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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
2N3867U4	75.6750	RFQ	3832	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			1 w	U4	-			到达不受影响	150-2N3867U4	Ear99	8541.29.0095	1													40 V	3 a	100µA（ICBO）	PNP	1.5V @ 250mA，2.5a	40 @ 1.5A，2V	-
auirfn8405tr	1.4978	RFQ	3725	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	AUIRFN8405	MOSFET （金属 o化物）		PQFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道	40 V	95A（TC）	10V	2mohm @ 50a，10v	3.9V @ 100µA	117 NC @ 10 V	±20V	5142 PF @ 25 V	-	3.3W（TA），136W（tc）
FDD7030BL	0.4400	RFQ	80	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	（14A）（56A（ta）（TC）	4.5V，10V	9.5MOHM @ 14A，10V	3V @ 250µA	20 nc @ 5 V	±20V	1425 PF @ 15 V	-	2.8W（TA），60W（TC）
SQD40P10-40L_GE3	2.7600	RFQ	2748	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD40	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	100 v	38A（TC）	4.5V，10V	40mohm @ 8.2a，10v	2.5V @ 250µA	144 NC @ 10 V	±20V	5540 pf @ 15 V	-	136W（TC）
TK31Z60X，S1F	12.4300	RFQ	11	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	150°C	通过洞	TO-247-4	TK31Z60	MOSFET （金属 o化物）		TO-247-4L（t）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25		n通道	600 v	30.8A（TA）	10V	88mohm @ 9.4a，10V	3.5V @ 1.5mA	65 NC @ 10 V	±30V	3000 PF @ 300 V	-	230W（TC）
BSS84AKS，115	0.4500	RFQ	72	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	BSS84	MOSFET （金属 o化物）	445MW	6-TSSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）		50V	160mA		7.5OHM @ 100mA，10V	2.1V @ 250µA	0.35nc @ 5V		36pf @ 25V	逻辑级别门
D44C2	0.5000	RFQ	50	固态公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			30 W	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	2383-D44C2	Ear99	8541.10.0080	10													30 V	4 a	10µA	NPN	500mv @ 50mA，1a	100 @ 200ma，1V	50MHz
BSC110N15NS5ATMA1	3.4500	RFQ	7904	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC110	MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	150 v	76A（TC）	8V，10V	11mohm @ 38a，10v	4.6V @ 91µA	35 NC @ 10 V	±20V	2770 pf @ 75 V	-	125W（TC）
ixtp2r4n120p	6.7000	RFQ	30	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp2	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	1200 v	2.4A（TC）	10V	7.5OHM @ 500mA，10v	4.5V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±20V	1207 PF @ 25 V	-	125W（TC）
AOB288L	1.0621	RFQ	2460	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	AOB288	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D2PAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	80 V	10.5a（ta），46A（tc）	6V，10V	8.9mohm @ 20a，10v	3.4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1871 PF @ 40 V	-	2.1W（ta），93.5W（tc）
DRC3114Y0L	-	RFQ	9935	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	SOT-723	DRC3114		100兆	SSSMINI3-F2-B	-	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	10,000													50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	250mv @ 500µA，10mA	80 @ 5mA，10v		10 kohms	47科姆斯
ixta62n25t	-	RFQ	5809	ixys	沟	管子	在sic中停产	-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta62	MOSFET （金属 o化物）		TO-263AA	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	250 v	62A（TC）		-	-				-	-
2SC4710L	-	RFQ	1417	Sanyo	*	大部分	积极的								-		供应商不确定	供应商不确定	2156-2SC4710LS-600057			1
RFD20N03SM9AR4770	0.8500	RFQ	1	Fairchild半导体	*	大部分	积极的				RFD20	-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1											-
BSR16/LF1R	-	RFQ	4087	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSR1			SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
HUFA76633S3S	-	RFQ	6617	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	383		n通道	100 v	39A（TC）	4.5V，10V	35mohm @ 39a，10v	3V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±16V	1820 PF @ 25 V	-	145W（TC）
