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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
BSC005N03LS5ATMA1	2.6400	RFQ	9	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN				MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8 FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道						30 V	42a（ta），433a （TC）	4.5V，10V	0.55MOHM @ 50a，10V	2V @ 250µA	122 NC @ 10 V	±20V	8900 PF @ 15 V	-	3W（3W），188w（tc）
IXFN38N100P	51.8300	RFQ	7586	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN38			MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道						1000 v	38A（TC）	10V	210mohm @ 19a，10v	6.5V @ 1mA	350 NC @ 10 V	±30V	24000 pf @ 25 V	-	1000W（TC）
2SCR293PT100	0.1856	RFQ	7739	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SCR293				2 w		MPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																					30 V	1 a							100NA（ICBO）			NPN	350mv @ 25mA，500mA	270 @ 100mA，2V	320MHz
BFU550A235	-	RFQ	6904	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的												下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	10,000
BFP520FE6327	0.1600	RFQ	15	Infineon技术	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，平坦的铅					100MW		4-TSFP	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000							22.5dB														3.5V	40mA										NPN		70 @ 20mA，2V	45GHz	0.95dB @ 1.8GHz
IRFF233	-	RFQ	8812	国际整流器	-	大部分	积极的		-	通过洞	to-205af金属罐				MOSFET （金属 o化物）			to-205af（39）	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道						150 v	4.5a	-	-	-		-		-	25W
STL24NM60N	4.4400	RFQ	6	Stmicroelectronics	MDMESH™II	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL24			MOSFET （金属 o化物）			PowerFlat™（8x8）HV	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						600 v	3.3a（TA），16a （TC）	10V	215MOHM @ 8A，10V	5V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±25V	1400 pf @ 50 V	-	（3W）（125W（ta）（TC）
IXFH400N075T2	16.0900	RFQ	6654	ixys	HiperFet™，Trencht2™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH400			MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道						75 v	400A（TC）	10V	2.3MOHM @ 100A，10V	4V @ 250µA	420 NC @ 10 V	±20V	24000 pf @ 25 V	-	1000W（TC）
SI6981DQ-T1-E3	-	RFQ	9611	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6981			MOSFET （金属 o化物）	830MW		8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）							20V	4.1a		31MOHM @ 4.8A，4.5V	900MV @ 300µA	25nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
APTGT75DA120T1G	-	RFQ	6108	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP1					357 w	标准	SP1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的																			沟渠场停止	1200 v	110 a		2.1V @ 15V，75a					250 µA	是的	5.34 NF @ 25 V
IPD60R600C6BTMA1	-	RFQ	7904	Infineon技术	Coolmos™C6	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ipd60r			MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						600 v	7.3A（TC）	10V	600MOHM @ 2.4a，10V	3.5V @ 200µA	20.5 NC @ 10 V	±20V	440 pf @ 100 V	-	63W（TC）
NTLTD7900ZR2	0.2100	RFQ	37	Onmi	-	大部分	过时的					NTLTD79							下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000
DMP2101UCP9-7	0.2639	RFQ	3921	二极管合并	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-XFBGA，DSBGA	DMP2101			MOSFET （金属 o化物）	970MW（TA）		X2-DSN1515-9（B型）	-				31-DMP2101UCP9-7	Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）							20V	2.5a（ta）		100mohm @ 1A，4.5V	900mv @ 250µA	3.2nc @ 4.5V		392pf @ 10V	标准
MCH6336-TL-E	-	RFQ	4434	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	MCH63			MOSFET （金属 o化物）			SC-88FL/MCPH6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道						12 v	5A（5A）	1.8V，4.5V	43mohm @ 3A，4.5V	1.4V @ 1mA	6.9 NC @ 4.5 V	±10V	660 pf @ 6 V	-	1.5W（TA）
BSS63AHZGT116	0.3900	RFQ	2	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSS63				200兆		SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																					100 v	100 ma							100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 10mA，100mA	30 @ 25mA，1V	200MHz
