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晶体管（（102018）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
SUD50N04-16P-E3	-	RFQ	6664	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道					40 V	9.8A（TA），20A（tc）	4.5V，10V	16mohm @ 15a，10v	2.2V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±16V	1655 PF @ 20 V	-	3.1W（TA），35.7W（TC）
IAUA200N04S5N010AUMA1	2.9800	RFQ	3	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™-5	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	5-Powersfn	IAUA200		MOSFET （金属 o化物）			PG-HSOF-5-1	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道					40 V	200a（TC）	7V，10V	1MOHM @ 100A，10V	3.4V @ 100µA	132 NC @ 10 V	±20V	7650 pf @ 25 V	-	167W（TC）
FF2400RB12IP7PBPSA1	1.0000	RFQ	3	Infineon技术	PrimePack™3	托盘	积极的		-	-	-	FF2400R				标准	-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3	2独立																	-	750 v	2400 a	-			不
RQ5H020SPTL	0.5900	RFQ	6	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-96	RQ5H020		MOSFET （金属 o化物）			TSMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道					45 v	2A（TA）	4V，10V	190mohm @ 2a，10v	3V @ 1mA	9.5 NC @ 10 V	±20V	500 pf @ 10 V	-	540MW（TA）
SCH1335-TL-H	-	RFQ	6011	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SCH133		MOSFET （金属 o化物）			6-SCH	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	5,000		P通道					12 v	2.5a（ta）	1.8V，4.5V	112MOHM @ 1A，4.5V	-	3.1 NC @ 4.5 V	±10V	270 pf @ 6 V	-	800MW（TA）
D45D5	-	RFQ	3022	哈里斯公司	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				2.1 w		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	37																			80 V	6 a			10µA			pnp-达灵顿	1.5V @ 3mA，3a	2000 @ 1A，2V	-
SPP15P10PH	0.5500	RFQ	944	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，SIPMOS®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		P通道					100 v	15A（TC）	10V	240mohm @ 10.6a，10V	2.1V @ 1.54mA	48 NC @ 10 V	±20V	1280 pf @ 25 V	-	128W（TC）
NTMFS4C705NT1G	-	RFQ	6622	Onmi	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的					NTMFS4						-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500
CAS310M17BM3	1.0000	RFQ	9806	Wolfspeed，Inc。	-	盒子	积极的		-	底盘安装	模块	CAS310		MOSFET （金属 o化物）	-		-	下载		不适用		1697-CAS310M17BM3	Ear99	8541.29.0095	1	-						1700V	310a		-	-	-		-	标准
BLF2425M7LS140,112	-	RFQ	7350	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v		底盘安装	SOT-502B	BLF2425	2.45GHz	ldmos			SOT502B	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20			-	1.3 a	140W	18.5db											-					28 V
NVMFS6B25NLWFT3G	-	RFQ	9924	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS6		MOSFET （金属 o化物）			5-DFN （5x6）（8-SOFL）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					100 v	8a（8a ta），33a ta（33A）	4.5V，10V	24mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	13.5 NC @ 10 V	±16V	905 PF @ 25 V	-	3.6W（TA），62W（tc）
PMN49en，135	-	RFQ	7237	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	PMN4		MOSFET （金属 o化物）			SC-74	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10,000		n通道					30 V	4.6A（TC）	4.5V，10V	47MOHM @ 2A，10V	2V @ 1mA	8.8 NC @ 4.5 V	±20V	350 pf @ 30 V	-	1.75W（TC）
MSC40SM120JCU2	45.0700	RFQ	5301	微芯片技术	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	MSC40SM120		sicfet （碳化硅）			SOT-227（ISOTOP®）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSC40SM120JCU2	Ear99	8541.29.0095	1		n通道					1200 v	55A（TC）	20V	50mohm @ 40a，20v	2.7V @ 1mA	137 NC @ 20 V	+25V，-10V	1990 pf @ 1000 V	-	245W（TC）
RZM001P02T2L	0.2600	RFQ	296	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-723	RZM001		MOSFET （金属 o化物）			VMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000		P通道					20 v	（100mA）（TA）	1.2V，4.5V	3.8OHM @ 100mA，4.5V	1V @ 100µA		±10V	15 pf @ 10 V	-	150MW（TA）
FF300R12KT4PHOSA1	202.4000	RFQ	8478	Infineon技术	c	托盘	积极的		-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FF300R12				标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	8	半桥																	沟渠场停止	1200 v	300 a	2.15V @ 15V，300A		5 ma	不	19 nf @ 25 V
IXFH16N50P	6.1500	RFQ	8154	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH16		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	611778	Ear99	8541.29.0095	30		n通道					500 v	16A（TC）	10V	400mohm @ 8a，10v	5.5V @ 2.5mA	43 NC @ 10 V	±30V	2250 pf @ 25 V	-	300W（TC）
RRS075P03TB1	-	RFQ	6724	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道					30 V	7.5A（ta）		-	-				-	-
NVTR0202PLT1G	0.3900	RFQ	26	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NVTR0202		MOSFET （金属 o化物）			SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道					20 v	400mA（TA）	4.5V，10V	800MOHM @ 200mA，10V	2.3V @ 250µA	2.18 NC @ 10 V	±20V	70 pf @ 5 V	-	225MW（TA）
MCQ4828A-TP	0.9100	RFQ	43	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCQ4828		MOSFET （金属 o化物）	1.25W（TA）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2 n 通道（双）						60V	4.5A（ta）		56mohm @ 4.5A，10V	3V @ 250µA	10.5NC @ 10V		540pf @ 30V	-
ixft1874 tr	-	RFQ	9385	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的					IXFT1874						-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1,000								-
HUFA76429P3	-	RFQ	2376	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	437		n通道					60 V	47A（TC）	4.5V，10V	22mohm @ 47a，10v	3V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±16V	1480 pf @ 25 V	-	110W（TC）
2SK937Y4	-	RFQ	6410	Onmi	*	大部分	过时的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	1,878
SI4936BDY-T1-GE3	1.3200	RFQ	14	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4936		MOSFET （金属 o化物）	2.8W		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）						30V	6.9a		35mohm @ 5.9a，10v	3V @ 250µA	15nc @ 10V		530pf @ 15V	逻辑级别门
UPA2350T1G（1）-e4-a	1.0700	RFQ	110	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	5,000
AUIRF1010ZSTRL	2.2781	RFQ	9578	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					55 v	75A（TC）		7.5MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	95 NC @ 10 V		2840 pf @ 25 V	-	140W（TC）
IPI120N10S405AKSA1	-	RFQ	5364	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI120N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道					100 v	120A（TC）	10V	5.3MOHM @ 100A，10V	3.5V @ 120µA	91 NC @ 10 V	±20V	6540 pf @ 25 V	-	190w（TC）
ECH8649-TL-H	-	RFQ	6155	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	ECH8649		MOSFET （金属 o化物）	1.5W		8-ech	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）						20V	7.5a		17mohm @ 4A，4.5V	-	10.8NC @ 4.5V		1060pf @ 10V	逻辑级别门
BC847CHZGT116	0.4200	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				200兆		SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																			45 v	100 ma			15NA（icbo）			NPN	400mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	300MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（102018）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²