晶体管(100539)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	输入电容 (Cies) @ Vce	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头
STB12NM50FDT4	-	询价	4372	意法半导体	FDmesh™	卷带式 (TR)	过时的	-65°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB	机顶盒12N	MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	500V	12A（温度）	10V	400mOhm@6A，10V	5V@250μA	12nC@10V	±30V	1000pF@25V	-	160W（温度）
DIW085N06	4.5997	询价	5286	德欧泰克半导体	-	大部分	的积极		通孔						TO-247-3L	下载	符合ROHS3标准	不适用	供应商未定义	2796-DIW085N06		8541.29.0000	450		N沟道		85A								240W
STF36N60M6	6.3400	询价	6727	意法半导体	MDmesh™ M6	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	STF36	MOSFET（金属O化物）			TO-220FP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	600伏	30A（温度）	10V	99毫欧@15A，10V	4.75V@250μA	10V时为44.3nC	±25V	1960pF@100V	-	40W（温度）
SSM5H12TU(TE85L,F)	-	询价	5864	东芝半导体和存储	U-MOSⅢ	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	6-SMD（5 英尺），浅浅	SSM5H12	MOSFET（金属O化物）			超短波病毒	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道	30V	1.9A（塔）	1.8V、4V	133mOhm@1A，4V	1V@1mA	1.9nC@4V	±12V	123pF@15V	肖特基分散（隔离）	500毫W（塔）
NTTFS4C025NTAG	0.7091	询价	7686	onsemi	*	卷带式 (TR)	的积极									-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	488-NTTFS4C025NTAGTR	EAR99	8541.29.0095	1,500人
BC548B-AP	-	询价	9510	微商公司	-	胶带和盒子 (TB)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	BC548		625毫W		TO-92	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		353-BC548B-APTB	EAR99	8541.21.0075	2,000														30V	100毫安		-			NPN	300毫伏@5毫安、100毫安	200@2mA，5V	300兆赫
NSBC143TDXV6T5	0.0500	询价	400	onsemi	*	大部分	的积极									下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	8,000
RFIS40N10LE	1.3700	询价	800	哈里斯公司	*	大部分	的积极				RF信息系统40	-				-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1											-
PJU7NA60_T0_00001	-	询价	5275	强茂国际有限公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	PJU7NA60	MOSFET（金属O化物）			TO-251AA	-				3757-PJU7NA60_T0_00001	过时的		1		N沟道	600伏	7A（塔）	10V	1.2欧姆@3.5A，10V	4V@250μA	15.2nC@10V	±30V	723pF@25V	-	140W（温度）
ALD310702APCL	10.1814	询价	7292	先进线性器件公司	EPAD®、零阈值™	管子	的积极	0℃～70℃	通孔	16-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	ALD310702	MOSFET（金属O化物）	500毫W		16-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	1014-1288	EAR99	8541.21.0095	50	4 个 P 沟道，设施		8V	-		-	180mV@1μA	-		2.5pF@5V	-
DMN6070SSDQ-13	0.1710	询价	9959	分散公司	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	DMN6070	MOSFET（金属O化物）	1.2W（塔）		8-SO	下载			REACH 不出行	31-DMN6070SSDQ-13TR	EAR99	8541.29.0095	2,500人	2 个 N 沟道（双）		60V	2.7A（塔）		87毫欧@4.5A，10V	3V@250μA	12.3nC@10V		588pF@30V	-
MGP7N60ED	0.5300	询价	5	onsemi	*	大部分	的积极									下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	1
NXH450B100H4Q2F2PG	225.0600	询价	35	onsemi	-	托盘	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块			234W	标准	56-PIM (93x47)	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	488-NXH450B100H4Q2F2PG	EAR99	8541.29.0095	12	2 独立												-	1000伏	101一个	2.25V@15V，150A	600微安	是的	9.342nF@20V
AUIRFS4127TRL	1.0000	询价	4627	国际校正器公司	汽车、AEC-Q101、HEXFET®	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3	下载					EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	200V	72A（温度）	10V	22毫欧@44A，10V	5V@250μA	150nC@10V	±20V	5380pF@50V	-	375W（温度）
BUK764R2-80E,118	-	询价	6782	恩智浦	汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载					EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	80V	120A（温度）	10V	4.2毫欧@25A，10V	4V@1mA	136nC@10V	±20V	10426pF@25V	-	324W（温度）
2SK3055(1)-AZ	2.4200	询价	107	瑞萨电子美国公司	*	大部分	的积极									-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1
