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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
E3M0045065K	12.2872	RFQ	5692	Wolfspeed，Inc。	汽车，AEC-Q101，e	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4			SIC （硅碳化物交界晶体管）			TO-247-4L	-				1697-E3M0045065K			30		n通道			650 v	46A（TC）	15V	60mohm @ 17.6a，15v	3.6V @ 4.84mA	64 NC @ 15 V	+19V，-8V	122 PF @ 400 V		150W（TC）
SPB04N60S5ATMA1	-	RFQ	5997	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SPB04N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道			600 v	4.5A（TC）	10V	950MOHM @ 2.8A，10V	5.5V @ 200µA	22.9 NC @ 10 V	±20V	580 pf @ 25 V	-	50W（TC）
BCW61C	0.2800	RFQ	2	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆		SOT-23	下载	Rohs不合规			2368-BCW61C	Ear99	8541.21.0095	1																	32 v	100 ma						20NA（ICBO）		PNP	550mv @ 1.25mA，50mA	250 @ 2mA，5v	100MHz
BSR33-QF	0.2505	RFQ	7875	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	BSR33			1.35 w		SOT-89	-	rohs3符合条件		到达不受影响	1727-BSR33-qftr	Ear99	8541.29.0075	4,000																	80 V	1 a						100NA（ICBO）		PNP	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，5V	100MHz
PJMD390N65EC_L2_00001	6.9000	RFQ	5	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	PJMD390		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJMD390N65EC_L2_00001CT	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			650 v	10A（TC）	10V	390MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±30V	726 PF @ 400 V	-	87.5W（TC）
PMZB320UPEYL	0.5000	RFQ	27	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	PMZB320		MOSFET （金属 o化物）			DFN1006B-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10,000		P通道			30 V	1A（1A）	1.5V，4.5V	510MOHM @ 1A，4.5V	950mv @ 250µA	1.4 NC @ 4.5 V	±8V	122 pf @ 15 V	-	350MW（TA），6.25W（tc）
FW225-TL-E	0.2700	RFQ	106	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,000
FJX3003RTF	0.0200	RFQ	27	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		表面安装	SC-70，SOT-323	FJX300			200兆		SC-70-3（SOT323）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000																	50 V	100 ma						100NA（ICBO）		npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	56 @ 5mA，5V	250 MHz	22 KOHMS	22 KOHMS
PMV15ener	0.4300	RFQ	8	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-236AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道			30 V	6.2a（ta）	4.5V，10V	20mohm @ 5.8A，10V	2.5V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	440 pf @ 15 V	-	700MW（TA），8.3W（tc）
IRF8852TRPBF	-	RFQ	5013	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	IRF8852		MOSFET （金属 o化物）	1W		8-tssop	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2 n 通道（双）				25V	7.8a		11.3MOHM @ 7.8A，10V	2.35V @ 25µA	9.5NC @ 4.5V		1151pf @ 20V	逻辑级别门
PSMN8R5-108ES127	-	RFQ	4809	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
DMS2120LFWB-7	0.1710	RFQ	7520	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	DMS2120		MOSFET （金属 o化物）			8-DFN3020B（3x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道			20 v	2.9a（ta）	1.8V，4.5V	95mohm @ 2.8a，4.5V	1.3V @ 250µA		±12V	632 PF @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.5W（TA）
2SC4227-T1-A	0.3300	RFQ	102	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323				150MW		SOT-323	下载	不适用				Ear99	8541.21.0075	3,000				12DB													10V	65mA								NPN		40 @ 7mA，3v	7GHz			1.4db @ 1GHz
UPA608T-T1-A	0.1700	RFQ	38	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	3,000
SQJ146ELP-T1_GE3	0.9400	RFQ	2030	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ146		MOSFET （金属 o化物）			PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）		742-SQJ146ELP-T1_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			40 V	74A（TC）	4.5V，10V	5.8mohm @ 15a，10v	2.2V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	1780 pf @ 25 V	-	75W（TC）
