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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
BCX54-16E6327	0.0800	RFQ	105	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA				2 w		PG-SOT89-4-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1															45 v	1 a				100NA（ICBO）				500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	100MHz
OP533,005	0.3375	RFQ	5733	Ween半导体	*	托盘	积极的				OP533		-				-		（1 （无限）				0000.00.0000	1												-
IRF9Z34NSTRRPBF	-	RFQ	4590	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	800		P通道		55 v	19a（tc）	10V	100mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	620 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），68w（tc）
PSMN7R8-120PSQ	-	RFQ	2412	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			i2pak	下载					Ear99	8541.29.0095	177		n通道		120 v	70A（TC）	10V	7.9mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	167 NC @ 10 V	±20V	9473 PF @ 60 V	-	349W（TC）
IXFN44N50Q	-	RFQ	6857	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN44		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		500 v	44A（TC）	10V	120mohm @ 500mA，10v	4V @ 4mA	190 NC @ 10 V	±20V	7000 PF @ 25 V	-	500W（TC）
FP50R12W2T7PBPSA1	84.1750	RFQ	2139	Infineon技术	EasyPim™	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块				20兆	三相桥梁整流器	Ag-Easy2b	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	18	三相逆变器													沟渠场停止	1200 v	50 a	1.6V @ 15V，35a			5 µA	是的	11.1 NF @ 25 V
FDP13AN06A0_NL	-	RFQ	4876	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		60 V	10.9a（ta），62a（tc）	6V，10V	13.5Mohm @ 62a，10v	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	1350 pf @ 25 V	-	115W（TC）
DMC2710UV-7	0.4400	RFQ	5	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	DMC2710		MOSFET （金属 o化物）	460MW（TA）		SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道互补			20V	1.1A（ta），800mA（ta）		400MOHM @ 600mA，4.5V，700MOHM @ 430mA，4.5V	1V @ 250µA	0.6NC @ 4.5V，0.7NC @ 4.5V		42pf @ 16v，49pf @ 16V	-
FDMS9409-F085	-	RFQ	7923	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	FDMS94		MOSFET （金属 o化物）			Power56	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		40 V	65A（TC）	10V	3.2MOHM @ 65A，10V	4V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±20V	3130 PF @ 20 V	-	100W（TJ）
2n5210rlra	0.0400	RFQ	36	Onmi	*	大部分	积极的										下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000
BUK7675-100A，118	0.8600	RFQ	1	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		100 v	23A（TC）	10V	75MOHM @ 13A，10V	4V @ 1mA		±20V	1210 pf @ 25 V	-	99W（TC）
AOD66923	1.1200	RFQ	12	Alpha＆欧米茄半导体公司	Alplosgt™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AOD66		MOSFET （金属 o化物）			TO-252（DPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		100 v	16.5A（TA），58A （TC）	4.5V，10V	11mohm @ 20a，10v	2.6V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	1725 PF @ 50 V	-	6.2W（ta），73w（tc）
SSM3J372R，LXHF	0.4600	RFQ	20	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101，U-MOSVI	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	SOT-23-3平线			MOSFET （金属 o化物）			SOT-23F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		30 V	6a（6a）	1.8V，10V	42MOHM @ 5A，10V	1.2V @ 1mA	8.2 NC @ 4.5 V	+6V，-12V	560 pf @ 15 V	-	1W（ta）
JAN2N6299P	36.8144	RFQ	5590	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-213AA，TO-66-2				64 W		TO-66（TO-213AA）	-			到达不受影响	150-JAN2N6299P	Ear99	8541.29.0095	1															80 V	8 a				500µA			pnp-达灵顿	2V @ 80mA，8a	750 @ 4A，3V	-
HAT1139H-EL-E	1.9200	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	2,500
IXFP36N20X3	4.6800	RFQ	387	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixfp36		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		200 v	36a（TC）	10V	45mohm @ 18a，10v	4.5V @ 500µA	21 NC @ 10 V	±20V	1425 PF @ 25 V	-	176W（TC）