BUK98150-55A/CU,135	-	询价	4243	安世半导体美国公司	*	大部分	的积极									下载					EAR99	8541.29.0095	1
DMT67M8LSS-13	0.3274	询价	5407	分散公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）		MOSFET（金属O化物）			8-SO	下载			REACH 不出行	31-DMT67M8LSS-13TR	EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	60V	12A（塔）	4.5V、10V	6.6毫欧@16.5A，10V	3V@250μA	10V时为37.5nC	±20V	2130pF@30V	-	1.4W（塔）
DMTH84M1SPS-13	0.8379	询价	6708	分散公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN	DMTH84	MOSFET（金属O化物）			PowerDI5060-8	下载			REACH 不出行	31-DMTH84M1SPS-13TR	EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	80V	100A（温度）	6V、10V	4mOhm@20A，10V	4V@250μA	63nC@10V	±20V	4209pF@40V	-	1.6W（Ta）、136W（Tc）
ISZ0804NLSATMA1	1.5000	询价	7	英飞凌科技	OptiMOS™5	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	ISZ0804N	MOSFET（金属O化物）			PG-TSDSON-8-26	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	100伏	11A（Ta）、58A（Tc）	4.5V、10V	11.5毫欧@20A，10V	2.3V@28μA	24nC@10V	±20V	1600pF@50V	-	2.1W（Ta）、60W（Tc）
SFT1440-E	-	询价	1325	onsemi	-	包	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	SFT144	MOSFET（金属O化物）			异丙酚/TP	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道	600伏	1.5A（塔）	10V	8.1欧姆@800mA，10V	-	6.3nC@10V	±30V	130pF@30V	-	1W（Ta）、20W（Tc）
DMN61D8LVT-13	0.1512	询价	8503	分散公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	DMN61	MOSFET（金属O化物）	820毫W		TSOT-26	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	10,000	2 个 N 沟道（双）		60V	第630章		1.8欧姆@150mA，5V	2V@1mA	0.74nC@5V		12.9pF@12V	逻辑电平门
AOW7S60	1.0216	询价	4426	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS™	管子	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	AOW7	MOSFET（金属O化物）			TO-262	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	600伏	7A（温度）	10V	600毫欧@3.5A，10V	3.9V@250μA	10V时为8.2nC	±30V	100V时为372pF	-	104W（温度）
BSZ105N04NSG	-	询价	4757	英飞凌科技	OptiMOS™3	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN		MOSFET（金属O化物）			PG-TSDSON-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	5,000		N沟道	40V	11A（Ta）、40A（Tc）	10V	10.5毫欧@20A，10V	4V@14μA	17nC@10V	±20V	1300pF@20V	-	2.1W（Ta）、35W（Tc）
FDB0170N607L	-	询价	3824	仙童	PowerTrench®	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-7，D²Pak（6引脚+接片）		MOSFET（金属O化物）			TO-263-7	下载					EAR99	8542.39.0001	1		N沟道	60V	300A（温度）	10V	1.4毫欧@39A，10V	4V@250μA	243nC@10V	±20V	19250pF@30V	-	3.8W（Ta）、250W（Tc）
F4100R06KL4BOSA1	-	询价	5490	英飞凌科技	-	托盘	过时的	-40℃～125℃	安装结构	模块	F4100R		430W	标准	模块	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10	半桥												-	600伏	130A	2.55V@15V，100A	5毫安	是的	4.3nF@25V
P3000ZL45X168APTHPSA1	10.0000	询价	8159	英飞凌科技	-	托盘	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	DO-200AE				标准	BG-P16826K-1	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	单身的												沟	4500伏	3000A	2.5V@15V，3000A	200微安	不	620nF@25V
BSM200GA120DN2FS	1.0000	询价	7509	英飞凌科技	*	大部分	的积极				BSM200					-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1
DMN6069SFVW-13	0.1885	询价	9300	分散公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装，可湿侧面	8-PowerVDFN	DMN6069	MOSFET（金属O化物）			PowerDI3333-8(SWP)UX型	下载			REACH 不出行	31-DMN6069SFVW-13TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	60V	4A（Ta）、14A（Tc）	4.5V、10V	69毫欧@3A，10V	3V@250μA	14nC@10V	±20V	740pF@30V	-	2.5W（塔）
SI2312A-TP	0.4700	询价	2	微商公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SI2312	MOSFET（金属O化物）			SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	353-SI2312A-TPTR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	20V	5A	2.5V、4.5V	25毫欧@3.4A，4.5V	900mV@250μA		±8V	10V时为865pF	-	1.2W

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(100539)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²