晶体管(100539)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	应用领域	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	频率	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	测试条件	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电压 - 测试	电压 - 击穿 (V(BR)GSS)	电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0)	电压 - 暂时（VGS 关闭）@ Id	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	输入电容 (Cies) @ Vce	电阻 - RDS(On)	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头
AOWF600A60	0.9866	询价	7717	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS5™	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）		通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	AOWF600			MOSFET（金属O化物）			TO-262F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AOWF600A60	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道						600伏	8A（天）	10V	600毫欧@2.1A，10V	3.5V@250μA	11.5nC@10V	±20V	608pF@100V	-	23W（温度）
NTE232	1.1200	询价	5	NTE电子公司	-	包	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）		通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)					625毫W		TO-92	下载	符合ROHS3标准			2368-NTE232	EAR99	8541.29.0095	1																					30V	300毫安										100nA（ICBO）				PNP-达林顿	1.5V@100μA，100mA	50000@10mA，5V	125兆赫
2N4858UB/TR	86.9554	询价	8145	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极		-65°C ~ 200°C（太焦）		表面贴装	3-SMD，无铅	2N4858				360毫W		3-UB (3.09x2.45)	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行	150-2N4858UB/TR			1		N沟道						40V							18pF @ 10V (VGS)														40V	15V时8毫安	4V@500pA				60欧姆
FD800R17KE3B2NOSA1	1.0000	询价	第1173章	英飞凌科技	IHM-B	托盘	不适合新设计		-40°C ~ 125°C（太焦）		安装结构	模块	FD800R17				5200W	标准	模块	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2	单斩波器																			-	1700伏	1200A		2.45V@15V，800A								5毫安	不	72nF@25V
怡安7826	-	询价	3654	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）		表面贴装	8-PowerSMD，写入	怡安782			MOSFET（金属O化物）	3.1W		8-DFN (3x3)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000	2 个 N 沟道（双）							20V	9A		23毫欧@9A，10V	1.1V@250μA	15nC@10V		630pF @ 10V	逻辑电平门
EMC3DXV5T1G	0.4400	询价	7	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	50V		-	表面贴装	SOT-553	EMC3DXV5						SOT-553	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	4,000			100毫安																																	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）
FDR8308P	0.2900	询价	18	仙童	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）		表面贴装	8-TSOP（0.130英寸，3.30毫米宽）	FDR83			MOSFET（金属O化物）	800毫W		超级SOT™-8	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 P 沟道（双）							20V	3.2A		50毫欧@3.2A，4.5V	1.5V@250μA	19nC@4.5V		1240pF@10V	逻辑电平门
PJF9NA90_T0_00001	-	询价	6234	强茂国际有限公司	-	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）		通孔	TO-220-3全包	PJF9NA90			MOSFET（金属O化物）			ITO-220AB	-	符合ROHS3标准	1（无限制）		3757-PJF9NA90_T0_00001	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道						900伏	9A（塔）	10V	1.4欧姆@4.5A，10V	4V@250μA	31nC@10V	±30V	1634pF@25V	-	68W（温度）
NVMJD016N06CTWG	0.6108	询价	9076	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极						NVMJD016			-				-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	488-NVMJD016N06CTWGTR	EAR99	8541.29.0095	3,000																-
AMMBT5551-HF	0.0690	询价	2109	芯芯科技	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	AMMBT5551				350毫W		SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		641-AMBT5551-HFTR	EAR99	8541.21.0075	3,000																					160伏	600毫安										50nA（ICBO）				NPN	200毫伏@5毫安，50毫安	100@10mA，5V	300兆赫
BUK762R6-40E118	-	询价	3400	恩智浦	*	大部分	的积极													-						0000.00.0000	1
FP75R12KT4B11BOSA1	220.1300	询价	40	英飞凌科技	-	托盘	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)		安装结构	模块	FP75R12				385W	标准	模块	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10	天线塔																			沟渠场站	1200伏	75A		2.15V@15V，75A								1毫安	是的	4.3nF@25V
BLS7G3135LS-350P,1	858.0300	询价	20	Ampleon美国公司	-	大部分	SIC停产	65V			表面贴装	SOT-539B	BLS7G3135		3.5GHz	LDMOS			SOT539B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		宣传册3A001B3	8541.29.0075	20	双重、共同来源		-		200毫安	320W	10分贝											-										32V
2SC3951E	0.3600	询价	8494	onsemi	*	大部分	的积极													下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0075	88
