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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
PSMN5R4-25YLDX	0.8500	RFQ	1	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	PSMN5R4			MOSFET （金属 o化物）			LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道						25 v	70A（TC）	4.5V，10V	5.69mohm @ 15a，10v	2.2V @ 1mA	12.4 NC @ 10 V	±20V	858 pf @ 12 V	（（（）	47W（TC）
A2I25H060NR1	-	RFQ	3321	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		表面安装	TO-270-17变体，平面线	A2I25		2.59GHz	ldmos			TO-270WB-17	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935322312528	Ear99	8542.33.0001	500	双重的		-		26 ma	10.5W	26.1db											-										28 V
MMRF1312GSR5	654.7590	RFQ	1104	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	112 v		表面安装	NI-1230-4S GW	MMRF1312		1.03GHz	ldmos			NI-1230-4S海鸥	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	双重的		-		100 ma	1000W	19.6dB											-										50 V
MRFE6VP61K25NR6	182.7500	RFQ	1	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	133 v		表面安装	OM-1230-4L	MRFE6		230MHz	ldmos			OM-1230-4L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	150	双重的		-		100 ma	1250W	23dB											-										50 V
MRFE6VP6600GNR3	93.4822	RFQ	1720年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	133 v		表面安装	OM-780G-4L	MRFE6		230MHz	ldmos			OM-780G-4L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935323761528	Ear99	8541.29.0075	250	双重的		-		100 ma	600W	24.7db											-										50 V
BUK9M10-30EX	0.9000	RFQ	1	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-1210，8-LFPAK33（5铅）	BUK9M10			MOSFET （金属 o化物）			LFPAK33	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道						30 V	54A（TC）	5V	7.8mohm @ 15a，10v	2.1V @ 1mA	12.2 NC @ 5 V	±10V	1249 PF @ 25 V	-	55W（TC）
BUK9M15-60EX	0.9100	RFQ	3	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-1210，8-LFPAK33（5铅）	BUK9M15			MOSFET （金属 o化物）			LFPAK33	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道						60 V	47a（ta）	5V，10V	13mohm @ 10a，10v	2.45V @ 1mA	17 NC @ 5 V	±10V	2230 PF @ 25 V	-	75W（ta）
BUK9M9R1-40EX	0.9600	RFQ	1	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-1210，8-LFPAK33（5铅）	BUK9M9			MOSFET （金属 o化物）			LFPAK33	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道						40 V	64A（TC）	5V	7.3mohm @ 20a，10v	2.1V @ 1mA	16.2 NC @ 5 V	±10V	2048 PF @ 25 V	-	75W（TC）
PMCM4401VPEZ	0.4600	RFQ	2	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA，WLCSP	PMCM4401			MOSFET （金属 o化物）			4-WLCSP（0.78x0.78）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	9,000		P通道						12 v	3.9a（ta）	1.8V，4.5V	65mohm @ 3A，4.5V	900mv @ 250µA	10 NC @ 4.5 V	±8V	415 pf @ 6 V	-	400MW（TA），12.5W（tc）
SIHG33N65E-GE3	4.4659	RFQ	3198	Vishay Siliconix	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG33			MOSFET （金属 o化物）			TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道						650 v	32.4a（TC）	10V	105MOHM @ 16.5A，10V	4V @ 250µA	173 NC @ 10 V	±30V	4040 pf @ 100 V	-	313W（TC）
CSD17313Q2Q1T	0.8664	RFQ	2	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	CSD173			MOSFET （金属 o化物）			6-wson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道						30 V	5A（5A）	3V，8V	30mohm @ 4a，8v	1.8V @ 250µA	2.7 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	340 pf @ 15 V	-	2.4W（ta），17W（tc）
IGC11T120T8LX1SA1	-	RFQ	1158	Infineon技术	Trenchstop™	大部分	在sic中停产		-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	死	IGC11T120	标准					死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1				-																沟渠场停止	1200 v		24 a	2.07V @ 15V，8a	-		-
IGC99T120T8RLX1SA3	-	RFQ	1789年	Infineon技术	-	大部分	积极的			表面安装	死	IGC99T120	标准					死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1				-																沟渠场停止	1200 v		300 a	1.97V @ 15V，100a	-		-
IRG7CH28UEF	-	RFQ	6851	Infineon技术	-	大部分	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	死	IRG7CH	标准					死	下载		不适用	到达不受影响	SP001549476	过时的	0000.00.0000	1				600V，15A，22OHM，15V																-	1200 v			1.55V @ 15V，2.5a	-	60 NC	35NS/225NS
IRG8CH10K10F	-	RFQ	1362	Infineon技术	-	大部分	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	死	IRG8CH	标准					死	下载		不适用	到达不受影响	SP001537442	过时的	0000.00.0000	1				600V，5A，47OHM，15V																-	1200 v			2V @ 15V，5A	-	30 NC	20N/160NS
