RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
2SB1406-AN	0.1900	RFQ	12	Onmi	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	1
2SK2111-D-T1-AZ	0.4300	RFQ	8	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,000
MCH6606-TL-E	-	RFQ	9032	Onmi	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					MCH6606			-			-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000																-
FQI4N20	-	RFQ	4903	Fairchild半导体	QFET™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	950		n通道						200 v	3.6A（TC）	10V	1.4OHM @ 1.8A，10V	5V @ 250µA	6.5 NC @ 10 V	±30V	220 pf @ 25 V	-	3.13W（TA），45W（（（（（（（（（（
NVMFS020N10MCL	-	RFQ	8561	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-	-		NVMFS020			-			-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		-							-	-	-	-		-		-	-
FQB19N20CTM	1.5300	RFQ	7254	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB19N20			MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道						200 v	19a（tc）	10V	170MOHM @ 9.5A，10V	4V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±30V	1080 pf @ 25 V	-	3.13W（TA），139w（tc）
AA1A4M-T（nd）-a	0.4400	RFQ	17	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	1
PH3530DL115	0.4600	RFQ	24	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
KSC2331YTA	0.0600	RFQ	387	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	KSC2331				1 w	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																					60 V	700 MA							100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	120 @ 50mA，2V	50MHz
FDC602P_F095	-	RFQ	4064	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	FDC602			MOSFET （金属 o化物）		SuperSot™-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道						20 v	5.5A（ta）	2.5V，4.5V	35MOHM @ 5.5A，4.5V	1.5V @ 250µA	20 NC @ 4.5 V	±12V	1456 pf @ 10 V	-	1.6W（TA）
IPP80N08S207AKSA1	2.3890	RFQ	8676	Infineon技术	Optimos™	管子	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP80N08			MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道						75 v	80A（TC）	10V	7.4mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	4700 PF @ 25 V	-	300W（TC）
R6010ANX	2.3862	RFQ	7247	Rohm半导体	-	大部分	不适合新设计		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	R6010			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道						600 v	10a（10a）	10V	-	-		±30V		-	50W（TC）
2SA2018E3HZGTL	0.4400	RFQ	2	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	2SA2018				150兆	EMT3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																					12 v	500 MA							100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 10mA，200mA	270 @ 10mA，2V	260MHz
FGF65A3H	-	RFQ	1900	Sanken Electric USA Inc.	-	大部分	积极的		175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	FGF65	标准			72 w	to-3pf	下载	Rohs符合条件			1261-FGF65A3H	Ear99	8541.29.0095	1,440				400V，30a，10ohm，15V															50 ns	沟渠场停止	650 v	50 a	90 a	2.73V @ 15V，30a	（500µJ）（在400µJ上）	60 NC	30NS/90NS
BTS114AE3045ANTMA1	3.4100	RFQ	24	Infineon技术	-	大部分	积极的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB						pg-to220-3-5	下载					Ear99	8541.29.0095	88
STL3NM60N	2.4000	RFQ	9	Stmicroelectronics	MDMESH™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL3NM60			MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-13351-2	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						600 v	650mA（ta），2.2a（2a）TC）	10V	1.8OHM @ 1A，10V	4V @ 250µA	9.5 NC @ 10 V	±25V	188 pf @ 50 V	-	（2W）（22W）（22w（tc）
Art1k6phz	-	RFQ	3926	Ampleon USA Inc.	艺术	托盘	积极的	177 v		表面安装	OMP-1230-4G-1	Art1k6		1MHz〜450MHz	ldmos		OMP-1230-4G-1	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20	双重，共同来源		960NA		50 mA	1600W	27.4db											-										55 v
SQJ850EP-T1_GE3	1.7900	RFQ	5	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ850			MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						60 V	24A（TC）	4.5V，10V	23mohm @ 10.3a，10v	2.5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1225 pf @ 30 V	-	45W（TC）
JANTX2N4236L	40.5517	RFQ	9574	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/580	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3					1 w	TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANTX2N4236L			1																					80 V	1 a							1ma	PNP	600mv @ 100mA，1a	40 @ 100mA，1V	-
BSP88L6327	-	RFQ	3665	Infineon技术	Sipmos®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT223-4-21	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道						240 v	350mA（ta）	2.8V，10V	6ohm @ 350mA，10v	1.4V @ 108µA	6.8 NC @ 10 V	±20V	95 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
BUK9540-100A，127	-	RFQ	6316	Nexperia USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						100 v	39A（TC）	4.5V，10V	39mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	48 NC @ 5 V	±15V	3072 PF @ 25 V	-	158W（TC）
NTMFS6H848NT1G	2.0200	RFQ	3685	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS6			MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道						80 V	（13a）（ta），57A（tc）	6V，10V	9.4mohm @ 10a，10v	4V @ 70µA	16 NC @ 10 V	±20V	1180 pf @ 40 V	-	3.7W（ta），73W（tc）
SIJA22DP-T1-GE3	1.3900	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIJA22			MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIJA22DP-T1-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						25 v	64A（TA），201a （TC）		0.74MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 250µA	125 NC @ 10 V	+20V，-16V	6500 PF @ 15 V	-	4.8W（TA），48W（tc）
SIHB105N60EF-GE3	3.8300	RFQ	3134	Vishay Siliconix	EF	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB105			MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道						600 v	29A（TC）	10V	102MOHM @ 13A，10V	5V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±30V	1804 PF @ 100 V	-	208W（TC）
APT55M65JFLL	-	RFQ	5770	Microsemi Corporation	PowerMos7®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克				MOSFET （金属 o化物）		isotop®	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道						550 v	63A（TC）	10V	65mohm @ 31.5a，10v	5V @ 5mA	205 NC @ 10 V	±30V	9165 PF @ 25 V	-	595W（TC）
2SB1228	0.5700	RFQ	2	Onmi	*	大部分	积极的											下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
MMDT4401	0.0290	RFQ	300	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜150°C	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	MMDT44				200MW	SOT-363	-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-MMDT4401TR	Ear99		3,000																					40V	600mA							100NA（ICBO）	2 NPN （双）	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，1V	250MHz
IRFB3256PBF	-	RFQ	1600	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFB3256			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						60 V	75A（TC）	10V	3.4mohm @ 75a，10v	4V @ 150µA	195 NC @ 10 V	±20V	6600 PF @ 48 V	-	300W（TC）
MJD117-TP	-	RFQ	3383	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MJD117				1.75 w	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		353-MJD117-TPTR	Ear99	8541.29.0095	2,500																					100 v	2 a							10NA	PNP	3V @ 40mA，4a	1000 @ 2a，3v	25MHz
DTC113EET1G	-	RFQ	7133	Sanyo	*	大部分	积极的											-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-DTC113EET1G-600057			1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²