AON6522_002	-	RFQ	7549	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，平面线	AON652		MOSFET （金属 o化物）			8-DFN（5x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		25 v	71a（ta），200a（tc）	4.5V，10V	0.95Mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	145 NC @ 10 V	±20V	7036 pf @ 15 V	-	7.3W（ta），83W（tc）
IPI22N03S4L15AKSA1	-	RFQ	5380	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI22N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		30 V	22a（TC）	4.5V，10V	14.9mohm @ 22a，10v	2.2V @ 10µA	14 NC @ 10 V	±16V	980 pf @ 25 V	-	31W（TC）
2N6187	287.8650	RFQ	4924	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	螺柱坐骑	TO-210AA，TO-59-4，螺柱				60 W		TO-59	-			到达不受影响	150-2N6187	Ear99	8541.29.0095	1															80 V	10 a				-			PNP	-	-	-
FDA24N50F	4.4800	RFQ	7220	Onmi	Unifet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FDA24		MOSFET （金属 o化物）			to-3pn	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2156-FDA24N50F	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	24A（TC）	10V	200mohm @ 12a，10v	5V @ 250µA	85 NC @ 10 V	±30V	4310 PF @ 25 V	-	270W（TC）
YJQ40G10A	0.2650	RFQ	500	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的										-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-YJQ40G10ATR	Ear99		5,000
SPD06N80C3ATMA1	2.2400	RFQ	7251	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SPD06N80		MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		800 v	6a（6a）	10V	900MOHM @ 3.8A，10V	3.9V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	785 pf @ 100 V	-	83W（TC）
DMHT10H032LFJ-13	0.4767	RFQ	3037	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	12-Powervdfn	DMHT10		MOSFET （金属 o化物）	900MW		V-DFN5045-12（C型）	下载			到达不受影响	31-DMHT10H032LFJ-13TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	4（n n 通道（半桥）			100V	6a（6a）		33mohm @ 6a，10v	2.5V @ 250µA	11.9nc @ 10V		683pf @ 50V	-
2N3906RLM	-	RFQ	6061	Onmi	-	大部分	过时的				2N3906						下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000
2SA1576U3HZGT106R	0.3800	RFQ	2	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	2SA1576			200兆		UMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000															50 V	150 ma				100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 5mA，5mA	120 @ 1mA，6v	140MHz
NTBG040N120SC1	24.3300	RFQ	760	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	NTBG040		sicfet （碳化硅）			D2PAK-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		1200 v	60a（TC）	20V	56mohm @ 35a，20v	4.3V @ 10mA	106 NC @ 20 V	+25V，-15V	1789 PF @ 800 V	-	357W（TC）
BC846DS，115	0.4300	RFQ	26	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	BC846			250MW		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000															65V	100mA				15NA（icbo）			2 NPN （双）	300mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	100MHz
IRGIB4615DPBF	-	RFQ	1806年	Infineon技术	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-220-3完整包		标准				TO-220FP	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001542156	Ear99	8541.29.0095	500			-											-	600 v	15 a	-	145µJ（在）上，70µJ（OFF）	-
STH240N75F3-6	6.6600	RFQ	6752	Stmicroelectronics	StripFet™III	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	STH240		MOSFET （金属 o化物）			H2PAK-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		75 v	180a（TC）	10V	3MOHM @ 90A，10V	4V @ 250µA	87 NC @ 10 V	±20V	6800 PF @ 25 V	-	300W（TC）
SCT3060ALHRC11	25.3100	RFQ	282	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SCT3060		sicfet （碳化硅）			TO-247N	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		650 v	39A（TC）	18V	78mohm @ 13a，18v	5.6V @ 6.67mA	58 NC @ 18 V	+22V，-4V	852 PF @ 500 V	-	165W

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²