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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
DD600S17K3B2NOSA1	922.2700	RFQ	20	Infineon技术	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块					标准	-	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	2独立													-	1700 v			-					不
JANSL2N3810L	198.9608	RFQ	7220	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/336	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-78-6金属罐	2N3810			350MW		TO-78-6	-			到达不受影响	150-JANSL2N3810L			1															60V	50mA						10µA（ICBO）		2 PNP （双）	250mv @ 100µA，1mA	150 @ 1mA，5V	-
TSM60NB380CF	2.5238	RFQ	7234	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TSM60		MOSFET （金属 o化物）			ITO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM60NB380CF	Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道		600 v	11A（TC）	10V	380MOHM @ 2.7A，10V	4V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±30V	810 PF @ 100 V	-	62.5W（TC）
BUK7M4R3-40HX	1.5600	RFQ	4329	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	SOT-1210，8-LFPAK33（5铅）	BUK7M4		MOSFET （金属 o化物）			LFPAK33	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		40 V	95A（ta）	10V	4.3MOHM @ 95A，10V	-	24 NC @ 10 V	+20V，-10V		-	90W
RN4991FE，LXHF（ct	0.3800	RFQ	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	RN4991			100MW		ES6	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	4,000															50V	100mA						100NA（ICBO）		1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V	250MHz，200MHz	10KOHMS	-
SPS9499QRLRP	0.0200	RFQ	72	Onmi	*	大部分	积极的										-	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1
2SA1362-gr，LF	0.4000	RFQ	7	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2SA1362			200兆		S-Mini	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0075	3,000															15 v	800 MA						100NA（ICBO）		PNP	200mv @ 8mA，400mA	200 @ 100mA，1V	120MHz
BC847PN-AQ	0.0607	RFQ	4885	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363				250MW		SOT-363	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2796-BC847PN-AQTR		8541.21.0000	3,000															45V	100mA						15NA（icbo）		NPN，PNP	600mv @ 5mA，100mA，650mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V，220 @ 2mA，5V	100MHz
STB60NF06T4	2.1300	RFQ	1	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB60		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		60 V	60a（TC）	10V	16mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±20V	1810 PF @ 25 V	-	110W（TC）
PBLS1503V，115-nxp	0.0700	RFQ	12	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	PBLS1503			300MW		SOT-666	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	4,000															50V，15V	100mA，500mA						1µA，100NA		1 NPN预偏，1 pnp	150mv @ 500µA，10mA / 250mv @ 50mA，500mA	30 @ 5mA，5v / 200 @ 10mA，2V	280MHz	10KOHMS	10KOHMS
IXFT80N08	-	RFQ	1716年	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft80		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		80 V	80A（TC）	10V	9mohm @ 40a，10v	4V @ 4mA	180 NC @ 10 V	±20V	4800 PF @ 25 V	-	300W（TC）
2N7228	-	RFQ	4400	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））			MOSFET （金属 o化物）			TO-254AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		500 v	12A（TC）	10V	415MOHM @ 8A，10V	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（150w（ta）（TC）
TK040N65Z，S1F	11.2700	RFQ	300	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	150°C	通过洞	TO-247-3	TK040N65		MOSFET （金属 o化物）			TO-247	下载	rohs3符合条件	不适用			Ear99	8541.29.0095	30		n通道		650 v	57a（ta）	10V	40mohm @ 28.5a，10v	4V @ 2.85mA	105 NC @ 10 V	±30V	6250 PF @ 300 V	-	360W（TC）
UPA2706GR-E1-AT	1.1600	RFQ	7	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）			MOSFET （金属 o化物）			8-sop	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-UPA2706GR-E1-AT	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		30 V	（11a）（ta），20A （TC）	4V，10V	15mohm @ 5.5a，10v	2.5V @ 1mA	7.1 NC @ 5 V	±20V	660 pf @ 10 V	-	（3W）（15W）（15W）TC）
IRFR214TRPBF	1.4500	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR214		MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		250 v	2.2A（TC）	10V	2ohm @ 1.3A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
HAT2218R0T-EL-E	0.7600	RFQ	15	肾脏	-	大部分	过时的										-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-HAT2218R0T-EL-E	Ear99	8541.29.0075	1
IRG7PH35UD1-EP	-	RFQ	5091	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRG7PH35	标准		179 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001541578	Ear99	8541.29.0095	25			600V，20a，10ohm，15V											沟	1200 v	50 a	150 a	2.2V @ 15V，20A	620µJ（离）	130 NC	- /160NS
BC868-QX	0.1710	RFQ	8934	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA				500兆		SOT-89	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1727-BC868-QXTR	Ear99	8541.21.0095	1,000															20 v	2 a						100NA（ICBO）		NPN	600mv @ 200mA，2a	85 @ 500mA，1V	170MHz
IPB140N08S404ATMA1	-	RFQ	5051	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	IPB140		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-7-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		80 V	140a（TC）	10V	4.2MOHM @ 100A，10V	4V @ 100µA	80 NC @ 10 V	±20V	5500 PF @ 25 V	-	161W（TC）
KSH32CTF	-	RFQ	1009	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	KSH32			1.56 w		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000															100 v	3 a						50µA		PNP	1.2V @ 375mA，3a	10 @ 3A，4V	3MHz
ISC16DP15LMATMA1	2.7900	RFQ	3539	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的										-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-ISC16DP15LMATMA1CT	Ear99	8541.29.0095	5,000
IRF9143	4.3400	RFQ	80	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AE			MOSFET （金属 o化物）			TO-204AE	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	80		P通道		80 V	15a		-	-		-		标准	125W
AUIRGP65A40D0	-	RFQ	3050	Infineon技术	Coolirigbt™	管子	过时的		通过洞	TO-247-3	AUIRGP65					TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400
2SJ612-TD-E	-	RFQ	3037	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,000
Aoy423	0.3715	RFQ	2382	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	Aoy42		MOSFET （金属 o化物）			TO-251B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,500		P通道		30 V	（15a）（ta），70a（tc）	10V，20V	6.7MOHM @ 20A，20V	3.5V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±25V	2760 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），90w（tc）
APT36GA60BD15	6.8800	RFQ	3408	微芯片技术	Power MOS 8™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT36GA60	标准		290 w		TO-247 [B]	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			400V，20a，10ohm，15V											pt	600 v	65 a	109 a	2.5V @ 15V，20A	307µJ（在）上，254µJ（OFF）	18 NC	16ns/122ns
IXTT12N150HV-TRL	46.0094	RFQ	1340	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixtt12		MOSFET （金属 o化物）			TO-268HV（IXTT）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	238-ixtt12n150hv-trltr	Ear99	8541.29.0095	400		n通道		1500 v	12A（TC）	10V	2.2Ohm @ 6a，10v	4.5V @ 250µA	106 NC @ 10 V	±30V	3720 PF @ 25 V	-	890W（TC）
FDD5N50UTF_WS	-	RFQ	3815	Onmi	FRFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD5		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		500 v	3A（TC）	10V	2ohm @ 1.5A，10V	5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±30V	650 pf @ 25 V	-	40W（TC）
KSC388YBU	-	RFQ	4663	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	KSC388			300兆		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000															25 v	50 mA						100NA（ICBO）		NPN	200mv @ 1.5mA，15mA	20 @ 12.5mA，12.5V	300MHz
PSMN015-110P，127	-	RFQ	5936	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的				PSMN0						下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²