RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
APTMC120AM16CD3AG	-	RFQ	2840	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	D-3模块	APTMC120		（SIC）	625W	D3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（半桥）			1200V（1.2kV）	131a（TC）		20mohm @ 100a，20v	2.2V @ 5mA ty（typ）	246nc @ 20V		4750pf @ 1000V	-
FDPF44N25TRDTU	-	RFQ	3910	Onmi	Unifet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，形成的线索	FDPF44		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F（LG形成）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		250 v	44A（TC）	10V	69mohm @ 22a，10v	5V @ 250µA	61 NC @ 10 V	±30V	2870 pf @ 25 V	-	38W（TC）
TPWR8004PL，L1Q	2.9700	RFQ	1220	东芝半导体和存储	U-Mosix-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	TPWR8004		MOSFET （金属 o化物）		8-dsop提前	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		40 V	150a（TC）	4.5V，10V	0.8MOHM @ 50a，10v	2.4V @ 1mA	103 NC @ 10 V	±20V	9600 PF @ 20 V	-	1W（1W），170w（tc）
STGB20V60DF	-	RFQ	8911	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STGB20	标准		167 w	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			400V，20A，15V											40 ns	沟渠场停止	600 v	40 a	80 a	2.2V @ 15V，20A	200µJ（在）上，130µJ（OFF）	116 NC	38NS/149NS
STGB30V60DF	3.1700	RFQ	2532	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STGB30	标准		258 w	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			400V，30a，10ohm，15V											53 ns	沟渠场停止	600 v	60 a	120 a	2.3V @ 15V，30a	（383µJ）（在），233µj（（（（（（）	163 NC	45NS/189NS
STL18N60M2	1.2230	RFQ	1348	Stmicroelectronics	MDMESH™II Plus	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL18		MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（5x6）HV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		600 v	9A（TC）	10V	308MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	21.5 NC @ 10 V	±25V	791 PF @ 100 V	-	57W（TC）
STT3P2UH7	-	RFQ	7168	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	stt3p		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		20 v	3A（TC）	1.8V，4.5V	100mohm @ 1.5A，4.5V	1V @ 250µA	4.8 NC @ 4.5 V	±8V	510 pf @ 10 V	-	1.6W（TC）
STF10N80K5	3.4000	RFQ	916	Stmicroelectronics	MDMESH™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF10		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-15113-5	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		800 v	9A（TC）	10V	600MOHM @ 4.5A，10V	5V @ 100µA	22 NC @ 10 V	±30V	635 pf @ 100 V	-	30W（TC）
STGFW20H65FB	3.7900	RFQ	205	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3PFM，SC-93-3	STGFW20	标准		52 w	to-3pf	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，20a，10ohm，15V												沟渠场停止	650 v	40 a	80 a	2V @ 15V，20A	（77µJ）（在），170µJ（170µJ）中	120 NC	30ns/139ns
STGW80V60F	6.9700	RFQ	44	Stmicroelectronics	-	管子	上次购买	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGW80	标准		469 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，80a，10ohm，15V												沟渠场停止	600 v	120 a	240 a	2.3V @ 15V，80a	1.8mj（在）上，1MJ（1MJ）	448 NC	60NS/220NS
STGWA80H65FB	-	RFQ	5060	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGWA80	标准		469 w	TO-247长铅	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，80a，10ohm，15V												沟渠场停止	650 v	120 a	240 a	2V @ 15V，80a	2.1mj（在）上，1.5mj off）	414 NC	84NS/280NS
STGWT80H65FB	6.3300	RFQ	88	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	STGWT80	标准		469 w	to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，80a，10ohm，15V												沟渠场停止	650 v	120 a	240 a	2V @ 15V，80a	2.1mj（在）上，1.5mj off）	414 NC	84NS/280NS
STGWT80V60F	5.7600	RFQ	205	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	STGWT80	标准		469 w	to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，80a，10ohm，15V												沟渠场停止	600 v	120 a	240 a	2.3V @ 15V，80a	1.8mj（在）上，1MJ（1MJ）	448 NC	60NS/220NS
SH8M41GZETB	1.4800	RFQ	5107	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SH8M41		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道			80V	3.4a，2.6a		130MOHM @ 3.4A，10V	2.5V @ 1mA	9.2nc @ 5V		600pf @ 10V	逻辑水平门，4V驱动器
CSD13383F4T	0.9100	RFQ	5	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD13383F4		MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	250		n通道		12 v	2.9a（ta）	2.5V，4.5V	44mohm @ 500mA，4.5V	1.25V @ 250µA	2.6 NC @ 4.5 V	±10V	291 PF @ 6 V	-	500MW（TA）
