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晶体管（（100539）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 ECCN htsus 标准包 配置 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（）
VMO1200-01F IXYS VMO1200-01F 170.0700
RFQ
 ECAD 70 0.00000000 ixys Hiperfet™ 托盘 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 y3-li VMO1200 MOSFET （金属 o化物） y3-li 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 100 v 1220a（TC） 10V 1.35MOHM @ 932a，10V 4V @ 64mA 2520 NC @ 10 V ±20V - -
GWM100-0085X1-SMD SAM IXYS GWM100-0085x1-SMD SAM -
RFQ
 ECAD 2284 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 17-SMD，鸥翼 GWM100 MOSFET （金属 o化物） - ISOPLUS-DIL™ - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 6 n通道（3相桥） 85V 103a 6.2MOHM @ 75A，10V 4V @ 250µA 114NC @ 10V - -
GWM120-0075P3-SL IXYS GWM120-0075P3-SL -
RFQ
 ECAD 1375 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 17-SMD，平坦的铅 GWM120 MOSFET （金属 o化物） - ISOPLUS-DIL™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 36 6 n通道（3相桥） 75V 118a 5.5MOHM @ 60a，10V 4V @ 1mA 100NC @ 10V - -
GWM120-0075X1-SLSAM IXYS GWM120-0075x1-SLSAM -
RFQ
 ECAD 9884 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 17-SMD，平坦的铅 GWM120 MOSFET （金属 o化物） - ISOPLUS-DIL™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 6 n通道（3相桥） 75V 110a 4.9Mohm @ 60a，10v 4V @ 1mA 115nc @ 10V - -
GWM120-0075X1-SMD IXYS GWM120-0075x1-SMD -
RFQ
 ECAD 5504 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 17-SMD，鸥翼 GWM120 MOSFET （金属 o化物） - ISOPLUS-DIL™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 36 6 n通道（3相桥） 75V 110a 4.9Mohm @ 60a，10v 4V @ 1mA 115nc @ 10V - -
GWM160-0055X1-SMDSAM IXYS GWM160-0055X1-SMDSAM -
RFQ
 ECAD 7041 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 17-SMD，鸥翼 GWM160 MOSFET （金属 o化物） - ISOPLUS-DIL™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 6 n通道（3相桥） 55V 150a 3.3MOHM @ 100A，10V 4.5V @ 1mA 105nc @ 10V - -
GWM220-004P3-SL IXYS GWM220-004P3-SL -
RFQ
 ECAD 5404 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 17-SMD，平坦的铅 GWM220 MOSFET （金属 o化物） - ISOPLUS-DIL™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 36 6 n通道（3相桥） 40V 180a - 4V @ 1mA 94NC @ 10V - -
GWM220-004P3-SL SAM IXYS GWM220-004P3-SL SAM -
RFQ
 ECAD 1694年 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 17-SMD，平坦的铅 GWM220 MOSFET （金属 o化物） - ISOPLUS-DIL™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 6 n通道（3相桥） 40V 180a - 4V @ 1mA 94NC @ 10V - -
IRFP250 IXYS IRFP250 -
RFQ
 ECAD 5063 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IRFP25 MOSFET （金属 o化物） TO-247AD 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 200 v 30A（TC） 10V 85mohm @ 18a，10v 4V @ 250µA 140 NC @ 10 V ±20V 2970 pf @ 25 V - 190w（TC）
IXFA130N10T IXYS IXFA130N10T 4.2210
RFQ
 ECAD 3108 0.00000000 ixys hiperfet™，战沟 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB IXFA130 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA（IXFA） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 130a（TC） 10V 9.1mohm @ 25a，10v 4.5V @ 1mA 104 NC @ 10 V ±20V 5080 pf @ 25 V - 360W（TC）
IXFA4N100P IXYS IXFA4N100P 4.2900
RFQ
 ECAD 6340 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB IXFA4N100 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA（IXFA） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 1000 v 4A（TC） 10V 3.3ohm @ 2a，10v 5V @ 250µA 26 NC @ 10 V ±20V 1456 pf @ 25 V - 150W（TC）
IXFB30N120Q2 IXYS IXFB30N120Q2 -
RFQ
 ECAD 7703 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q2类 管子 积极的 - 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFB30 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS264™ - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 1200 v 30A（TC） - - - -
IXFE24N100 IXYS IXFE24N100 -
RFQ
 ECAD 5115 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 ixfe24 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 1000 v 22a（TC） 10V 390MOHM @ 12A，10V 5V @ 8mA 250 NC @ 10 V ±20V 7000 PF @ 25 V - 500W（TC）
IXFE39N90 IXYS IXFE39N90 -
RFQ
 ECAD 9080 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 ixfe39 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 900 v 34A（TC） 10V 220MOHM @ 19.5A，10V 5V @ 8mA 375 NC @ 10 V ±20V 13400 PF @ 25 V - 580W（TC）
IXFE44N50QD2 IXYS IXFE44N50QD2 -
RFQ
 ECAD 8425 0.00000000 ixys Hiperfet™，耗尽 管子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 ixfe44 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 500 v 39A（TC） 10V 120mohm @ 22a，10v 4V @ 4mA 190 NC @ 10 V ±20V 8000 PF @ 25 V - 400W（TC）
IXFE44N50QD3 IXYS IXFE44N50QD3 -
RFQ