IPA80R1K4CEXKSA2	1.6600	询价	第490章	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)		通孔	TO-220-3全包	IPA80R1			MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-FP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道						800V	3.9A（温度）	10V	1.4欧姆@2.3A，10V	3.9V@240μA	23nC@10V	±20V	570 pF @ 100 V	-	31W（温度）
HUF75344A3	1.3700	询价	616	仙童	超场效应晶体管™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)		通孔	TO-3P-3、SC-65-3				MOSFET（金属O化物）			TO-3P	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.29.0095	30		N沟道						55V	75A（温度）	10V	8毫欧@75A，10V	4V@250μA	208nC@20V	±20V	4855pF@25V	-	288.5W（温度）
BSS84Q-13-F	0.2935	询价	30	分散公司	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BSS84			MOSFET（金属O化物）			SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	31-BSS84Q-13-FTR	EAR99	8541.21.0095	10,000		P沟道						50V	130mA（塔）	5V	10欧姆@100mA，5V	2V@1mA	10V时为0.59nC	±20V	45pF@25V	-	300毫W（塔）
BC807-40/DG/B2215	1.0000	询价	8750	恩智浦	*	大部分	的积极													下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	3,000
IQE036N08NM6ATMA1	1.1064	询价	2006年	英飞凌科技	*	卷带式 (TR)	的积极													-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	448-IQE036N08NM6ATMA1TR			5,000
2SB808F-SPA-ON	0.0500	询价	35	onsemi	*	大部分	的积极						2SB808			-				-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	1																-
STGWA60V60DF	5.6200	询价	2949	意法半导体	-	管子	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)		通孔	TO-247-3	STGWA60	标准			375W		TO-247 长住宅	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30				400V，60A，4.7欧姆，15V															74纳秒	沟渠场站	600伏	80A	240A	2.3V@15V，60A	750μJ（开），550μJ（关）	334 nC	60纳秒/208纳秒
LSK489B TO-71 6L ROHS	11.5500	询价	第427章	线性集成系统公司	LSK489	包	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）		通孔	TO-71-6 金属罐					500毫W		TO-71-6	下载		1（无限制）		4004-LSK489BTO-716LROHS	EAR99	8541.21.0095	500		2 个 N 沟道（双）													8pF@15V														60V	2.5毫安@15伏	1.5V@1nA
IPDD60R090CFD7XTMA1	6.4300	询价	第1637章	英飞凌科技	CoolMOS™ CFD7	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）		表面贴装	10-PowerSOP模块	IPDD60			MOSFET（金属O化物）			PG-HDSOP-10-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,700		N沟道						600伏	33A（温度）		90毫欧@9.3A，10V	4.5V@470μA	42nC@10V	±20V	1747 pF @ 400 V	-	227W（温度）
MFT4N200T220	0.8000	询价	2	梅里泰克	-	卷带式 (TR)	的积极									MOSFET（金属O化物）				-	符合RoHS标准	1（无限制）		2997-MFT4N200T220TR	EAR99	8532.25.0020	10		N沟道						40V	200A（塔）				235nC@10V		6120pF@15V
SIHB22N65E-T1-GE3	4.8100	询价	第797章	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）		表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB				MOSFET（金属O化物）			D²PAK (TO-263)	下载		1（无限制）		742-SIHB22N65E-T1-GE3TR	EAR99	8541.29.0095	800		N沟道						650伏	22A（温度）	10V	180毫欧@11A，10V	4V@250μA	110nC@10V	±30V	100V时为2415pF	-	227W（温度）
DMN2025UFDF-7	0.1135	询价	1928年	分散公司	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）		表面贴装	6-UDFN 裸露焊盘	DMN2025			MOSFET（金属O化物）			U-DFN2020-6（F型）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道						20V	6.5A（塔）	1.8V、4.5V	25毫欧@4A，4.5V	1V@250μA	12.3nC@10V	±10V	486pF@10V	-	700毫W（塔）
DMP1005UFDF-7	0.5400	询价	第399章	分散公司	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）		表面贴装	6-UDFN 裸露焊盘	DMP1005			MOSFET（金属O化物）			U-DFN2020-6（F型）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道						12V	26A（温度）	1.8V、4.5V	8.5毫欧@5A，4.5V	1V@250μA	8V时为47nC	±8V	2475pF@6V	-	2.1W（塔）
G66	0.6800	询价	33	高福德半导体	G	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）		表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘				MOSFET（金属O化物）			6-DFN (2x2)	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99		3,000		P沟道						16V	5.8A（塔）	2.5V、4.5V	45毫欧@4.1A，4.5V	1V@250μA	7.8nC@4.5V	±8V	740pF @ 4V	-	1.7W（塔）
U406 TO-71 6L	7.7200	询价	500	线性集成系统公司	U406	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）		通孔	TO-71-6 金属罐					300毫W		TO-71	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	1		2 个 N 沟道（双）						50V							8pF@15V														50V	10V时为500μA	500毫伏@1纳安
NTMFS5C442NT1G	3.0900	询价	1	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)		表面贴装	8-PowerTDFN，5接口	NTMFS5			MOSFET（金属O化物）			5-DFN (5x6) (8-SOFL)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道						40V	29A（Ta）、140A（Tc）	10V	2.3毫欧@50A，10V	4V@250μA	32nC@10V	±20V	2100pF@25V	-	3.7W（Ta）、83W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(100539)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²