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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
BC640,126	-	RFQ	7198	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC64				830兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																					80 V	1 a							100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	145MHz
SPS9565RLRA	-	RFQ	2703	Onmi	*	大部分	积极的												-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响				2,000
IPI126N10N3GXKSA1	0.6900	RFQ	10	Infineon技术	Optimos™3	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道						100 v	58A（TC）	6V，10V	12.6mohm @ 46A，10V	3.5V @ 46µA	35 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 50 V	-	94W（TC）
IRFS7730pbf	-	RFQ	4097	国际整流器	hexfet®，strongirfet™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			d²pak（to-263ab）	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道						75 v	195a（TC）	6V，10V	2.6MOHM @ 100A，10V	3.7V @ 250µA	407 NC @ 10 V	±20V	13660 pf @ 25 V	-	375W（TC）
IPP180N10N3GXKSA1	2.0700	RFQ	500	Infineon技术	Optimos™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP180			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						100 v	43A（TC）	6V，10V	18mohm @ 33a，10v	3.5V @ 33µA	25 NC @ 10 V	±20V	1800 PF @ 50 V	-	71W（TC）
IRG4BC15MDPBF	-	RFQ	9852	Infineon技术	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRG4BC15	标准			49 W		TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50				480V，8.6a，75ohm，15V															28 ns	-	600 v	14 a	28 a	2.3V @ 15V，8.6a	（320µJ）（在1.93mj）上	46 NC	21NS/540NS
NTB75N03-006	-	RFQ	2514	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NTB75			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						30 V	75A（TC）	10V	6.5MOHM @ 37.5A，10V	2V @ 250µA	75 NC @ 5 V	±20V	5635 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），125W（tc）
NSB1011XV6T5	0.0400	RFQ	88	Onmi	*	大部分	积极的												下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000
2SK1401A-E	4.2800	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的												下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
SQM50P04-09L_GE3	2.6100	RFQ	651	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SQM50			MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D²Pak）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		P通道						40 V	50A（TC）	4.5V，10V	9.4mohm @ 50a，10v	2.5V @ 250µA	145 NC @ 10 V	±20V	6045 pf @ 10 V	-	150W（TC）
AON3611	0.6000	RFQ	50	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	AON361			MOSFET （金属 o化物）	2.1W，2.5W		8-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道，普通排水							30V	5a，6a		50mohm @ 5a，10v	2.5V @ 250µA	10NC @ 10V		170pf @ 15V	逻辑级别门
PJD100P03_L2_00001	1.0500	RFQ	3242	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	PJD100			MOSFET （金属 o化物）			TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJD100P03_L2_00001DKR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道						30 V	15.8A（TA），100A （TC）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	107 NC @ 10 V	±20V	6067 PF @ 25 V	-	2W（TA），104w（tc）
CMS09N10D-HF	-	RFQ	5221	comchip技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）			D-pak（TO-252）	下载		（1 （无限）		641-CMS09N10D-HFTR	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						100 v	9.6A（TC）	10V	140MOHM @ 6A，10V	2.5V @ 250µA	15.5 NC @ 10 V	±20V	690 pf @ 25 V	-	30W（TC）
GN2470K4-G	1.3300	RFQ	5357	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	GN2470	标准			2.5 w		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000				-																-	700 v	1 a	3.5 a	5V @ 13V，3A	-		8NS/20NS
IRFI9Z24GPBF	2.6600	RFQ	1536年	Vishay Siliconix	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI9			MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFI9Z24GPBF	Ear99	8541.29.0095	50		P通道						60 V	8.5A（TC）	10V	280MOHM @ 5.1A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	570 pf @ 25 V	-	37W（TC）