NVTFS6H888NWFTAG	0.2953	RFQ	8884	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NVTFS6			MOSFET （金属 o化物）			8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道						80 V	4.7a（ta），12a （TC）	10V	55mohm @ 5a，10v	4V @ 15µA	4.7 NC @ 10 V	±20V	220 pf @ 40 V	-	2.9W（ta），18W（tc）
CP802-CWDM3011P-WN	-	RFQ	1231	中央半导体公司	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	CP802			MOSFET （金属 o化物）			死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1514-CP802-CWDM3011P-WN	Ear99	8541.29.0040	8,000		P通道						30 V	11a（11a）	4.5V，10V	13mohm @ 1a，10v	3V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	3100 pf @ 8 V	-	-
MRF6P23190HR6	-	RFQ	5371	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		底盘安装	NI-1230	MRF6		2.39GHz	ldmos			NI-1230	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	150			-		1.9 a	40W	14dB											-										28 V
IXGX82N120B3	-	RFQ	1614年	ixys	Genx3™	管子	积极的		-	通过洞	TO-247-3变体	IXGX82	标准			1250 w		加上247™-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				600V，80a，2ohm，15V																pt	1200 v	230 a	500 a	3.2V @ 15V，82a	5MJ（在）上，3.3MJ（3.3MJ）	350 NC	30NS/210NS
BUK7Y22-100E115	-	RFQ	7119	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的												下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,500
VS-GT100TP120N	-	RFQ	7011	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	过时的		175°C（TJ）	底盘安装	int-a-pak（3 + 4）	GT100				652 w	标准	int-a-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	VSGT100TP120N	Ear99	8541.29.0095	24	半桥																			沟	1200 v	180 a		2.35V @ 15V，100A					5 ma	不	12.8 NF @ 30 V
BSC120N03MSGATMA1	0.6600	RFQ	19	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC120			MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道						30 V	11a（11a），39a （TC）	4.5V，10V	12mohm @ 30a，10v	2V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	1500 pf @ 15 V	-	2.5W（TA），28W（tc）
BFL4037	3.4100	RFQ	100	Sanyo	-	大部分	积极的		150°C	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）			TO-220FI（LS）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	100		n通道						500 v	11A（TC）		430MOHM @ 8A，10V	5V @ 1mA	48.6 NC @ 10 V	±30V	1200 pf @ 30 V	-	2W（TA），40W（TC）
UPA2717GR-E1-AT	1.6800	RFQ	7	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的												下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500
FGHL50T65MQD	4.7800	RFQ	450	Onmi	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	FGHL50	标准			268 w		TO-247-3	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-FGHL50T65MQD	Ear99	8541.29.0095	450				400V，50a，10ohm，15V															32 ns	沟渠场停止	650 v	80 a	200 a	1.8V @ 15V，50a	1.05mj（在）上（700µJ）off）	94 NC	23ns/120ns
BUK7M22-80E，115	1.0000	RFQ	1843年	Nexperia USA Inc.	*	大部分	积极的												下载					Ear99	8541.29.0095	1
NVMFS6H801NLWFT1G	1.2308	RFQ	7030	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS6			MOSFET （金属 o化物）			5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVMFS6H801NLWFT1GTR	Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道						80 V	24A（24A），160A （TC）	4.5V，10V	2.7MOHM @ 50A，10V	2V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±20V	5126 pf @ 40 V	-	3.8W（TA），167W（TC）
NDS355AN-F169	-	RFQ	4005	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				MOSFET （金属 o化物）			SOT-23-3	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156S35555AN-F169-600039			1		n通道						30 V	1.7A（TA）	4.5V，10V	85MOHM @ 1.9A，10V	2V @ 250µA	5 nc @ 5 V	±20V	195 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
IPW65R080CFDAFKSA1	12.7400	RFQ	950	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，CoolMos™	管子	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IPW65R080			MOSFET （金属 o化物）			pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道						650 v	43.3a（TC）	10V	80MOHM @ 17.6A，10V	4.5V @ 1.76mA	161 NC @ 10 V	±20V	4440 pf @ 100 V	-	391W（TC）
UPA1820GR-9JG-E1-A	0.7000	RFQ	21	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的			表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）				MOSFET （金属 o化物）			8-tssop	-	不适用				Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						20 v	12a（12a）		8.6mohm @ 6a，4.5V	1.5V @ 1mA	27 NC @ 4 V		2020 pf @ 10 V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²