IRG8CH20K10D	-	RFQ	1429	Infineon技术	-	大部分	过时的					IRG8CH							下载		不适用	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1
IRG8CH29K10F	-	RFQ	5377	Infineon技术	-	大部分	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	死	IRG8CH	标准					死	下载		不适用	到达不受影响	SP001536690	过时的	0000.00.0000	1				600V，25a，10ohm，15V																-	1200 v			2V @ 15V，25a	-	160 NC	40NS/245NS
VS-GA200HS60S1	-	RFQ	9125	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	int-a-pak	GA200				830 w	标准	int-a-pak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	15	半桥																			-	600 v	480 a		1.21V @ 15V，200a					1 MA	不	32.5 nf @ 30 V
CSD18536KTT	4.8700	RFQ	3392	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-4，d²pak（3 +选项卡），TO-263AA	CSD18536			MOSFET （金属 o化物）			DDPAK/TO-263-3	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道						60 V	200a（200a）	4.5V，10V	1.6MOHM @ 100A，10V	2.2V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±20V	11430 PF @ 30 V	-	375W（TC）
CSD18542KTTT	3.0200	RFQ	10	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-4，d²pak（3 +选项卡），TO-263AA	CSD18542			MOSFET （金属 o化物）			DDPAK/TO-263-3	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						60 V	200a（200a）（170a tc）（TC）	4.5V，10V	4MOHM @ 100A，10V	2.2V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±20V	5070 pf @ 30 V	-	250W（TC）
DMTH6005LPSQ-13	1.5000	RFQ	4056	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	DMTH6005			MOSFET （金属 o化物）			PowerDI5060-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						60 V	20.6a（TA），100A（tc）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 50a，10v	3V @ 250µA	47.1 NC @ 10 V	±20V	2962 PF @ 30 V	-	3.2W（ta），150W（TC）
STD46N6F7	-	RFQ	1954年	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD46			MOSFET （金属 o化物）			DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						60 V	15A（TC）	10V	14mohm @ 7.5a，10v	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	1065 pf @ 30 V	-	60W（TC）
STL8DN6LF6AG	1.6400	RFQ	18	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL8			-			PowerFlat™（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）								32A（TC）		27mohm @ 9.6a，10v	2.5V @ 250µA				-
STGB30H60DLFB	-	RFQ	8223	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STGB30	标准			260 w		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000				400V，30a，10ohm，15V																沟渠场停止	600 v	60 a	120 a	2V @ 15V，30a	393µJ（OFF）	149 NC	- /146ns
STGP5H60DF	2.2400	RFQ	5854	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STGP5	标准			88 w		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-16484-5	Ear99	8541.29.0095	50				400V，5A，47OHM，15V															134.5 ns	沟渠场停止	600 v	10 a	20 a	1.95V @ 15V，5A	（56µJ）（在78.5µJ上）	43 NC	30NS/140NS
BSS138NH6433XTMA1	0.3900	RFQ	5592	Infineon技术	SIPMOS™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSS138			MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道						60 V	230ma（ta）	4.5V，10V	3.5OHM @ 230mA，10V	1.4V @ 26µA	1.4 NC @ 10 V	±20V	41 pf @ 25 V	-	360MW（TA）
BSS138WH6433XTMA1	0.3900	RFQ	9788	Infineon技术	SIPMOS™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BSS138			MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道						60 V	280mA（TA）	4.5V，10V	3.5OHM @ 200mA，10v	1.4V @ 26µA	1.5 NC @ 10 V	±20V	43 pf @ 25 V	-	500MW（TA）
BSS806NEH6327XTSA1	0.4500	RFQ	93	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSS806			MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道						20 v	2.3a（ta）	1.8V，2.5V	57MOHM @ 2.3a，2.5V	750mv @ 11µA	1.7 NC @ 2.5 V	±8V	529 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
BSZ034N04LSATMA1	1.4500	RFQ	33	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSZ034			MOSFET （金属 o化物）			PG-TSDSON-8-FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道						40 V	（19a（ta），40a（tc）	4.5V，10V	3.4mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 20 V	-	2.1W（ta），52W（TC）
BSZ300N15NS5ATMA1	1.1844	RFQ	7366	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSZ300			MOSFET （金属 o化物）			PG-TSDSON-8-FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道						150 v	32A（TC）	8V，10V	30mohm @ 16a，10v	4.6V @ 32µA	13 NC @ 10 V	±20V	950 pf @ 75 V	-	62.5W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²