RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（102018）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
pumh10-qax	0.0473	RFQ	3650	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	PUMH10			200MW		6-TSSOP	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1727-PUMH10-QAXTR	Ear99	8541.21.0095	3,000																			50V	100mA			100NA			2 NPN- 预偏（双重）	100mV @ 250µA，5mA	100 @ 10mA，5v	230MHz	2.2kohms	47kohms
BUK9D23-40E，115	-	RFQ	2995	Nexperia USA Inc.	*	大部分	积极的											下载						0000.00.0000	1
PMPB13UPX	0.5100	RFQ	6	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	PMPB13		MOSFET （金属 o化物）			DFN2020MD-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道					12 v	9.1a（ta）	1.5V，4.5V	16mohm @ 9.1a，4.5V	900mv @ 250µA	39 NC @ 4.5 V	±8V	2230 PF @ 6 V	-	2W（TA），12.5W（TC）
MCP87130T-U/LC	-	RFQ	1441	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	MCP87130		MOSFET （金属 o化物）			8-pdfn（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,300		n通道					25 v	43A（TC）	3.3V，10V	13.5MOHM @ 10A，10V	1.7V @ 250µA	8 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	400 pf @ 12.5 V	-	1.7W（TA）
IRF9542	1.7800	RFQ	497	哈里斯公司	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	169		P通道					100 v	15A（TC）	10V	300mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 25 V	-	150W（TC）
PSMN7R8-120PSQ	-	RFQ	2412	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			i2pak	下载					Ear99	8541.29.0095	177		n通道					120 v	70A（TC）	10V	7.9mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	167 NC @ 10 V	±20V	9473 PF @ 60 V	-	349W（TC）
PJP5NA80_T0_00001	-	RFQ	7867	Panjit International Inc.	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PJP5		MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		3757-PJP5NA80_T0_001	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					800 v	5A（5A）	10V	2.7OHM @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	660 pf @ 25 V	-	146W（TC）
2SK3573-ZK-E1-AZ	2.4500	RFQ	4	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的											下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	800
IRF3710LPBF	1.0000	RFQ	2914	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					100 v	57A（TC）	10V	23mohm @ 28a，10v	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	3130 PF @ 25 V	-	200W（TC）
FZ1200R45HL3BPSA1	2.0000	RFQ	1	Infineon技术	IHM-B	托盘	积极的		-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FZ1200			15000 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单个开关																	沟渠场停止	4500 v	1200 a	2.8V @ 15V，1200A		5 ma	不	280 NF @ 25 V
NX138BKWX	0.2400	RFQ	99	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	NX138		MOSFET （金属 o化物）			SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					60 V	210mA（ta）	2.5V，10V	3.5OHM @ 200mA，10v	1.5V @ 250µA	0.7 NC @ 10 V	±20V	20 pf @ 30 V	-	266MW（TA），1.33W（tc）
TSM150P03PQ33	0.6916	RFQ	2112	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	TSM150		MOSFET （金属 o化物）			8-pdfn（3.1x3.1）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM150P03PQ33TR	Ear99	8541.29.0095	10,000		P通道					30 V	10a（10a），36a （TC）	4.5V，10V	15mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	29.3 NC @ 10 V	±20V	1829 PF @ 15 V	-	2.3W（27.8W）（27.8W tc）
BUK9MJJ-55PSS/A，51	-	RFQ	7152	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	-	-			-			-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		-						-	-	-	-		-		-	-
APT1204R7SFLLG	11.7400	RFQ	9575	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的			表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	APT1204		MOSFET （金属 o化物）			D3 [S]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					1200 v	3.5A（TC）		4.7ohm @ 1.75a，10V	5V @ 1mA	31 NC @ 10 V		715 PF @ 25 V	-
NTMFS5832NLT1G	1.2400	RFQ	387	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS5832		MOSFET （金属 o化物）			5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					40 V	20A（20A），111a （TC）	4.5V，10V	4.2MOHM @ 20A，10V	3V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±20V	2700 PF @ 25 V	-	3.1W（ta），96W（tc）