IXTX400N15X4	44.1200	RFQ	1	ixys	Ultra X4	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	ixtx400		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道			150 v	400A（TC）	10V	3.1MOHM @ 100A，10V	4.5V @ 1mA	430 NC @ 10 V	±20V	14500 PF @ 25 V	-	1500W（TC）
YJL03N06B	0.0360	RFQ	300	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的										-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-yjl03n06btr	Ear99		3,000
HUF75631S3S	0.7000	RFQ	1	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	HUF75		MOSFET （金属 o化物）			d²pak（to-263ab）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道			100 v	33A（TC）	10V	40mohm @ 33a，10v	4V @ 250µA	79 NC @ 20 V	±20V	1220 pf @ 25 V	-	120W（TC）
76018	-	RFQ	7306	Microsemi Corporation	*	大部分	过时的				-						-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1
NTMFS5C450NLT1G	2.3300	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS5		MOSFET （金属 o化物）			5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道			40 V	27a（27a），110a（tc）	4.5V，10V	2.8mohm @ 40a，10v	2V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 20 V	-	3.7W（TA），68W（tc）
IKU06N60R	0.4900	RFQ	1	Infineon技术	Trechstop®	大部分	积极的	-	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		标准		100 W		pg-to251-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			400V，6A，23OHM，15V												68 ns	沟	600 v	12 a	18 a	2.1V @ 15V，6A	330µJ	48 NC	12NS/127NS
AOD208	-	RFQ	3936	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AOD20		MOSFET （金属 o化物）			TO-252（DPAK）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			30 V	18A（18A），54A（tc）	4.5V，10V	4.4mohm @ 20a，10v	2.3V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	2210 PF @ 15 V	-	2.5W（TA），62W（TC）
2SJ653	-	RFQ	5170	Sanyo	-	大部分	过时的	150°C	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）			TO-220毫升	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-2SJ653-600057			1		P通道			60 V	37a（ta）	4V，10V	25mohm @ 19a，10v	2.6V @ 1mA	120 NC @ 10 V	±20V	6500 PF @ 20 V	-	2W（TA），35W（tc）（TC）
TK3P80E，RQ	1.1500	RFQ	4414	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道			800 v	3A（3A）	10V	4.9ohm @ 1.5A，10V	4V @ 300µA	12 nc @ 10 V	±30V	500 pf @ 25 V	-	80W（TC）
STWA72N60DM6AG	10.3978	RFQ	3154	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STWA72		MOSFET （金属 o化物）			TO-247长铅	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STWA72N60DM6AG	Ear99	8541.29.0095	600		n通道			600 v	56A（TC）	10V	42MOHM @ 28A，10V	4.75V @ 250µA	98 NC @ 10 V	±25V	4444 PF @ 100 V	-	390W（TC）
FDMS2506SDC	-	RFQ	4733	Onmi	Dual Cool™，PowerTrench®，SyncFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS25		MOSFET （金属 o化物）			8-pqfn（5x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			25 v	39A（ta），49a（tc）	4.5V，10V	1.45MOHM @ 30a，10V	3V @ 1mA	93 NC @ 10 V	±20V	5945 pf @ 13 V	-	3.3W（TA），89w（tc）
DMP31D7LDW-7	0.0706	RFQ	6056	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	DMP31		MOSFET （金属 o化物）			SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	dmp31d7ldw-7di	Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）					550mA（ta）		900MOHM @ 420mA，10V	2.6V @ 250µA				-
MMIX4B20N300	105.4600	RFQ	2	ixys	Bimosfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	24-smd模块，9条线索	MMIX4B20			150 w	标准	24-smpd	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20	全桥															-	3000 v	34 a		3.2V @ 15V，20A					不
SQJ444EP-T1_BE3	1.3300	RFQ	9631	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8			MOSFET （金属 o化物）			PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）		742-SQJ44444EP-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			40 V	60a（TC）	4.5V，10V	3.2MOHM @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	5000 pf @ 25 V	-	68W（TC）
PBLS2023D，115	0.1200	RFQ	12	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的				PBLS20						下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²