Nexperia USA Inc. PMN120ENEAX 0.3700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 SC-74,SOT-457 PMN120 MOSFET (金属 o化物) 6-TSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 60 V 2.5a(ta) 4.5V,10V 123mohm @ 2.5a,10v 2.7V @ 250µA 6 NC @ 10 V ±20V 196 pf @ 30 V - 670MW(TA),7.5W(tc)
3LN01SS-TL-E onsemi 3LN01SS-TL-E -
RFQ
ECAD 3609 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 SC-81 3LN01 MOSFET (金属 o化物) 3-SSFP 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 8,000 n通道 30 V 150mA(ta) 1.5V,4V 3.7OHM @ 80mA,4V - 1.58 NC @ 10 V ±10V 7 pf @ 10 V - 150MW(TA)
APT10090SLLG Microchip Technology APT10090SLLG 17.8700
RFQ
ECAD 2907 0.00000000 微芯片技术 PowerMos7® 管子 积极的 表面安装 TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA APT10090 MOSFET (金属 o化物) D3 [S] 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 1000 v 12A(TC) 900mohm @ 6a,10v 5V @ 1mA 71 NC @ 10 V 1969 pf @ 25 V -
STB34N50DM2AG STMicroelectronics STB34N50DM2AG 6.1200
RFQ
ECAD 1237 0.00000000 Stmicroelectronics 汽车,AEC-Q101,MDMESH™DM2 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB STB34 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 500 v 26a(TC) 10V 120mohm @ 12.5a,10v 5V @ 250µA 44 NC @ 10 V ±25V 1850 pf @ 100 V - 190w(TC)
IRFH8337TRPBF Infineon Technologies IRFH8337TRPBF -
RFQ
ECAD 4620 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET (金属 o化物) PQFN(5x6) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 n通道 30 V 12a(12a),35a(tc) 4.5V,10V 12.8mohm @ 16.2a,10v 2.35V @ 25µA 10 NC @ 10 V ±20V 790 pf @ 10 V - 3.2W(TA),27W(TC)
PN2907ATF onsemi PN2907ATF 0.4000
RFQ
ECAD 37 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) PN2907 625兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 60 V 800 MA 20NA(ICBO) PNP 1.6V @ 50mA,500mA 100 @ 150mA,10V 200MHz
PJD10N10_L2_00001 Panjit International Inc. PJD10N10_L2_00001 0.2226
RFQ
ECAD 1066 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 PJD10 MOSFET (金属 o化物) TO-252 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3757-PJD10N10_L2_00001TR Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 100 v 2.6a(ta),34.7a (TC) 6V,10V 130MOHM @ 5A,10V 3.5V @ 250µA 12 nc @ 10 V ±25V 707 PF @ 30 V - 2W(TA),34.7W(TC)
DMN65D8LDWQ-7 Diodes Incorporated DMN65D8LDWQ-7 0.4600
RFQ
ECAD 3170 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 DMN65 MOSFET (金属 o化物) 300MW SOT-363 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道(双) 60V 180mA 6ohm @ 115mA,10v 2V @ 250µA 0.87NC @ 10V 22pf @ 25V 逻辑级别门
IPP50CN10NGHKSA1 Infineon Technologies IPP50CN10NGHKSA1 -
RFQ
ECAD 3009 0.00000000 Infineon技术 coolmos™ 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 MOSFET (金属 o化物) pg-to220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 100 v 20A(TC) 10V 50mohm @ 20a,10v 4V @ 20µA 16 NC @ 10 V ±20V 1090 pf @ 50 V - 44W(TC)
FDME820NZT onsemi FDME820NZT 0.9600
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-Powerufdfn FDME820 MOSFET (金属 o化物) Microfet 1.6x1.6薄 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 20 v 9a(9a) 1.8V,4.5V 18mohm @ 9a,4.5V 1V @ 250µA 8.5 NC @ 4.5 V ±12V 865 pf @ 10 V - 2.1W(TA)
BC847BS-QF Nexperia USA Inc. BC847BS-QF 0.2900
RFQ
ECAD 5465 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 BC847 200MW 6-TSSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 10,000 45V 100mA 15NA(icbo) NPN,PNP 300mv @ 5mA,100mA 200 @ 2mA,5v 100MHz
IPB80N03S4L03 Infineon Technologies IPB80N03S4L03 1.1000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Infineon技术 coolmos™ 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB MOSFET (金属 o化物) pg-to263-3-2 下载 不适用 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 295 n通道 30 V 80A(TC) 4.5V,10V 3.7MOHM @ 80A,10V 2.2V @ 45µA 75 NC @ 10 V ±16V 5100 PF @ 25 V - 94W(TC)
PJF5NA50_T0_00001 Panjit International Inc. PJF5NA50_T0_00001 -
RFQ
ECAD 4298 0.00000000 Panjit International Inc. - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 PJF5NA50 MOSFET (金属 o化物) ITO-220AB - rohs3符合条件 (1 (无限) 3757-PJF5NA50_T0_00001 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 5A(5A) 10V 1.55ohm @ 2.5a,10v 4V @ 250µA 11 NC @ 10 V ±30V 491 PF @ 25 V - 42W(TC)
