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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
APT40GP90J	39.4100	RFQ	8312	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT40GP90			284 w	标准	isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的														pt	900 v	68 a		3.9V @ 15V，40a				250 µA	不	3.3 NF @ 25 V
NTE3301	6.7200	RFQ	20	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		标准		40 W		TO-220完整包	下载	Rohs不合规			2368-NTE3301	Ear99	8541.29.0095	1			-												-	400 v	15 a	170 a	8V @ 20v，170a	-		150NS/450NS
FGAF20N60SMD	-	RFQ	2484	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	FGAF20	标准		75 w		to-3pf	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，20a，10ohm，15V											26.7 ns	现场停止	600 v	40 a	60 a	1.7V @ 15V，20A	（452µJ）（在141µJ上）	64 NC	12NS/91NS
2SD1767T100Q	0.6700	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SD1767			500兆		MPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000																80 V	700 MA						500NA（ICBO）			NPN	400mv @ 50mA，500mA	120 @ 100mA，3v	120MHz
2N4860JAN02	-	RFQ	7844	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N4860					TO-206AA（to-18）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	40		-									-
FDS8449	0.9600	RFQ	33	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS84		MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		40 V	7.6a（ta）	4.5V，10V	29MOHM @ 7.6A，10V	3V @ 250µA	11 NC @ 5 V	±20V	760 pf @ 20 V	-	2.5W（TA）
FGPF15N60UNDF	-	RFQ	9917	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FGPF15	标准		42 W		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2156-FGPF15N60UNDF-488	Ear99	8541.29.0095	50			400V，15a，10ohm，15V											82.4 ns	npt	600 v	30 a	45 a	2.7V @ 15V，15a	（370µJ）（在67μj上）	43 NC	9.3NS/54.8NS
GPA020A120MN-FD	-	RFQ	7236	semiq	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		标准		223 w		to-3pn	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1			600V，20a，10ohm，15V											425 ns	沟渠场停止	1200 v	40 a	60 a	2.5V @ 15V，20A	2.8MJ（在）上，480µJ off）	210 NC	30NS/150NS
2N2604	9.0307	RFQ	2669	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AB，TO-46-3金属可以	2N2604			400兆		TO-46-3	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																60 V	30 ma						10NA			PNP	300mv @ 500µA，10mA	60 @ 500µA，5V	-
IRG4BC20SPBF	-	RFQ	8625	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		60 W		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			480V，10a，50ohm，15V												-	600 v	19 a	38 a	1.6V @ 15V，10a	（120µJ）（在），2.05MJ（OFF）上）	27 NC	27NS/540NS
APT50GN60BDQ2G	7.2700	RFQ	8192	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT50GN60	标准		366 w		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			400V，50a，4.3Ohm，15V												沟渠场停止	600 v	107 a	150 a	1.85V @ 15V，50a	（1185µJ）（在1565µJ上）	325 NC	20N/230N
2SA1576A-Q-TP	0.0410	RFQ	1870年	微商业公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	2SA1576			200兆		SOT-323	下载				353-2SA1576A-Q-TP	Ear99	8541.21.0075	1																50 V	150 ma						100NA			PNP	500mv @ 5mA，50mA	120 @ 1mA，6v	100MHz
IRLR8721TRPBF	-	RFQ	5522	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		30 V	65A（TC）	4.5V，10V	8.4mohm @ 25a，10v	2.35V @ 25µA	13 NC @ 4.5 V	±20V	1030 pf @ 15 V	-	65W（TC）
FJ6K01010L	0.4800	RFQ	492	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅			MOSFET （金属 o化物）			WSMINI6-F1-B	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道		12 v	4A（ta）	1.8V，4.5V	34mohm @ 1A，4.5V	1V @ 1mA		±8V	1400 pf @ 10 V	-	700MW（TA）
NVMFD5853NT1G	-	RFQ	5776	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	NVMFD5853		MOSFET （金属 o化物）	3.1W		8-dfn（5x6）（SO8FL偶）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	2 n 通道（双）			40V	12a		10mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	24NC @ 10V		1225pf @ 25V	逻辑级别门
JANS2N3421S	60.9302	RFQ	1143	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/393	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3				1 w		TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANS2N3421			1																80 V	3 a						5µA			NPN	500mv @ 200mA，2a	40 @ 1A，2V	-
FQD5N50CTF	-	RFQ	7433	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD5		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		500 v	4A（TC）	10V	1.4OHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	625 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），48W（tc）
SI7892BDP-T1-E3	1.9000	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7892		MOSFET （金属 o化物）			PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		30 V	15A（TA）	4.5V，10V	4.2MOHM @ 25A，10V	3V @ 250µA	40 NC @ 4.5 V	±20V	3775 pf @ 15 V	-	1.8W（TA）
IXA4I1200UC-tub	1.8237	RFQ	9977	ixys	XPT™	管子	积极的		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IXA4I1200	标准		45 W		TO-252AA	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixa4i1200uc-tub	Ear99	8541.29.0095	70			600V，3A，330OHM，15V												pt	1200 v	9 a		2.1V @ 15V，3A	（400µJ）（在300µJ上）	12 nc	70NS/250NS
HUFA76407D3S	-	RFQ	2126	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	HUFA76		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道		60 V	12A（TC）	4.5V，10V	92MOHM @ 13A，10V	3V @ 250µA	11.3 NC @ 10 V	±16V	350 pf @ 25 V	-	38W（TC）
MWI200-06A8T	-	RFQ	6303	ixys	-	管子	积极的	-	底盘安装	E3	MWI200			675 w	标准	E3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5	三相逆变器														npt	600 v	225 a		2.5V @ 15V，200a				1.8 ma	不	9 nf @ 25 V
2SK2371（1）-a	-	RFQ	2260	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
BC850C	-	RFQ	2707	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2796-BC850CTR		8541.21.0000	3,000																45 v	100 ma						15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	300MHz
RM6N100S4V	0.1600	RFQ	9753	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）			SOT-223-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM6N100S4VTR		8541.10.0080	30,000		n通道		100 v	6a（6a）	10V	140MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 250µA		±20V	690 pf @ 25 V	-	（3W）（TA）
JAN2N2907AUA/TR	19.0190	RFQ	7620	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅	2N2907			500兆		UA	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN2N2N2N2907AUA/TR	Ear99	8541.21.0095	1																60 V	600 MA						50NA			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
IPLK80R750P7ATMA1	1.7100	RFQ	6393	Infineon技术	Coolmos™P7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	8-POWERTDFN	IPLK80		MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		-		800 v	-	-	-	-		±20V		-	-
AO6804	-	RFQ	5780	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	AO680		MOSFET （金属 o化物）	800MW		6-TSOP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）公共排水			20V	4a		32MOHM @ 5A，4.5V	1.2V @ 250µA	7.7nc @ 4.5V		725pf @ 10V	逻辑级别门
MIXA20WB1200TMH	-	RFQ	8661	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	Minipack2	Mixa20W			100 W	三相桥梁整流器	Minipack2	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	20	三期逆变器														pt	1200 v	28 a		2.1V @ 15V，16a				100 µA	是的
mpsw92rlrag	-	RFQ	9898	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPSW92			1 w		TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,000																300 v	500 MA						250NA（ICBO）			PNP	500mv @ 2mA，20mA	25 @ 30mA，10v	50MHz
PJQ5460A_R2_00001	0.1963	RFQ	6004	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	PJQ5460		MOSFET （金属 o化物）			DFN5060-8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJQ5460A_R2_00001TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		60 V	4.6a（ta），20a（tc）	4.5V，10V	42mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	685 pf @ 25 V	-	2W（TA），41W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²