FQP2P40-F080	1.3300	RFQ	2	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP2		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		P通道		400 v	2A（TC）	10V	6.5OHM @ 1A，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	350 pf @ 25 V	-	63W（TC）
FDMS0302S	-	RFQ	4449	Onmi	PoterTrench®，SyncFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS0302		MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		30 V	29A（ta），49a（tc）	4.5V，10V	1.9mohm @ 28a，10v	3V @ 1mA	109 NC @ 10 V	±20V	7350 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），89W（89W）TC）
FDMS0306AS	1.4300	RFQ	2525	Onmi	PoterTrench®，SyncFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS0306		MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		30 V	26a（26a），49a （TC）	4.5V，10V	2.4mohm @ 26a，10v	3V @ 1mA	57 NC @ 10 V	±20V	3550 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），59W（TC）
FDMS0310S	-	RFQ	8145	Onmi	PoterTrench®，SyncFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS0310		MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		30 V	19a（19a ta），42a（tc）	4.5V，10V	4mohm @ 18a，10v	3V @ 1mA	46 NC @ 10 V	±20V	2820 PF @ 15 V	-	2.5W（ta），46W（TC）
STL17N65M5	2.5200	RFQ	941	Stmicroelectronics	MDMESH™v	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL17		MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（8x8）HV	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		650 v	1.8A（ta），10a（tc）	10V	374MOHM @ 5.5A，10V	5V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±25V	816 pf @ 100 V	-	2.8W（ta），70w（tc）
FDMC7672S-F126	-	RFQ	3090	Onmi	PoterTrench®，SyncFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMC76		MOSFET （金属 o化物）		8-mlp（3.3x3.3）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		30 V	14.8a（ta）	4.5V，10V	6mohm @ 14.8A，10V	3V @ 1mA	42 NC @ 10 V	±20V	2520 PF @ 15 V	-	2.3W（TA），36W（TC）
FDMC8884-F126	-	RFQ	5636	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMC88		MOSFET （金属 o化物）		8-mlp（3.3x3.3）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		30 V	（9A）（15A）（15A）TC）	4.5V，10V	19mohm @ 9a，10v	2.5V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	685 pf @ 15 V	-	2.3W（TA），18W（tc）
FDMS7606	-	RFQ	2258	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	8-Powerwdfn	FDMS76		MOSFET （金属 o化物）	1W	Power56	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）			30V	11.5a，12a		11.4mohm @ 11.5A，10V	3V @ 250µA	22nc @ 10V		1400pf @ 15V	逻辑级别门
FQD2N60CTM-WS	-	RFQ	8354	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	FQD2N60		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		600 v	1.9A（TC）	10V	4.7ohm @ 950mA，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±30V	235 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），44W（tc）
FQD4P40TM-AM002	-	RFQ	3742	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	FQD4		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道		400 v	2.7A（TC）	10V	3.1OHM @ 1.35a，10V	5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±30V	680 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），50W（50W）（TC）
FDZ1416NZ	-	RFQ	2441	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA，WLCSP	FDZ1416		MOSFET （金属 o化物）	500MW	4-WLCSP（1.6x1.4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	5,000	2 n 通道（双）公共排水			-	-		-	1.3V @ 250µA	17nc @ 4.5V		-	-
FQA16N50-F109	-	RFQ	2797	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FQA16		MOSFET （金属 o化物）		to-3p	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	16A（TC）	10V	320MOHM @ 8A，10V	5V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±30V	3000 pf @ 25 V	-	200W（TC）
FQU5N50CTU-WS	-	RFQ	9863	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	FQU5N50		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,040		n通道		500 v	4A（TC）	10V	1.4OHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	625 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），48W（tc）
2N1613 PBFRE	2.2500	RFQ	215	中央半导体公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3				3 W	到39	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500																50 V	500 MA						10NA（ICBO）	NPN	1.5V @ 15mA，150mA	40 @ 150mA，10V	60MHz
2n2907a pbfree	2.4100	RFQ	6	中央半导体公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3				400兆	TO-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																60 V	600 MA						10NA（ICBO）	PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	200MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²