IKW75N60H3 Infineon Technologies IKW75N60H3 1.0000
RFQ
ECAD 8822 0.00000000 Infineon技术 Trenchstop™ 大部分 积极的 -40°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 标准 428 w pg-to247-3-41 下载 Ear99 8541.29.0095 1 400V,75A,5.2OHM,15V 190 ns 沟渠场停止 600 v 80 a 225 a 2.3V @ 15V,75a 3MJ(在)上,1.7MJ(OFF) 470 NC 31NS/265NS
RJP30H1DPD-A0#Q2 Renesas Electronics America Inc RJP30H1DPD-A0 Q2 1.4800
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 - 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 3,000
AOD66919 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD66919 0.6619
RFQ
ECAD 4969 0.00000000 Alpha&欧米茄半导体公司 Alplosgt™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 AOD66 MOSFET (金属 o化物) TO-252(DPAK) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 785-AOD66919TR Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 100 v 22a(22a),70a tc(70a tc) 4.5V,10V 6.5MOHM @ 20A,10V 2.6V @ 250µA 66 NC @ 10 V ±20V 3420 PF @ 50 V - 6.2W(ta),156w(tc)
2N3019 NTE Electronics, Inc 2N3019 1.0900
RFQ
ECAD 343 0.00000000 NTE Electronics,Inc - 积极的 175°C(TJ) 通过洞 到205AD,TO-39-3 800兆 到39 下载 rohs3符合条件 2368-2N3019 Ear99 8541.21.0095 1 80 V 1 a 10NA(ICBO) NPN 500mv @ 50mA,500mA 100 @ 150mA,10V 100MHz
MCTL270N04Y-TP Micro Commercial Co MCTL270N04Y-TP 3.2100
RFQ
ECAD 5628 0.00000000 微商业公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Powersfn MOSFET (金属 o化物) Toll-8L - rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 40 V 270a(TC) 6V,10V 2mohm @ 30a,10v 4.4V @ 250µA 135.6 NC @ 10 V ±20V 8010 PF @ 25 V - 391W(TJ)
IGC10T65U8QX1SA1 Infineon Technologies IGC10T65U8QX1SA1 -
RFQ
ECAD 8806 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 积极的 - - - IGC10 - - - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 0000.00.0000 1 - - - - -
APT35GP120B2DQ2G Microchip Technology APT35GP120B2DQ2G -
RFQ
ECAD 2948 0.00000000 微芯片技术 PowerMos7® 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3变体 APT35GP120 标准 543 w 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 600V,35A,4.3OHM,15V pt 1200 v 96 a 140 a 3.9V @ 15V,35a (750µJ)(在680µJ上) 150 NC 16NS/95NS
RN1903FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1903FE,LF(ct 0.2500
RFQ
ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOT-563,SOT-666 RN1903 100MW ES6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0075 4,000 50V 100mA 500NA 2 NPN- 预偏(双重) 300mv @ 250µA,5mA 70 @ 10mA,5V 250MHz 22KOHMS 22KOHMS
IGB30N60H3XKSA1 Infineon Technologies IGB30N60H3XKSA1 -
RFQ
ECAD 8197 0.00000000 Infineon技术 Trenchstop™ 大部分 积极的 -40°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB 标准 187 W pg-to263-3-2 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 1,000 400V,30a,10.5Ohm,15V 沟渠场停止 600 v 60 a 120 a 2.4V @ 15V,30a (730µJ)(在),440µJ((((() 165 NC 18NS/207NS
BC817-16W-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BC817-16W-AU_R1_000A1 0.2100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 BC817 300兆 SOT-323 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3757-BC817-16W-AU_R1_000A1DKR Ear99 8541.21.0095 3,000 45 v 500 MA 100NA(ICBO) NPN 700mv @ 50mA,500mA 100 @ 100mA,1V 100MHz
BCP5616TTC Diodes Incorporated BCP5616TTC 0.0750
RFQ
ECAD 3713 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-261-4,TO-261AA BCP5616 2.5 w SOT-223-3 下载 到达不受影响 31-BCP5616TTCTR Ear99 8541.29.0075 4,000 80 V 1 a 100NA(ICBO) NPN 500mv @ 50mA,500mA 100 @ 150mA,2V 150MHz
PJQ5461A_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5461A_R2_00001 0.1963
RFQ
ECAD 8481 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Powervdfn PJQ5461 MOSFET (金属 o化物) DFN5060-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3757-PJQ5461A_R2_00001TR Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 60 V 3.2a(ta),11.5a(tc) 4.5V,10V 110mohm @ 6a,10v 2.5V @ 250µA 10 NC @ 10 V ±20V 785 pf @ 30 V - (2W)(26W)(26W)TC)
MMDT3946Q Yangjie Technology MMDT3946Q 0.0420
RFQ
ECAD 300 0.00000000 Yangjie技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 MMDT3946 - Rohs符合条件 到达不受影响 4617-MMDT3946QTR Ear99 3,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库