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晶体管（（100539）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 fet 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） trr） IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C
IXFH15N100 IXYS IXFH15N100 -
RFQ
 ECAD 5175 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH15 MOSFET （金属 o化物） TO-247AD（IXFH） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1000 v 15A（TC） 10V 700mohm @ 500mA，10v 4.5V @ 4mA 220 NC @ 10 V ±20V 4500 PF @ 25 V - 360W（TC）
IXFH230N075T2 IXYS IXFH230N075T2 8.3600
RFQ
 ECAD 3245 0.00000000 ixys HiperFet™，Trencht2™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH230 MOSFET （金属 o化物） TO-247AD（IXFH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 75 v 230a（TC） 10V 4.2MOHM @ 50a，10v 4V @ 250µA 178 NC @ 10 V ±20V 10500 PF @ 25 V - 480W（TC）
IXFH30N60Q IXYS IXFH30N60Q -
RFQ
 ECAD 8824 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q类 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH30 MOSFET （金属 o化物） TO-247AD（IXFH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 30A（TC） 10V 230MOHM @ 500mA，10V 4.5V @ 4mA 125 NC @ 10 V ±20V 4700 PF @ 25 V - 500W（TC）
IXFH70N15 IXYS IXFH70N15 -
RFQ
 ECAD 9024 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH70 MOSFET （金属 o化物） TO-247AD（IXFH） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 150 v 70A（TC） 10V 28mohm @ 35a，10v 4V @ 4mA 180 NC @ 10 V ±20V 3600 PF @ 25 V - 300W（TC）
IXFH74N20 IXYS IXFH74N20 -
RFQ
 ECAD 1069 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH74 MOSFET （金属 o化物） TO-247AD（IXFH） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 200 v 74A（TC） 10V 30mohm @ 500mA，10v 4V @ 4mA 280 NC @ 10 V ±20V 5400 PF @ 25 V - 360W（TC）
IXFH80N08 IXYS IXFH80N08 -
RFQ
 ECAD 8934 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH80 MOSFET （金属 o化物） TO-247AD（IXFH） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 80 V 80A（TC） 10V 9mohm @ 40a，10v 4V @ 4mA 180 NC @ 10 V ±20V 4800 PF @ 25 V - 300W（TC）
IXFH80N15Q IXYS IXFH80N15Q -
RFQ
 ECAD 2631 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH80 MOSFET （金属 o化物） TO-247AD（IXFH） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 150 v 80A（TC） 10V 22.5mohm @ 40a，10v 4V @ 4mA 180 NC @ 10 V ±20V 4500 PF @ 25 V - 360W（TC）
IXFH8N80 IXYS IXFH8N80 -
RFQ
 ECAD 1977年 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH8 MOSFET （金属 o化物） TO-247AD（IXFH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 800 v 8A（TC） 10V 1.1OHM @ 4A，10V 4.5V @ 2.5mA 130 NC @ 10 V ±20V 2600 PF @ 25 V - 180W（TC）
IXFK180N07 IXYS IXFK180N07 -
RFQ
 ECAD 3320 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFK180 MOSFET （金属 o化物） TO-264AA（IXFK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 70 v 180a（TC） 10V 6mohm @ 500mA，10v 4V @ 8mA 420 NC @ 10 V ±20V 9400 PF @ 25 V - 568W（TC）
IXFK35N50 IXYS IXFK35N50 -
RFQ
 ECAD 9959 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFK35 MOSFET （金属 o化物） TO-264AA（IXFK） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 25 n通道 500 v 35A（TC） 10V 150MOHM @ 16.5A，10V 4V @ 4mA 227 NC @ 10 V ±20V 5700 PF @ 25 V - 416W（TC）
IXFK44N50Q IXYS IXFK44N50Q -
RFQ
 ECAD 2619 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q类 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFK44 MOSFET （金属 o化物） TO-264AA（IXFK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 500 v 44A（TC） 10V 120mohm @ 22a，10v 4V @ 4mA 190 NC @ 10 V ±20V 7000 PF @ 25 V - 500W（TC）
IXFK80N15Q IXYS IXFK80N15Q -
RFQ
 ECAD 8258 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q类 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFK80 MOSFET （金属 o化物） TO-264AA（IXFK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 150 v 80A（TC） 10V 22.5mohm @ 40a，10v 4V @ 4mA 180 NC @ 10 V ±20V 4500 PF @ 25 V - 360W（TC）
IXFL34N100 IXYS IXFL34N100 30.8628
RFQ
 ECAD 7917 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA ixfl34 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS264™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 1000 v 30A（TC） 10V 280mohm @ 30a，10v 5V @ 8mA 380 NC @ 10 V ±20V 9200 PF @ 25 V - 550W（TC）
IXFL40N110P IXYS IXFL40N110P -
RFQ
 ECAD 2138 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 - 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFL40 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS264™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 1100 v 21a（TC） 10V 280mohm @ 20a，10v 6.5V @ 1mA 310 NC @ 10 V ±30V 19000 PF @ 25 V - -
