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晶体管（（102018）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
IRFAE42	-	RFQ	1351	国际整流器	-	大部分	积极的		-	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-204AA（TO-3）	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道					800 v	4.4a	-	-	-		-		-	125W
2N4999	324.3000	RFQ	5415	微芯片技术	-	大部分	积极的		-	螺柱坐骑	TO-210AA，TO-59-4，螺柱				35 w	TO-59	-			到达不受影响	150-2N4999	Ear99	8541.29.0095	1																	80 V	2 a		-	PNP	-	-	-
SISS22DN-T1-GE3	1.5500	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS22		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道					60 V	25a（25A），90.6A（90.6a）TC）	7.5V，10V	4mohm @ 15a，10v	3.6V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	1870 pf @ 30 V	-	5W（5W），65.7W（TC）
TBB1005EMTL-H	0.2900	RFQ	45	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的										-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
NTE2392	32.7600	RFQ	877	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-3	下载	rohs3符合条件			2368-NTE2392	Ear99	8541.29.0095	1	n通道					100 v	40a（TC）	10V	55mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	3000 pf @ 25 V	-	150W（TC）
SI3134KW-TP	-	RFQ	1376	微商业公司	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	SI3134		MOSFET （金属 o化物）		SOT-323	-				353-SI3134KW-TP	Ear99	8541.21.0095	1	n通道					20 v	750mA	1.8V，4.5V	380MOHM @ 650mA，4.5V	1V @ 250µA		±12V	120 pf @ 16 V	-	200mw（ta）
FK8V03030L	-	RFQ	4314	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅			MOSFET （金属 o化物）		WMINI8-F1	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道					33 V	12a（12a）	4.5V，10V	7mohm @ 6a，10v	2.5V @ 1.73mA	10.2 NC @ 4.5 V	±20V	1100 pf @ 10 V	-	1W（ta）
RQ5L030SNTL	0.6800	RFQ	9	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-96	RQ5L030		MOSFET （金属 o化物）		TSMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道					60 V	3A（3A）	4V，10V	85mohm @ 3a，10v	2.5V @ 1mA	5 nc @ 5 V	±20V	380 pf @ 10 V	-	700MW（TA）
YJG100G08A	0.6020	RFQ	500	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的										-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-yJG100G08ATR	Ear99		5,000
BST82,235	0.4000	RFQ	9	Nexperia USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BST82		MOSFET （金属 o化物）		TO-236AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000	n通道					100 v	（190ma ta）	5V	10ohm @ 150mA，5V	2V @ 1mA		±20V	40 pf @ 10 V	-	830MW（TC）
PMN40UPE，115-nex	-	RFQ	6751	Nexperia USA Inc.	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457			MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	-	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000	P通道					20 v	4.7a（ta）	1.8V，4.5V	43mohm @ 3A，4.5V	950mv @ 250µA	23 NC @ 4.5 V	±8V	1820 PF @ 10 V	-	500MW（TA），8.33W（tc）
STW50N65DM6	9.2200	RFQ	8855	Stmicroelectronics	MDMESH™DM6	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW50		MOSFET （金属 o化物）		TO-247长铅	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-STW50N65DM6	Ear99	8541.29.0095	30	n通道					650 v	33A（TC）	10V	91MOHM @ 16.5A，10V	4.75V @ 250µA	52.5 NC @ 10 V	±25V	52500 PF @ 100 V	-	250W（TC）
BUK7514-55A，127	-	RFQ	6366	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk75		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道					55 v	73A（TC）	10V	14mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA		±20V	2464 PF @ 25 V	-	166W（TC）
JAN2N6299P	36.8144	RFQ	5590	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-213AA，TO-66-2				64 W	TO-66（TO-213AA）	-			到达不受影响	150-JAN2N6299P	Ear99	8541.29.0095	1																	80 V	8 a		500µA	pnp-达灵顿	2V @ 80mA，8a	750 @ 4A，3V	-