 ECAD 8521 0.00000000 ixys Hiperfet™，耗尽 管子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 ixfe44 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 500 v 39A（TC） 10V 120mohm @ 22a，10v 4V @ 4mA 190 NC @ 10 V ±20V 8000 PF @ 25 V - 400W（TC）
IXFE48N50Q IXYS IXFE48N50Q -
RFQ
 ECAD 1863年 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q类 管子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 ixfe48 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 500 v 41A（TC） 10V 110MOHM @ 24A，10V 4V @ 4mA 190 NC @ 10 V ±20V 7000 PF @ 25 V - 400W（TC）
IXFE48N50QD2 IXYS IXFE48N50QD2 -
RFQ
 ECAD 6417 0.00000000 ixys Hiperfet™，耗尽 管子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 ixfe48 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 500 v 41A（TC） 10V 110MOHM @ 24A，10V 4V @ 4mA 190 NC @ 10 V ±20V 8000 PF @ 25 V - 400W（TC）
IXFE55N50 IXYS IXFE55N50 -
RFQ
 ECAD 3788 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 ixfe55 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 500 v 47A（TC） 10V 90MOHM @ 27.5A，10V 4.5V @ 8mA 330 NC @ 10 V ±20V 9400 PF @ 25 V - 500W（TC）
IXFE73N30Q IXYS IXFE73N30Q -
RFQ
 ECAD 5280 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q类 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 ixfe73 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 300 v 66A（TC） 10V 46mohm @ 36.5a，10v 4V @ 4mA 190 NC @ 10 V ±20V 6400 PF @ 25 V - 400W（TC）
IXFE80N50 IXYS IXFE80N50 -
RFQ
 ECAD 3665 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 ixfe80 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 500 v 72A（TC） 10V 55mohm @ 40a，10v 4.5V @ 8mA 380 NC @ 10 V ±20V 9890 pf @ 25 V - 580W（TC）
IXFH102N15T IXYS IXFH102N15T 6.6500
RFQ
 ECAD 9975 0.00000000 ixys hiperfet™，战沟 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH102 MOSFET （金属 o化物） TO-247AD（IXFH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 150 v 102A（TC） 10V 18mohm @ 500mA，10v 5V @ 1mA 87 NC @ 10 V ±20V 5220 PF @ 25 V - 455W（TC）
IXFH10N100Q IXYS IXFH10N100Q -
RFQ
 ECAD 7476 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q类 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH10 MOSFET （金属 o化物） TO-247AD（IXFH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1000 v 10A（TC） 10V 1.2OHM @ 5A，10V 4.5V @ 4mA 155 NC @ 10 V ±20V 4000 pf @ 25 V - 300W（TC）
IXFH110N25T IXYS IXFH110N25T 9.9000
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 ixys hiperfet™，战沟 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH110 MOSFET （金属 o化物） TO-247AD（IXFH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 250 v 110A（TC） 10V 24mohm @ 55a，10v 4.5V @ 3mA 157 NC @ 10 V ±20V 9400 PF @ 25 V - 694W（TC）
IXFH12N100F IXYS IXFH12N100F 12.0100
RFQ
 ECAD 1694年 0.00000000 ixys hiperfet™，f类 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH12 MOSFET （金属 o化物） TO-247AD（IXFH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1000 v 12A（TC） 10V 1.05Ohm @ 6a，10v 5.5V @ 4mA 77 NC @ 10 V ±20V 2700 PF @ 25 V - 300W（TC）
IXFH12N100Q IXYS IXFH12N100Q -
RFQ
 ECAD 4568 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q类 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH12 MOSFET （金属 o化物） TO-247AD（IXFH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 1000 v 12A（TC） 10V 1.05Ohm @ 6a，10v 5.5V @ 4mA 90 NC @ 10 V ±20V 2900 PF @ 25 V - 300W（TC）
IXFH13N100 IXYS IXFH13N100 -
RFQ
 ECAD 4176 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH13 MOSFET （金属 o化物） TO-247AD（IXFH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1000 v 12.5A（TC） 10V 900mohm @ 500mA，10v 4.5V @ 4mA 155 NC @ 10 V ±20V 4000 pf @ 25 V - 300W（TC）
IXFH14N100 IXYS IXFH14N100 -
RFQ
 ECAD 3710 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH14 MOSFET （金属 o化物） TO-247AD（IXFH） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1000 v 14A（TC） 10V 750MOHM @ 500mA，10V 4.5V @ 4mA 220 NC @ 10 V ±20V 4500 PF @ 25 V - 360W（TC）
IXFH150N17T IXYS IXFH150N17T -
RFQ
 ECAD 3498 0.00000000 ixys TrechHV™ 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH150 MOSFET （金属 o化物） TO-247AD（IXFH） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 175 v 150a（TC） 10V 12mohm @ 75a，10v 5V @ 3mA 155 NC @ 10 V ±30V 9800 PF @ 25 V - 830W（TC）
IXFH15N100 IXYS IXFH15N100 -
RFQ
 ECAD 5175 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH15 MOSFET （金属 o化物） TO-247AD（IXFH） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1000 v 15A（TC） 10V 700mohm @ 500mA，10v 4.5V @ 4mA 220 NC @ 10 V ±20V 4500 PF @ 25 V - 360W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

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196-LFBGA裸露的垫子

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