RM2003	0.0620	RFQ	9948	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	RM200			MOSFET （金属 o化物）	800MW（TA）		SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM2003Tr		8541.10.0080	30,000	n和p通道							20V	3A（3A）		35mohm @ 3A，4.5V，75MOHM @ 2.5A，4.5V	1.2V @ 250µA，1V @ 250µA	5NC @ 4.5V，3.2NC @ 4.5V		260pf @ 10V，325pf @ 10V	-
IPA60R125CP	-	RFQ	1680年	Infineon技术	coolmos®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-31	下载						0000.00.0000	1		n通道						600 v	25A（TC）	10V	125mohm @ 16a，10v	3.5V @ 1.1mA	70 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 100 V	-	35W（TC）
SIHB30N60E-GE3	6.0700	RFQ	879	Vishay Siliconix	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB30			MOSFET （金属 o化物）			d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		SIHB30N60EGE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						600 v	29A（TC）	10V	125mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±30V	2600 PF @ 100 V	-	250W（TC）
BLF8G10LS-160V，112	66.3900	RFQ	5	NXP USA Inc.	-	管子	积极的	65 v		法兰安装	SOT-502B	BLF8		920MHz〜960MHz	ldmos			SOT502B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1					1.1 a	35W	19.7db											-										30 V
FS150R12KT4B11BOSA1	289.0000	RFQ	9	Infineon技术	Econopack™3	托盘	积极的		-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FS150R12				750 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器																			沟渠场停止	1200 v	150 a		2.1V @ 15V，150a					1 MA	是的	9.35 NF @ 25 V
BSO203SP	0.3600	RFQ	5	Infineon技术	Optimos®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）			PG-DSO-8	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		P通道						20 v	7a（ta）	2.5V，4.5V	21mohm @ 8.9a，4.5V	1.2V @ 50µA	39 NC @ 4.5 V	±12V	3750 pf @ 15 V	-	1.6W（TA）
AUIRFB3806-IR	-	RFQ	6895	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	2156-AUIRFB3806-IR	Ear99	0000.00.0000	1		n通道						60 V	43A（TC）		15.8mohm @ 43a，10v	-		-		-	71W（TC）
RW1A030APT2CR	-	RFQ	3626	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	RW1A030			MOSFET （金属 o化物）			6-Wemt	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000		P通道						12 v	3A（3A）	1.5V，4.5V	42MOHM @ 3A，4.5V	1V @ 1mA	22 NC @ 4.5 V	-8V	2700 PF @ 6 V	-	700MW（TA）
IRF7739L1TRPBF	5.3200	RFQ	5370	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距l8	IRF7739			MOSFET （金属 o化物）			DirectFet™等距l8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道						40 V	46A（ta），270a （TC）	10V	1MOHM @ 160a，10V	4V @ 250µA	330 NC @ 10 V	±20V	11880 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），125W（tc）
2N2976	33.4200	RFQ	8254	微芯片技术	*	大部分	积极的					2N297							-			到达不受影响	150-2N2976			1
DMN3270UVT-13	0.1201	RFQ	7839	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	DMN3270			MOSFET （金属 o化物）	760MW（TA）		TSOT-26	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000	2 n 通道（双）							30V	1.6a（ta）		270MOHM @ 650mA，4.5V	900MV @ 40µA	3.07NC @ 4.5V		161pf @ 15V	-
R8005anjfrgtl	3.2100	RFQ	1	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	R8005			MOSFET （金属 o化物）			LPT	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						800 v	5A（TC）	10V	2.1OHM @ 2.5a，10v	5V @ 1mA	20 nc @ 10 V	±30V	500 pf @ 25 V	-	120W（TC）
NXH010P90MNF1PG	-	RFQ	3288	Onmi	-	托盘	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	NXH010			（SIC）	328W（TJ）		-	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NXH010P90MNF1PG	Ear99	8541.29.0095	28	2 n 通道（双）公共来源							900V	154a（TC）		14mohm @ 100a，15v	4.3V @ 40mA	546.4NC @ 15V		7007pf @ 450V	-
CJD13003 BK PBFRE	-	RFQ	9122	中央半导体公司	-	大部分	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63					1.56 w		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		1514-CJD13003BKPBFRE	Ear99	8541.29.0095	150																					400 v	1.5 a							100µA			NPN	3V @ 500mA，1.5a	8 @ 500mA，2V	4MHz
BLS7G2933S-150,112	515.3300	RFQ	32	NXP USA Inc.	-	管子	积极的	60 V		底盘安装	SOT-922-1			2.9GHz〜3.3GHz	ldmos			CDFM2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1			4.2µA		100 ma	150W	13.5dB											-										32 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²