IPA60R120P7XKSA1	4.1600	RFQ	383	Infineon技术	Coolmos™P7	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA60R		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220完整包	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道					600 v	26a（TC）	10V	120mohm @ 8.2a，10v	4V @ 410µA	36 NC @ 10 V	±20V	1544 PF @ 400 V	-	28W（TC）
IRF614BFP001	1.0000	RFQ	7644	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1	n通道					250 v	2.8A（TC）		2ohm @ 1.4A，10V	4V @ 250µA	10.5 NC @ 10 V	±30V	275 pf @ 25 V	-	40W（TC）
AOC2415	-	RFQ	6836	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅	AOC24		MOSFET （金属 o化物）		4-Alphadfn（1.57x1.57）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道					20 v	3.5A（ta）	1.5V，4.5V	33mohm @ 1.5A，4.5V	1V @ 250µA	28 NC @ 4.5 V	±8V	1685 pf @ 10 V	-	550MW（TA）
2N4225	14.3550	RFQ	1280	微芯片技术	-	大部分	积极的		-	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				5 w	TO-5AA	-			到达不受影响	150-2N4225	Ear99	8541.29.0095	1																	40 V	3 a		-	NPN	-	-	-
SISS04DN-T1-GE3	1.5400	RFQ	8	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS04		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道					30 V	50.5A（TA），80a tc）	4.5V，10V	1.2MOHM @ 15A，10V	2.2V @ 250µA	93 NC @ 10 V	+16V，-12V	4460 pf @ 15 V	-	5W（5W），65.7W（TC）
C3M0075120J	17.9000	RFQ	940	Wolfspeed，Inc。	C3M™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	C3M0075120		sicfet （碳化硅）		D2PAK-7	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8541.29.0095	50	n通道					1200 v	30A（TC）	15V	90MOHM @ 20a，15v	4V @ 5mA	51 NC @ 15 V	+19V，-8V	1350 pf @ 1000 V	-	113.6W（TC）
IPDQ60R040S7AXTMA1	11.1000	RFQ	5649	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，CoolMos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	22-Powerbsop模块	IPDQ60R		MOSFET （金属 o化物）		PG-HDSOP-22-1	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	750	n通道					600 v	14A（TC）	12V	40mohm @ 13a，12v	4.5V @ 790µA	83 NC @ 12 V	±20V		-	272W（TC）
PXAC213308FV-V1-R2	-	RFQ	2895	Wolfspeed，Inc。	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					PXAC213308					下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			过时的		250
SI7892BDP-T1-E3	1.9000	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7892		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道					30 V	15A（TA）	4.5V，10V	4.2MOHM @ 25A，10V	3V @ 250µA	40 NC @ 4.5 V	±20V	3775 pf @ 15 V	-	1.8W（TA）
BFR505215	0.1600	RFQ	14	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
PJE8406_R1_00001	0.4500	RFQ	947	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-89，SOT-490	PJE8406		MOSFET （金属 o化物）		SOT-523平线	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJE8406_R1_001DKR	Ear99	8541.21.0095	4,000	n通道					20 v	800mA（ta）	1.8V，4.5V	400mohm @ 500mA，4.5V	1V @ 250µA	0.92 NC @ 4.5 V	±12V	50 pf @ 10 V	-	350MW（TA）
VMO1200-01F	170.0700	RFQ	70	ixys	Hiperfet™	托盘	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	y3-li	VMO1200		MOSFET （金属 o化物）		y3-li	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道					100 v	1220a（TC）	10V	1.35MOHM @ 932a，10V	4V @ 64mA	2520 NC @ 10 V	±20V		-	-
BLF8G22LS-240U	-	RFQ	3281	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v		底盘安装	SOT-502B	BLF8	2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos		SOT502B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934067525112	Ear99	8541.29.0075	20		-	2 a	55W	19db											-			28 V
KSD1616AGTA	0.1000	RFQ	4	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				750兆w	TO-92-3	下载					Ear99	8542.39.0001	2,950																	60 V	1 a		100NA（ICBO）	NPN	300mv @ 50mA，1a	200 @ 100mA，2V	160MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（102018）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²