晶体管(100539)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	频率	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	测试条件	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电压 - 测试	电压 - 击穿 (V(BR)GSS)	电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0)	电压 - 暂时（VGS 关闭）@ Id	NTC热敏电阻	电阻 - RDS(On)
UPA503T-T2-A	0.2900	询价	12	瑞萨电子美国公司	-	大部分	过时的			表面贴装	SC-74A、SOT-753	UPA503			MOSFET（金属O化物）	300毫W		SC-59-5，迷你模具	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 P 沟道（双）							50V	100毫安		60欧姆@10mA，10V	2.5V@1μA	-		17pF@5V	-
AOI510	-	询价	8832	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	AOI51			MOSFET（金属O化物）			TO-251A	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,500人		N沟道						30V	45A（Ta）、70A（Tc）	4.5V、10V	2.6毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	60nC@10V	±20V	2719pF@15V	-	7.5W（Ta）、60W（Tc）
IPP80N06S2L-06	1.0000	询价	9133	英飞凌科技	*	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3				MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道						55V	80A（温度）	4.5V、10V	6.3毫欧@69A，10V	2V@180μA	150nC@10V	±20V	3800pF@25V	-	250W（温度）
PTVA101K02EVV1XWSA1	-	询价	8837	英飞凌科技	-	托盘	过时的	50V		安装结构	H-36275-4			1.03GHz～1.09GHz	LDMOS			H-36275-4	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001033548	EAR99	8541.29.0095	30	双重的		-			950W	17.5分贝											-
ISC0605NLSATMA1	1.4175	询价	8427	英飞凌科技	*	卷带式 (TR)	的积极												-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	448-ISC0605NLSATMA1TR			5,000
FQU5N50CTU-WS	-	询价	9863	onsemi	QFET®	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	FQU5N50			MOSFET（金属O化物）			I-PAK	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,040		N沟道						500V	4A（温度）	10V	1.4欧姆@2A，10V	4V@250μA	24nC@10V	±30V	625pF@25V	-	2.5W（Ta）、48W（Tc）
64-2144PBF	-	询价	6538	英飞凌科技	*	管子	的积极					64-2144							下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001562470	EAR99	8541.29.0095	50
SQ3457EV-T1_GE3	0.6900	询价	第735章	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	SQ3457			MOSFET（金属O化物）			6-TSOP	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道						30V	6.8A（温度）	4.5V、10V	65毫欧@6A，10V	2.5V@250μA	21nC@10V	±20V	705pF@15V	-	5W（温度）
AIKB30N65DH5ATMA1	4.7700	询价	1836年	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极		-	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB	AIKB30	标准					PG-TO263-3-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000				-																不扩散条约	650伏	30A		-	-		-
SI0205-TP	0.3500	询价	5	微商公司	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-523	SI0205			MOSFET（金属O化物）			SOT-523	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道						50V	200毫安	2.5V、4.5V	4欧姆@200mA，4.5V	800mV@250μA		±8V	24pF@10V	-	830毫W
SQ4483BEEY-T1_GE3	1.7500	询价	26	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SQ4483			MOSFET（金属O化物）			8-SOIC	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道						30V	22A（温度）	4.5V、10V	8.5毫欧@10A、10V	2.5V@250μA	113nC@10V	±20V		-	7W（温度）
VMMK-1218-BLKG	-	询价	8656	博通有限公司	-	条	过时的	5V			0402（1005公制）	VMMK-1218		10GHz	pHEMT			0402	-		2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.33.0001	100			100毫安		20毫安	12分贝	9分贝											0.81分贝										3V
UPA2751GR-E1-AT	0.9700	询价	2	瑞萨电子美国公司	-	大部分	过时的			表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）	UPA2751			MOSFET（金属O化物）	2W		8-PSOP	-	符合ROHS3标准				EAR99	8541.29.0095	2,500人	2 个 N 沟道（双）							30V	9A、8A		15.5毫欧@4.5A，10V	2.5V@1mA	21nC@10V		1040pF@10V	逻辑电平门
FDD3510H	-	询价	4068	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-5、DPak（4脚+片）、TO-252AD	FDD3510			MOSFET（金属O化物）	1.3W		TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人	N 和 P 沟道，共漏极							80V	4.3A、2.8A		80毫欧@4.3A，10V	4V@250μA	18nC@10V		800pF @ 40V	逻辑电平门
SIHFR9310-GE3	0.3091	询价	3932	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	SIHFR9310			MOSFET（金属O化物）			TO-252AA	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		742-SIHFR9310-GE3TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道						400V	1.8A（温度）	10V	7欧姆@1.1A，10V	4V@250μA	13nC@10V	±20V	270pF@25V	-	50W（温度）
AOH3254	0.6586	询价	4937	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	AOH32			MOSFET（金属O化物）			SOT-223-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道						150伏	5A（塔）	4.5V、10V	63毫欧@5A，10V	2.7V@250μA	20nC@10V	±20V	675pF@75V	-	4.1W（塔）
