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晶体管（（102018）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
SUP70060E-GE3	2.0800	RFQ	4366	Vishay Siliconix	Thunderfet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP70060		MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道					100 v	131a（TC）	7.5V，10V	5.8mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	81 NC @ 10 V	±20V	3330 PF @ 50 V	-	200W（TC）
IRFR420ATRLPBF	0.7088	RFQ	4990	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR420		MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					500 v	3.3A（TC）	10V	3ohm @ 1.5A，10V	4.5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	340 pf @ 25 V	-	83W（TC）
IXTM9226	-	RFQ	4913	ixys	-	管子	过时的		-	-	-	ixtm92		-			-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20		-						-	-	-	-		-		-	-
STF24NM65N	-	RFQ	2416	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF24		MOSFET （金属 o化物）			TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					650 v	19a（tc）	10V	190MOHM @ 9.5A，10V	4V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±25V	2500 PF @ 50 V	-	40W（TC）
AOD6N50	0.3793	RFQ	9640	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AOD6		MOSFET （金属 o化物）			TO-252（DPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					500 v	5.3A（TC）	10V	1.4OHM @ 2.5A，10V	4.5V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±30V	670 pf @ 25 V	-	104W（TC）
IRF730ASTRRPBF	-	RFQ	1299	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF730		MOSFET （金属 o化物）			d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					400 v	5.5A（TC）	10V	1欧姆 @ 3.3a，10V	4.5V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±30V	600 pf @ 25 V	-	74W（TC）
PMCPB55330X	1.0000	RFQ	5685	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载					Ear99	8541.29.0095	1
BSM15GP60BOSA1	-	RFQ	5080	Infineon技术	-	托盘	过时的		-40°C〜125°C	底盘安装	模块	BSM15G			100 W	三相桥梁整流器	模块	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器																	-	600 v	25 a	2.45V @ 15V，15a		500 µA	是的
DD800S17K3B2NOSA1	842.7200	RFQ	86	Infineon技术	*	大部分	积极的											下载		供应商不确定	到达受影响	2156-DD800S17K3B2NOSA1-448			1
MRF6S19120HSR3	-	RFQ	1227	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		底盘安装	NI-780	MRF6	1.99GHz	ldmos			NI-780	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250			-	1 a	19w	15DB											-					28 V
R6507enjtl	3.1400	RFQ	998	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	R6507		MOSFET （金属 o化物）			LPT	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					650 v	7A（TC）	10V	665mohm @ 2.4a，10v	4V @ 200µA	20 nc @ 10 V	±20V	390 pf @ 25 V	-	78W（TC）
IQD020N10NM5ATMA1	2.1710	RFQ	1189	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的											-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-IQD020N10NM5ATMA1TR			5,000
IXTA20N65X2	4.5552	RFQ	2573	ixys	Ultra X2	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta20		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta20n65x2	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					650 v	20A（TC）	10V	185mohm @ 10a，10v	4.5V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±30V	1450 pf @ 25 V	-	290W（TC）
IXTM12N100	-	RFQ	8965	ixys	Gigamos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	ixtm12		MOSFET （金属 o化物）			TO-204AA（IXTM）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20		n通道					1000 v	12A（TC）	10V	1.05Ohm @ 6a，10v	4.5V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	4000 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IXFX520N075T2	16.2400	RFQ	20	ixys	HiperFet™，Trencht2™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX520		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					75 v	520a（TC）	10V	2.2MOHM @ 100A，10V	5V @ 8mA	545 NC @ 10 V	±20V	41000 PF @ 25 V	-	1250W（TC）
FTD2015-TL-E	0.5400	RFQ	57	Onmi	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
BSS84W-7-F-50	0.0660	RFQ	9995	二极管合并	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BSS84		MOSFET （金属 o化物）			SOT-323	下载		（1 （无限）		31-BSS84W-7-F-50	Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道					50 V	130mA（ta）	5V	10ohm @ 100mA，5v	2V @ 1mA		±20V	45 pf @ 25 V	-	200MW
SPP80N08S2-07	-	RFQ	5251	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SPP80N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道					75 v	80A（TC）	10V	7.4mohm @ 66a，10v	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	6130 PF @ 25 V	-	300W（TC）
MCDS04N60-TP	-	RFQ	3003	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	MCDS04N60		MOSFET （金属 o化物）			TO-251	下载	rohs3符合条件			353-MCDS04N60-TPTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					600 v	4a	10V	3ohm @ 2a，10v	4V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±30V	760 pf @ 25 V	-	-
BUK761R5-40EJ	-	RFQ	1259	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	Buk76		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934067767118	Ear99	8541.29.0095	800		n通道					40 V	120A（TC）	10V	1.51MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA	145 NC @ 10 V	±20V	11340 pf @ 25 V	-	349W（TC）
BF909AWR，115	-	RFQ	3254	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	7 V		表面安装	SC-82A，SOT-343	BF909	800MHz	MOSFET			CMPAK-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道双门		40mA	15 ma	-	-											2DB					5 v
BC51-10PAS115	1.0000	RFQ	2605	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
SI9926DY	0.2200	RFQ	4	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI9926		MOSFET （金属 o化物）	900MW（TA）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）						20V	6.5A（TA）		30mohm @ 6.5a，4.5V	1.5V @ 250µA	10NC @ 4.5V		700pf @ 10V	-
2SA1577-P-AP	-	RFQ	8194	微商业公司	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	2SA1577			200兆		SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0075	1,000																			32 v	500 MA			1µA（ICBO）		PNP	400mv @ 10mA，100mA	82 @ 10mA，3v	200MHz
N0438N＃YW	-	RFQ	8392	Renesas Electronics America Inc	*	托盘	过时的											-				559-N0438N＃YW	过时的		1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（102018）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²