IXFN100N10S2 IXYS IXFN100N10S2 -
RFQ
 ECAD 7546 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN100 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 100 v 100A（TC） 10V 15mohm @ 500mA，10v 4V @ 4mA 180 NC @ 10 V ±20V 4500 PF @ 25 V - 360W（TC）
IXFN100N10S3 IXYS IXFN100N10S3 -
RFQ
 ECAD 7704 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN100 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 100 v 100A（TC） 10V 15mohm @ 500mA，10v 4V @ 4mA 180 NC @ 10 V ±20V 4500 PF @ 25 V - 360W（TC）
IXFN170N10 IXYS IXFN170N10 35.7580
RFQ
 ECAD 1044 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN170 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 100 v 170a（TC） 10V 10mohm @ 500mA，10v 4V @ 8mA 515 NC @ 10 V ±20V 10300 PF @ 25 V - 600W（TC）
IXFN170N30P IXYS IXFN170N30P 48.2300
RFQ
 ECAD 1237 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN170 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 300 v 138a（TC） 10V 18mohm @ 85a，10v 4.5V @ 1mA 258 NC @ 10 V ±20V 20000 PF @ 25 V - 890W（TC）
IXFN23N100 IXYS IXFN23N100 -
RFQ
 ECAD 1316 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN23 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 1000 v 23A（TC） 10V - 5V @ 8mA ±20V - 600W（TC）
IXFN25N90 IXYS IXFN25N90 -
RFQ
 ECAD 2735 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN25 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 900 v 25A（TC） 10V 330mohm @ 500mA，10v 5V @ 8mA 240 NC @ 10 V ±20V 10800 PF @ 25 V - 600W（TC）
IXFN34N100 IXYS IXFN34N100 -
RFQ
 ECAD 8901 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN34 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 1000 v 34A（TC） 10V 280MOHM @ 500mA，10V 5.5V @ 8mA 380 NC @ 10 V ±20V 9200 PF @ 25 V - 700W（TC）
IXFN44N50Q IXYS IXFN44N50Q -
RFQ
 ECAD 6857 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q类 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN44 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 500 v 44A（TC） 10V 120mohm @ 500mA，10v 4V @ 4mA 190 NC @ 10 V ±20V 7000 PF @ 25 V - 500W（TC）
IXFN80N48 IXYS IXFN80N48 -
RFQ
 ECAD 7269 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN80 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 480 v 80A（TC） 10V 45mohm @ 500mA，10v 4V @ 8mA 380 NC @ 10 V ±20V 9890 pf @ 25 V - 700W（TC）
IXFP4N100Q IXYS IXFP4N100Q 5.9300
RFQ
 ECAD 334 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q类 管子 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXFP4N100 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 1000 v 4A（TC） 10V 3ohm @ 2a，10v 5V @ 1.5mA 39 NC @ 10 V ±20V 1050 pf @ 25 V - 150W（TC）
IXFP5N100P IXYS IXFP5N100P 5.5900
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXFP5N100 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -ixfp5n100p Ear99 8541.29.0095 50 n通道 1000 v 5A（TC） 10V 2.8ohm @ 500mA，10v 6V @ 250µA 33.4 NC @ 10 V ±30V 1830 pf @ 25 V - 250W（TC）
IXFR10N100Q IXYS IXFR10N100Q -
RFQ
 ECAD 8507 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q类 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFR10 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS247™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1000 v 9A（TC） 10V 1.2OHM @ 5A，10V 5.5V @ 4mA 90 NC @ 10 V ±20V 2900 PF @ 25 V - 250W（TC）
IXFR12N100Q IXYS IXFR12N100Q -
RFQ
 ECAD 3213 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q类 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFR12 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS247™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1000 v 10A（TC） 10V 1.1OHM @ 6A，10V 5.5V @ 4mA 90 NC @ 10 V ±20V 2900 PF @ 25 V - 250W（TC）
IXGR60N60U1 IXYS IXGR60N60U1 -
RFQ
 ECAD 1749年 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXGR60 标准 300 w ISOPLUS247™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 480V，60a，2.7Ohm，15V - 600 v 75 a 200 a 1.7V @ 15V，60a （16mj）） 200 NC 50NS/600NS
IXGR72N60C3D1 IXYS IXGR72N60C3D1 -
RFQ
 ECAD 3324 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixgr72 标准 200 w ISOPLUS247™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 480V，50a，2ohm，15V 35 ns pt 600 v 75 a 400 a 2.7V @ 15V，50a 1.03mj（在）上，480µJ off） 175 NC 27NS/77NS
IXGR80N60B IXYS IXGR80N60B -
RFQ
 ECAD 1510 0.00000000 ixys - 管子 积极的 - 通过洞 TO-247-3 ixgr80 标准 ISOPLUS247™ - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 - - 600 v - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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