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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
PSMN4R2-30MLDX	0.9100	RFQ	3	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-1210，8-LFPAK33（5铅）	PSMN4R2	MOSFET （金属 o化物）			LFPAK33	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道	30 V	70A（TC）	4.5V，10V	4.3mohm @ 25a，10v	2.2V @ 1mA	29.3 NC @ 10 V	±20V	1795 pf @ 15 V	（（（）	65W（TC）
PSMN7R5-30MLDX	0.7200	RFQ	3	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-1210，8-LFPAK33（5铅）	PSMN7R5	MOSFET （金属 o化物）			LFPAK33	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道	30 V	57A（TC）	4.5V，10V	7.6mohm @ 15a，10v	2.2V @ 1mA	11.3 NC @ 10 V	±20V	655 pf @ 15 V	-	45W（TC）
PSMN7R5-30YLDX	0.8000	RFQ	16	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	PSMN7R5	MOSFET （金属 o化物）			LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道	30 V	51A（TJ）	4.5V，10V	7.5MOHM @ 15A，10V	2.2V @ 1mA	11.3 NC @ 10 V	±20V	655 pf @ 15 V	-	34W（TC）
FDMC86259P	2.9300	RFQ	5616	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMC86259	MOSFET （金属 o化物）			Power33	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	150 v	3.2a（ta），13a（tc）	6V，10V	107MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±25V	2045 PF @ 75 V	-	2.3W（TA），62W（TC）
SSM6K217FE，LF	0.3700	RFQ	37	东芝半导体和存储	U-Mosvii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SSM6K217	MOSFET （金属 o化物）			ES6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	4,000		n通道	40 V	1.8A（ta）	1.8V，8V	195MOHM @ 1A，8V	1.2V @ 1mA	1.1 NC @ 4.2 V	±12V	130 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
IRFB7534PBF	2.5400	RFQ	9	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFB7534	MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	195a（TC）	6V，10V	2.4MOHM @ 100A，10V	3.7V @ 250µA	279 NC @ 10 V	±20V	10034 pf @ 25 V	-	294W（TC）
IRFB7537pbf	2.2100	RFQ	72	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFB7537	MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	173a（TC）	6V，10V	3.3MOHM @ 100A，10V	3.7V @ 150µA	210 NC @ 10 V	±20V	7020 PF @ 25 V	-	230W（TC）
IRFB7540pbf	1.6900	RFQ	459	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFB7540	MOSFET （金属 o化物）			TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	110A（TC）	6V，10V	5.1MOHM @ 65A，10V	3.7V @ 100µA	130 NC @ 10 V	±20V	4555 pf @ 25 V	-	160W（TC）
IRFP7530pbf	3.6100	RFQ	652	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP7530	MOSFET （金属 o化物）			TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001560520	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	60 V	195a（TC）	6V，10V	2MOHM @ 100A，10V	3.7V @ 250µA	411 NC @ 10 V	±20V	13703 PF @ 25 V	-	341W（TC）
IRFS7530-7PPBF	-	RFQ	9100	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK（7铅）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001565236	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	240a（TC）	6V，10V	1.4MOHM @ 100A，10V	3.7V @ 250µA	354 NC @ 10 V	±20V	12960 pf @ 25 V	-	375W（TC）
IRFS7530pbf	-	RFQ	9253	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	195a（TC）	6V，10V	2MOHM @ 100A，10V	3.7V @ 250µA	411 NC @ 10 V	±20V	13703 PF @ 25 V	-	375W（TC）
IRFS7534-7PPBF	-	RFQ	4688	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK（7铅）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001557490	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	240a（TC）	6V，10V	1.95MOHM @ 100A，10V	3.7V @ 250µA	300 NC @ 10 V	±20V	9990 pf @ 25 V	-	290W（TC）
IRFS7534Trl7pp	3.3300	RFQ	845	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	IRFS7534	MOSFET （金属 o化物）			D2PAK（7铅）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	240a（TC）	6V，10V	1.95MOHM @ 100A，10V	3.7V @ 250µA	300 NC @ 10 V	±20V	9990 pf @ 25 V	-	290W（TC）
IRFS7537TRLPBF	2.3100	RFQ	4168	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFS7537	MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	173a（TC）	6V，10V	3.3MOHM @ 100A，10V	3.7V @ 150µA	210 NC @ 10 V	±20V	7020 PF @ 25 V	-	230W（TC）
IRFS7540TRLPBF	2.3200	RFQ	240	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFS7540	MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	110A（TC）	6V，10V	5.1MOHM @ 65A，10V	3.7V @ 100µA	130 NC @ 10 V	±20V	4555 pf @ 25 V	-	160W（TC）
