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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	电阻-RDS（（在）
SSM6K504NU，LF	0.3800	RFQ	4	东芝半导体和存储	U-Mosvii	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	SSM6K504			MOSFET （金属 o化物）		6-udfnb（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道						30 V	9a（9a）	4.5V，10V	19.5mohm @ 4A，10V	2.5V @ 100µA	4.8 NC @ 4.5 V	±20V	620 pf @ 15 V	-	1.25W（TA）
IXXH30N60B3	5.0815	RFQ	8055	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXXH30	标准			270 w	TO-247AD（IXXH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，24a，10ohm，15V																pt	600 v	60 a	115 a	1.85V @ 15V，24a	（550µJ）（在500µJ）上（500µJ）	39 NC	23ns/97ns
C3M0280090J	6.5900	RFQ	5	Wolfspeed，Inc。	C3M™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	C3M0280090			sicfet （碳化硅）		TO-263-7	下载	Rohs符合条件	3（168））			Ear99	8541.29.0095	50	n通道						900 v	11A（TC）	15V	360MOHM @ 7.5A，15V	3.5V @ 1.2mA	9.5 NC @ 15 V	+18V，-8V	150 pf @ 600 V	-	50W（TC）
CGHV60040D-GP4	51.4890	RFQ	140	Wolfspeed，Inc。	甘	托盘	积极的	150 v			死	CGHV60040		6GHz	hemt		死	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0075	10		-		65 ma	40W	17dB											-										50 V
DMN10H700S-7	0.4200	RFQ	31	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMN10			MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道						100 v	700mA（TA）	6V，10V	700MOHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	4.6 NC @ 10 V	±20V	235 pf @ 50 V	-	400MW（TA）
DMNH6012SPS-13	0.5513	RFQ	6134	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	DMNH6012			MOSFET （金属 o化物）		PowerDI5060-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道						60 V	50A（TC）	10V	11mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	35.2 NC @ 10 V	±20V	1926 PF @ 30 V	-	1.6W（TA）
SPD04N60S5BTMA1	-	RFQ	6862	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SPD04N			MOSFET （金属 o化物）		pg-to252-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000313946	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道						600 v	4.5A（TC）	10V	950MOHM @ 2.8A，10V	5.5V @ 200µA	22.9 NC @ 10 V	±20V	580 pf @ 25 V	-	50W（TC）
IPP80P04P405AKSA1	-	RFQ	1111	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ipp80p			MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000652622	Ear99	8541.29.0095	500	P通道						40 V	80A（TC）	10V	5.2MOHM @ 80A，10V	4V @ 250µA	151 NC @ 10 V	±20V	10300 PF @ 25 V	-	125W（TC）
RJK5014DPK-00＃t0	-	RFQ	2815	Onmi	*	大部分	积极的					RJK5014						-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
DMNH4011SK3Q-13	0.4939	RFQ	7703	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DMNH4011			MOSFET （金属 o化物）		TO-252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道						40 V	50A（TC）	10V	10mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	25.5 NC @ 10 V	±20V	1405 pf @ 20 V	-	2.6W（ta）
94-4849pbf	-	RFQ	2029	Infineon技术	-	管子	过时的											下载		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	75								-
IPB180N06S4H1ATMA2	4.3600	RFQ	6	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	IPB180			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道						60 V	180a（TC）	10V	1.7MOHM @ 100A，10V	4V @ 200µA	270 NC @ 10 V	±20V	21900 PF @ 25 V	-	250W（TC）
IXTT2N300P3HV	52.2600	RFQ	23	ixys	Polar P3™	管子	积极的		-55°C〜155°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixtt2			MOSFET （金属 o化物）		TO-268HV（IXTT）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-ixtt2n300p3hv	Ear99	8541.29.0095	30	n通道						3000 v	2A（TC）	10V	21ohm @ 1A，10V	5V @ 250µA	73 NC @ 10 V	±20V	1890 pf @ 25 V	-	520W（TC）
SUP70090E-GE3	3.0600	RFQ	56	Vishay Siliconix	Thunderfet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP70090			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500	n通道						100 v	50A（TC）	7.5V，10V	8.9mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	1950 pf @ 50 V	-	125W（TC）
IGW40N60TPXKSA1	3.2500	RFQ	480	Infineon技术	Trenchstop™	管子	不适合新设计		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IGW40N60	标准			246 w	pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，40a，10.1Ohm，15V																沟渠场停止	600 v	67 a	120 a	1.8V @ 15V，40a	1.06mj（在）（610µJ）上）	177 NC	18NS/222NS