DMT6012LFV-13	0.2478	询价	2623	分散公司	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	DMT6012			MOSFET（金属O化物）			PowerDI3333-8（UX型）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	DMT6012LFV-13DI	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道						60V	43.3A（温度）	4.5V、10V	12毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	10V时为22.2nC	±20V	1522pF@30V	-	1.95W（Ta）、33.78W（Tc）
MAGX-001090-600L00	-	询价	6056	MACOM技术解决方案	-	大部分	过时的	65V			-			1.03GHz～1.09GHz	HEMT			-	下载		1（无限制）	REACH 不出行	1465-1085	EAR99	8541.29.0075	5			82A		600毫安	600W	21.3分贝											-										50V
SIS9634LDN-T1-GE3	1.2600	询价	8140	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® 1212-8 双	SIS9634			MOSFET（金属O化物）	2.5W（Ta）、17.9W（Tc）		PowerPAK® 1212-8 双	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		742-SIS9634LDN-T1-GE3DKR	EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）							60V	6A（Ta）、6A（Tc）		31mOhm@5A，10V	3V@250μA	11nC@10V		420pF@30V	-
IXTQ44P15T	7.1800	询价	46	IXYS	TrenchP™	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	IXTQ44			MOSFET（金属O化物）			TO-3P	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30		P沟道						150伏	44A（温度）	10V	65毫欧@500mA，10V	4V@250μA	175nC@10V	±15V	13400pF@25V	-	298W（温度）
RGT16BM65DTL	2.1500	询价	2	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		-40°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	RGT16	标准			94W		TO-252	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人				400V，8A，10欧姆，15V															42纳秒	沟渠场站	650伏	16A	24A	2.1V@15V，8A	-	21nC	13纳秒/33纳秒
TPH3R70APL,L1Q	1.6400	询价	1	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极		175℃	表面贴装	8-PowerVDFN	TPH3R70			MOSFET（金属O化物）			8-SOP 高级 (5x5)	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道						100伏	90A（温度）	4.5V、10V	3.7毫欧@45A，10V	2.5V@1mA	67nC@10V	±20V	6300pF@50V	-	960mW（Ta）、170W（Tc）
IM241M6T2JAKMA1	11.1400	询价	第688章	英飞凌科技	IM241、CIPOS™	管子	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔		IM241M6				13W	标准	23-DIP	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	15	天线塔																			-	600伏			1.58V@15V，1A								是的
MSCM20XM10T3XG	257.1800	询价	11	微芯片	-	大部分	的积极		-40°C ~ 125°C（温度）	安装结构	模块	MSCM20			MOSFET（金属O化物）	341W（温度）		SP3X	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	150-MSCM20XM10T3XG	EAR99	8541.29.0095	1	6 个 N 沟道（路面桥）							200V	108A（温度）		9.7毫欧@81A，10V	5V@250μA	161nC@10V		10700pF@50V	-
RJK1001DPP-A0#T2	6.7400	询价	5871	瑞萨电子美国公司	-	管子	的积极		150℃	通孔	TO-220-3	RJK1001			MOSFET（金属O化物）			TO-220ABA	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	25		N沟道						100伏	80A（塔）	10V	5.5毫欧@40A，10V	4V@1mA	147nC@10V	±20V	10000pF@10V	-	30W（塔）
IRFHE4250DTRPBF	1.9300	询价	9	国际校正器公司	HEXFET®	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	32电源VFQFN	IRFHE4250			MOSFET（金属O化物）	156W（温度）		32-PQFN (6x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	3,000	2 个 N 沟道（双）							25V	86A（高温）、303A（高温）		2.75mOhm @ 27A, 10V, 900μOhm @ 27A, 10V	2.1V@35μA，2.1V@100μA	20nC@4.5V，53nC@4.5V		1735pF@13V，4765pF@13V	-
2SK4161D	2.6244	询价	6327	三肯	-	大部分	的积极		175°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	2SK4161			MOSFET（金属O化物）			TO-3P	下载	符合RoHS标准			1261-2SK4161D	EAR99	8541.29.0095	1,020		N沟道						60V	100A（温度）	8V、10V	155mOhm@10A，10V	4V@1mA	145nC@10V	±30V	10000pF@10V	-	132W（温度）
PJD1NA60B_L2_00001	-	询价	2418	强茂国际有限公司	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	PJD1NA60			MOSFET（金属O化物）			TO-252	-	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道						600伏	1A（塔）	10V	10欧姆@500mA，10V	3.5V@250μA	6.1nC@10V	±30V	210pF@25V	-	28W（温度）
STP35N60M2-EP	3.0791	询价	6975	意法半导体	MDmesh™ M2-EP	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	STP35			MOSFET（金属O化物）			TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道						600伏	26A（温度）	-	-	-		±25V		-	-
SST94 SOT-89 3L ROHS	4.9300	询价	1	线性集成系统公司	不锈钢94	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 135°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA					400毫W		SOT-89-3	下载					EAR99	8541.21.0095	1,000		P沟道													105pF@10V														25V	2.6毫安@10伏	150毫伏@100纳安		150欧姆

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(100539)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²