PJU6NA70_T0_00001	-	RFQ	3869	Panjit International Inc.	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	PJU6NA70		MOSFET （金属 o化物）			TO-251AA	-				3757-PJU6NA70_T0_001	过时的		1		n通道					700 v	6a（6a）	10V	1.7OHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	16.5 NC @ 10 V	±30V	831 PF @ 25 V	-	128W（TC）
GTVA262711FA-V2-R2	99.4894	RFQ	7521	Wolfspeed，Inc。	甘	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125 v		表面安装	H-87265J-2	GTVA262711	2.62GHZ〜2.69GHz	hemt			H-87265J-2	下载				1697-GTVA262711FA-V2-R2TR	Ear99	8541.29.0075	250			-	320 MA	70W	18db											-					48 v
AOV11S60	1.2417	RFQ	1674年	Alpha＆欧米茄半导体公司	AMOS™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-POWERTSFN	AOV11		MOSFET （金属 o化物）			4-DFN（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,500		n通道					600 v	650mA（TA），8a tc）	10V	500MOHM @ 3.8A，10V	4.1V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±30V	545 pf @ 100 V	-	8.3W（ta），156w（tc）
BUK7608-40B，118	0.7600	RFQ	1	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					Buk76						-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800
SBC808-25LT1G	0.0583	RFQ	4514	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SBC808			300兆		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																			25 v	500 MA			100NA（ICBO）			PNP	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	100MHz
G75P04T	-	RFQ	4272	戈福德半导体	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220	下载	Rohs符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0000	50		P通道					40 V	70A（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	106 NC @ 10 V	±20V	6985 pf @ 20 V	-	277W（TC）
PTFA220121M-V4	-	RFQ	6416	Wolfspeed，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	65 v		表面安装	10-dlfn暴露垫		2.14GHz	ldmos			PG-SON-10	下载	Rohs符合条件	3（168））			Ear99	8541.29.0075	500			-	150 ma	9.3W	16.2db											-					28 V
SIL6321-TP	-	RFQ	1571年	微商业公司	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	SIL6321		MOSFET （金属 o化物）	1W		SOT-23-6L	-				353-SIL6321-TP	Ear99	8541.29.0095	1	n和p通道						30V	1a		320MOHM @ 1A，10V	1.4V @ 250µA，1.3V @ 250µA	-		1155pf @ 15V，1050pf @ 15V	-
FDP6035AL	1.3600	RFQ	106	Fairchild半导体	PowerTrench®	管子	过时的		-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50		n通道					30 V	48a（ta）	4.5V，10V	12mohm @ 24a，10v	3V @ 250µA	18 nc @ 5 V	±20V	1250 pf @ 15 V	-	52W（TC）
NTMT190N65S3H	5.4500	RFQ	9	Onmi	SuperFet®III	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-POWERTSFN			MOSFET （金属 o化物）			4-TDFN （8x8）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NTMT190N65S3HTR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					650 v	16A（TC）	10V	190MOHM @ 8A，10V	4V @ 1.4mA	31 NC @ 10 V	±30V	1600 PF @ 400 V	-	129W（TC）
SIDR500EP-T1-RE3	3.4400	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®Genv	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8			MOSFET （金属 o化物）			POWERPAK®SO-8DC	下载		（1 （无限）		742-SIDR500EP-T1-RE3DKR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					30 V	（94a）（ta），421A（TC）	4.5V，10V	0.47MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 250µA	180 NC @ 10 V	+16V，-12V	8960 pf @ 15 V	-	7.5W（ta），150W（TC）
BUK9875-100A/C1115	-	RFQ	1885年	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,000
RJK6006DPP-A0 ＃T2	3.6100	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的		150°C	通过洞	TO-220-3完整包	RJK6006		MOSFET （金属 o化物）			TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-1161-RJK6006DPP-A0 ＃T2	Ear99	8541.29.0095	25		n通道					600 v	10a（10a）	10V	920MOHM @ 5A，10V	-	30 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	30W（TA）
FQD16N25CTM	1.2000	RFQ	9829	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD16N25		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					250 v	16A（TC）	10V	270MOHM @ 8A，10V	4V @ 250µA	53.5 NC @ 10 V	±30V	1080 pf @ 25 V	-	160W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（102018）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²