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晶体管（（102018）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
MSC017SMA120J	66.3200	RFQ	8076	微芯片技术	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）			MSC017	sicfet （碳化硅）				下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-MSC017SMA120J	Ear99	8541.29.0095	10		n通道	1200 v	88A（TC）	20V	22mohm @ 40a，20v	2.7V @ 4.5mA ty（typ）	249 NC @ 20 V	+23V，-10V	5280 pf @ 1000 V		278W（TC）
AOT286L	1.1053	RFQ	2382	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	AOT286	MOSFET （金属 o化物）			TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	80 V	（13a）（ta），70a （TC）	6V，10V	6mohm @ 20a，10v	3.3V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	3142 PF @ 40 V	-	2.1W（ta），167W（tc）
DDB6U134N16RRBOSA1	-	RFQ	6980	Infineon技术	-	大部分	在sic中停产	150°C（TJ）	底盘安装	模块	DDB6U134		500 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的												npt	1600 v	70 a	2.75V @ 15V，70a	500 µA	是的	5.1 NF @ 25 V
SI3495DV-T1-GE3	-	RFQ	7465	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3495	MOSFET （金属 o化物）			6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	5.3a（ta）	1.5V，4.5V	24mohm @ 7A，4.5V	750mv @ 250µA	38 NC @ 4.5 V	±5V		-	1.1W（TA）
NTMTSC4D3N15MC	6.5300	RFQ	8224	Onmi	Dual Cool™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）			8-TDFNW（8.3x8.4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	150 v	22a（22A），174a （TC）	8V，10V	4.45MOHM @ 95A，10V	4.5V @ 521µA	79 NC @ 10 V	±20V	6514 PF @ 75 V	-	5W（5W），293W（tc）
VDI100-06P1	-	RFQ	3171	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Eco-PAC2	vdi		294 w	标准	Eco-PAC2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	单身的												npt	600 v	93 a	2.8V @ 15V，100a	1.4 MA	是的	4.2 NF @ 25 V
BSZ440N10NS3GATMA1	0.8900	RFQ	6	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSZ440	MOSFET （金属 o化物）			PG-TSDSON-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	100 v	5.3a（ta），18A（tc）	6V，10V	44mohm @ 12a，10v	2.7V @ 12µA	9.1 NC @ 10 V	±20V	640 pf @ 50 V	-	29W（TC）
IPP80N06S407AKSA1	-	RFQ	7039	Infineon技术	Optimos™	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ipp80n	MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	60 V	80A（TC）	10V	7.4mohm @ 80a，10v	4V @ 40µA	56 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	79W（TC）
NTMFS4119NT3G	-	RFQ	6558	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4	MOSFET （金属 o化物）			5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	5,000		n通道	30 V	11a（11a）	4.5V，10V	3.5mohm @ 29a，10v	2.5V @ 250µA	60 NC @ 4.5 V	±20V	4800 PF @ 24 V	-	900MW（TA）
SI3127DV-T1-GE3	0.4800	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3127	MOSFET （金属 o化物）			6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	3.5A（TA），13A （TC）	4.5V，10V	89mohm @ 1.5A，4.5V	3V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	833 PF @ 20 V	-	2W（TA），4.2W（TC）
FS70km-06 ＃B00	4.4900	RFQ	115	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的				FS70公里	-				-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1											-
IXFN170N30P	48.2300	RFQ	1237	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN170	MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道	300 v	138a（TC）	10V	18mohm @ 85a，10v	4.5V @ 1mA	258 NC @ 10 V	±20V	20000 PF @ 25 V	-	890W（TC）
IRLR3110ZTRPBF	-	RFQ	3091	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载						0000.00.0000	1		n通道	100 v	42A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 38a，10v	2.5V @ 100µA	48 NC @ 4.5 V	±16V	3980 pf @ 25 V	-	140W（TC）
IXTQ74N15T	-	RFQ	5488	ixys	沟	管子	积极的	-	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	ixtq74	MOSFET （金属 o化物）			to-3p	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	150 v	74A（TC）		-	-				-	-
FP75R12KE3BOSA1	236.8800	RFQ	76	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块	FP75R12		355 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的												npt	1200 v	105 a	2.2V @ 15V，75a	5 ma	不	5.3 nf @ 25 V
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SIR164ADP-T1-GE3	1.0700	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir164	MOSFET （金属 o化物）			PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	35.9a（ta），40a tc）	4.5V，10V	2.2MOHM @ 15A，10V	2.2V @ 250µA	77 NC @ 10 V	+20V，-16V	3595 pf @ 15 V	-	5W（5W），62.5W（TC）
IPA50R250CP	1.5600	RFQ	220	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-31	下载					Ear99	8542.39.0001	220		n通道	500 v	13A（TC）	10V	250MOHM @ 7.8A，10V	3.5V @ 520µA	36 NC @ 10 V	±20V	1420 PF @ 100 V	-	33W（TC）
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ZVP3310FTA-50	0.1328	RFQ	9890	二极管合并	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	ZVP3310	MOSFET （金属 o化物）			SOT-23-3	下载				31-ZVP3310FTA-50	Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	100 v	75ma（ta）	10V	20ohm @ 150mA，10v	3.5V @ 1mA		±20V	50 pf @ 25 V	-	330MW（TA）
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FS100kMJ-03F＃b00	1.0000	RFQ	5738	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
IRF9Z34NSTRRPBF	-	RFQ	4590	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	800		P通道	55 v	19a（tc）	10V	100mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	620 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），68w（tc）
IXFA7N80P	4.0000	RFQ	4694	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXFA7N80	MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA（IXFA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	800 v	7A（TC）	10V	1.44OHM @ 3.5A，10V	5V @ 1mA	32 NC @ 10 V	±30V	1890 pf @ 25 V	-	200W（TC）
SI3400-TP	0.4100	RFQ	2	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI3400	MOSFET （金属 o化物）			SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	30 V	5.8a	2.5V，10V	35mohm @ 5.8A，10V	1.4V @ 250µA		±12V	1050 pf @ 15 V	-	350MW
SIA477EDJ-T1-GE3	0.5100	RFQ	5996	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA477	MOSFET （金属 o化物）			PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	12A（TC）		14mohm @ 7A，4.5V	1V @ 250µA	87 NC @ 8 V		2970 pf @ 6 V	-	-
SIRA50ADP-T1-RE3	1.5900	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira50	MOSFET （金属 o化物）			PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	54.8A（TA），219a （TC）	4.5V，10V	1.04MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 250µA	150 NC @ 10 V	+20V，-16V	7300 PF @ 20 V	-	6.25W（TA），100W（（（（（（（（（（
IRG8P75N65UD1-EPBF	3.8000	RFQ	2	国际整流器	-	大部分	过时的									-					Ear99	8542.39.0001	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（102018）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²