PTFB090901FA-V2-R0	-	RFQ	9332	Wolfspeed，Inc。	-	条	过时的	65 v		表面安装	H-37265-2			960MHz	ldmos		H-37265-2	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8542.33.0001	50		-		650 MA	25W	19.5db											-										28 V
PTFB182503EL-V1-R0	106.9166	RFQ	9522	Wolfspeed，Inc。	-	条	不适合新设计	65 v		底盘安装	H-33288-6	PTFB182503		1.88GHz	ldmos		H-33288-6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8542.33.0001	50		-		1.85 a	50W	19db											-										30 V
STFH24N60M2	2.9500	RFQ	905	Stmicroelectronics	MDMESH™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STFH24			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-16596-5	Ear99	8541.29.0095	46	n通道						600 v	18A（TC）	10V	190mohm @ 9a，10v	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±25V	1060 pf @ 100 V	-	35W（TC）
IPS70R1K4CEAKMA1	-	RFQ	9603	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	IPS70R1			MOSFET （金属 o化物）		PG-TO251-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道						700 v	5.4A（TC）	10V	1.4OHM @ 1A，10V	3.5V @ 100µA	10.5 NC @ 10 V	±20V	225 pf @ 100 V	-	53W（TC）
IRF135S203	3.0000	RFQ	524	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF135			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道						135 v	129a（TC）	10V	8.4mohm @ 77a，10v	4V @ 250µA	270 NC @ 10 V	±20V	9700 PF @ 50 V	-	441W（TC）
AUIRGP65A40D0	-	RFQ	3050	Infineon技术	Coolirigbt™	管子	过时的			通过洞	TO-247-3	AUIRGP65					TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400
IRGIB4630DPBF	-	RFQ	3864	Infineon技术	-	管子	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		标准			206 w	pg-to220-fp	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001548140	Ear99	8541.29.0095	50			400V，18A，22OHM，15V															100 ns	npt	600 v	47 a	54 a	1.95V @ 15V，18A	95µJ（在）上，350µJ（OFF）	35 NC	40NS/105NS
FDMS8350LET40	2.3785	RFQ	5032	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS8350			MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道						40 V	49A（TA），300A（tc）	4.5V，10V	0.85MOHM @ 47A，10V	3V @ 250µA	219 NC @ 10 V	±20V	16590 pf @ 20 V	-	3.33W（TA），125W（（（（（（（（（（（
APT45GR65B2DU30	-	RFQ	1373	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT45GR65	标准			543 w	T-MAX™[B2]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			433V，45A，4.3OHM，15V															80 ns	npt	650 v	118 a	224 a	2.4V @ 15V，45a		203 NC	15NS/100NS
SSM3K37FS，LF	0.2300	RFQ	122	东芝半导体和存储	U-Mosiii	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TA）	表面安装	SC-75，SOT-416	SSM3K37			MOSFET （金属 o化物）		SSM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道						20 v	200ma（ta）	1.5V，4.5V	2.2OHM @ 100mA，4.5V	1V @ 1mA		±10V	12 pf @ 10 V	-	100mW（TA）
2N4091UB	47.6539	RFQ	1416	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	2N4091				360兆w	3-UB （3.09x2.45）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1	n通道						40 V							16pf @ 20V														40 V	30 ma @ 20 V		30欧姆
2N4391	18.6732	RFQ	4212	微芯片技术	-	大部分	积极的		-55°C〜125°C（TJ）	通过洞	-	2N4391				1.8 w	TO-18	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	2N4391MS	Ear99	8541.29.0095	1	n通道													14pf @ 20V														40 V	50 mA @ 20 V	4 V @ 1 na	30欧姆
2N4393	18.2875	RFQ	5710	微芯片技术	-	大部分	积极的		-55°C〜125°C（TJ）	通过洞	-	2N4393				1.8 w	TO-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	2N4393MS	Ear99	8541.29.0095	1	n通道													14pf @ 20V														40 V	5 ma @ 20 V	500 mv @ 1 na	100欧姆
2N4860	57.9082	RFQ	1753年	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N4860				360兆w	TO-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1	n通道						30 V							18pf @ 10V														30 V	100 ma @ 15 V	6 V @ 500 PA	40欧姆
2N4860UB	86.7825	RFQ	5573	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	2N4860				360兆w	-	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道						30 V							18pf @ 10V														30 V	100 ma @ 15 V	6 V @ 500 PA	40欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²