BC556CBU	-	RFQ	6600	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	11,478													65 v	100 ma	15NA（icbo）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	150MHz
R6047KNZ4C13	14.2000	RFQ	11	Rohm半导体	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	R6047	MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-R6047KNZ4C13	Ear99	8541.29.0095	30		n通道	600 v	47A（TC）	10V	72MOHM @ 25.8A，10V	5V @ 1mA	100 nc @ 10 V	±20V	4300 PF @ 25 V	-	481W（TC）
MCH3421-TL-E	0.1800	RFQ	225	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，平坦的铅		MOSFET （金属 o化物）		3-MCPH	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	100 v	800mA（ta）		890MOHM @ 400mA，10V	-	4.8 NC @ 10 V		165 pf @ 20 V	-	900MW（TA）
MCAC38N10Y-TP	0.8700	RFQ	1	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	MCAC38N10Y	MOSFET （金属 o化物）		DFN5060	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	100 v	38a	4.5V，10V	17.5mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	1051 PF @ 50 V	-	59W（TJ）
DI015N25D1	1.3889	RFQ	9488	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-3，DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2796-DI015N25D1TR		8541.21.0000	2,500		n通道	250 v	15A（TC）	10V	255mohm @ 15a，10v	4.5V @ 250µA	8.9 NC @ 10 V	±20V	475 PF @ 125 V	-	140W（TC）
NTMFS020N06CT1G	1.5600	RFQ	5557	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS020	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道	60 V	（9a）（28a）（28a tc）	10V	19.6mohm @ 4A，10V	4V @ 20µA	5.8 NC @ 10 V	±20V	355 pf @ 30 V	-	3.4W（TA），31W（tc）
NTMFS4H013NFT1G	-	RFQ	2634	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道	25 v	43A（TA），269a （TC）	4.5V，10V	0.9MOHM @ 30a，10v	2.1V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	3923 PF @ 12 V	-	2.7W（TA），104W（tc）
FF6MR12KM1PHOSA1	-	RFQ	4343	Infineon技术	COOLSIC™	托盘	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FF6MR12	（SIC）	-	AG-62mm	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	8	2 n 通道（半桥）		1200V（1.2kV）	250A（TC）		5.81MOHM @ 250A，15V	5.15V @ 80mA	496nc @ 15V		14700pf @ 800V	-
GSFP0446	0.5800	RFQ	6	好公园的半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-ppak（3.1x3.05）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0080	3,000		n通道	40 V	45A（TC）	4.5V，10V	7.2MOHM @ 8A，10V	2.5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	1400 pf @ 20 V	-	33W（TC）
MJE703G	-	RFQ	9743	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	MJE703		40 W	TO-126	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500													80 V	4 a	100µA	pnp-达灵顿	2.8V @ 40mA，2a	750 @ 2a，3v	-
APTM120SK56T1G	-	RFQ	5832	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP1		MOSFET （金属 o化物）		SP1	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1		n通道	1200 v	18A（TC）	10V	672MOHM @ 14A，10V	5V @ 2.5mA	300 NC @ 10 V	±30V	7736 pf @ 25 V	-	390W（TC）
CAS480M12HM3	2.0000	RFQ	6957	Wolfspeed，Inc。	-	盒子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	CAS480	（SIC）	-	模块	下载		不适用			Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（半桥）		1200V（1.2kV）	640a（TC）		2.97mohm @ 480a，15v	3.6V @ 160mA	1590nc @ 15V		43100pf @ 800V	-
BSC005N03LS5ATMA1	2.6400	RFQ	9	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8 FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	30 V	42a（ta），433a （TC）	4.5V，10V	0.55MOHM @ 50a，10V	2V @ 250µA	122 NC @ 10 V	±20V	8900 PF @ 15 V	-	3W（3W），188w（tc）
IXFN38N100P	51.8300	RFQ	7586	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN38	MOSFET （金属 o化物）		SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道	1000 v	38A（TC）	10V	210mohm @ 19a，10v	6.5V @ 1mA	350 NC @ 10 V	±30V	24000 pf @ 25 V	-	1000W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²