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晶体管（（100539）

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IXFN34N100	-	RFQ	8901	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN34		MOSFET （金属 o化物）		SOT-227B	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	n通道		1000 v	34A（TC）	10V	280MOHM @ 500mA，10V	5.5V @ 8mA	380 NC @ 10 V	±20V	9200 PF @ 25 V	-	700W（TC）
IXFN44N50Q	-	RFQ	6857	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN44		MOSFET （金属 o化物）		SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	n通道		500 v	44A（TC）	10V	120mohm @ 500mA，10v	4V @ 4mA	190 NC @ 10 V	±20V	7000 PF @ 25 V	-	500W（TC）
IXFN80N48	-	RFQ	7269	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN80		MOSFET （金属 o化物）		SOT-227B	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	n通道		480 v	80A（TC）	10V	45mohm @ 500mA，10v	4V @ 8mA	380 NC @ 10 V	±20V	9890 pf @ 25 V	-	700W（TC）
IXFP4N100Q	5.9300	RFQ	334	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP4N100		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道		1000 v	4A（TC）	10V	3ohm @ 2a，10v	5V @ 1.5mA	39 NC @ 10 V	±20V	1050 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IXFP5N100P	5.5900	RFQ	50	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP5N100		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfp5n100p	Ear99	8541.29.0095	50	n通道		1000 v	5A（TC）	10V	2.8ohm @ 500mA，10v	6V @ 250µA	33.4 NC @ 10 V	±30V	1830 pf @ 25 V	-	250W（TC）
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IXSH24N60BD1	-	RFQ	5674	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXSH24	标准		150 w	TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		480V，24a，33ohm，15V											25 ns	-	600 v	48 a	96 a	2.5V @ 15V，24a	1.3MJ（（）	41 NC	50NS/150NS
IXSH25N120AU1	-	RFQ	8727	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXSH25	标准		200 w	TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		960V，25a，18ohm，15V											60 ns	-	1200 v	50 a	80 a	4V @ 15V，25a	9.6MJ（（）	120 NC	100NS/450NS
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2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²