CM450DX-24S1	-	RFQ	6299	Powerex Inc.	-	托盘	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）		模块			2775 w	标准	模块	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		835-1152	Ear99	8541.29.0095	1	半桥												-	1200 v	450 a	2.25V @ 15V，450a	1 MA	是的	45 NF @ 10 V
DMN10H220LE-13	0.5900	RFQ	140	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	DMN10	MOSFET （金属 o化物）			SOT-223-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	2.3a（ta）	4.5V，10V	220MOHM @ 1.6A，10V	2.5V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±20V	401 PF @ 25 V	-	1.8W（TA）
DMN3032LE-13	0.5800	RFQ	192	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	DMN3032	MOSFET （金属 o化物）			SOT-223-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	5.6a（ta）	4.5V，10V	29mohm @ 3.2A，10V	2V @ 250µA	11.3 NC @ 10 V	±20V	498 pf @ 15 V	-	1.8W（TA）
DMP6250SE 13	0.7000	RFQ	3	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	DMP6250	MOSFET （金属 o化物）			SOT-223-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	60 V	2.1a（ta）	4.5V，10V	250MOHM @ 1A，10V	3V @ 250µA	9.7 NC @ 10 V	±20V	551 pf @ 30 V	-	1.8W（TA），14W（TC）
DXT696BK-13	0.6000	RFQ	3	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DXT696		3.9 w		TO-252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500														180 v	500 MA		100NA（ICBO）			NPN	250mv @ 5mA，200mA	150 @ 200ma，5v	70MHz
SI8851EDB-T2-E1	0.6200	RFQ	7006	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	30-XFBGA	SI8851	MOSFET （金属 o化物）			Powermicrofoot®（2.4x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	7.7a（ta）	1.8V，4.5V	8mohm @ 7A，4.5V	1V @ 250µA	180 NC @ 8 V	±8V	6900 PF @ 10 V	-	660MW（TA）
SISA16DN-T1-GE3	0.1995	RFQ	6070	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISA16	MOSFET （金属 o化物）			PowerPak®1212-8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	16A（TA）		6.8mohm @ 15a，10v	2.3V @ 250µA	47 NC @ 10 V		2060 pf @ 15 V	-	-
SUP90N06-6M0P-E3	3.1400	RFQ	500	Vishay Siliconix	Trechfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP90	MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	90A（TC）	10V	6mohm @ 20a，10v	4.5V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	4700 PF @ 30 V	-	3.75W（ta），272W（tc）
SPP04N60C3XKSA1	-	RFQ	3159	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SPP04N60	MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	4.5A（TC）	10V	950MOHM @ 2.8A，10V	3.9V @ 200µA	25 NC @ 10 V	±20V	490 pf @ 25 V	-	50W（TC）
AO4292	-	RFQ	5113	Alpha＆欧米茄半导体公司	alphamos	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AO42	MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	8a（8a）	4.5V，10V	23mohm @ 8a，10v	2.7V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	1190 pf @ 50 V	-	3.1W（TA）
AOD2922	0.6100	RFQ	29	Alpha＆欧米茄半导体公司	alphamos	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AOD292	MOSFET （金属 o化物）			TO-252（DPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	3.5A（ta），7a（tc）	4.5V，10V	140MOHM @ 5A，10V	2.7V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±20V	310 pf @ 50 V	-	（5W）（TA），17W（TC）
AOD2C60	-	RFQ	5320	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AOD2	MOSFET （金属 o化物）			TO-252（DPAK）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	600 v	2A（TC）	10V	3.3ohm @ 500mA，10v	5V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±30V	304 pf @ 100 V	-	52W（TC）
AON2411	-	RFQ	8420	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-PowerWFDFN	AON24	MOSFET （金属 o化物）			8-DFN（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	20A（TA）	1.8V，4.5V	8mohm @ 12a，4.5V	900mv @ 250µA	30 NC @ 4.5 V	±8V	2180 pf @ 6 V	-	5W（ta）
AON6413	-	RFQ	5777	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，平面线	AON641	MOSFET （金属 o化物）			8-DFN（5x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	22a（22A），32a （TC）	4.5V，10V	8.5mohm @ 16a，10v	2.7V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±25V	2142 PF @ 15 V	-	6.2W（ta），48W（tc）
AON6774	-	RFQ	9838	Alpha＆欧米茄半导体公司	alphamos	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，平面线	aon67	MOSFET （金属 o化物）			8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	44A（ta），85A（85A）TC）	4.5V，10V	2.05MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	3000 pf @ 15 V	-	6.2W（ta），48W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²