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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	晶体管类型
AON7244	-	RFQ	4727	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	8-Powerwdfn	aon72			MOSFET （金属 o化物）		8-DFN-EP（3.3x3.3）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						60 V	20A（20A），50A（tc）	4.5V，10V	8.5mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	2435 pf @ 30 V	-	6.2W（ta），83W（tc）
AOT298L	-	RFQ	2897	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-220-3	AOT298			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载		（1 （无限）	到达不受影响	785-1416-5	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						100 v	（9A）（ta），58a tc（TC）	10V	14.5MOHM @ 20A，10V	4.1V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	1670 PF @ 50 V	-	2.1W（TA），100W（TC）
DMN65D8LW-7	0.4800	RFQ	44	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	SC-70，SOT-323	DMN65			MOSFET （金属 o化物）		SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道						60 V	300mA（TA）	5V，10V	3ohm @ 115mA，10v	2V @ 250µA	0.87 NC @ 10 V	±20V	22 pf @ 25 V	-	300MW（TA）
FDB045AN08A0-F085	2.9546	RFQ	8028	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FDB045			MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道						75 v	（19a ta）	6V，10V	4.5mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	138 NC @ 10 V	±20V	6600 PF @ 25 V	-	310W（TC）
STP45N65M5	8.6200	RFQ	9404	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	积极的		150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3	STP45			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-12937-5	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						650 v	35A（TC）	10V	78mohm @ 19.5a，10v	5V @ 250µA	91 NC @ 10 V	±25V	3375 PF @ 100 V	-	210W（TC）
BLF7G10L-250,112	-	RFQ	2221	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v			底盘安装	SOT-502A	BLF7G10		920MHz〜960MHz	ldmos		SOT502A	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20			-		1.8 a	60W	19.5db											-										30 V
BLL6H1214LS-500,11	672.5850	RFQ	4050	Ampleon USA Inc.	-	托盘	不适合新设计	100 v			底盘安装	SOT-502B	BLL6		1.2GHz〜1.4GHz	ldmos		SOT502B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20	双重，共同来源		-		150 ma	500W	17dB											-										50 V
NX2301P，215	0.4400	RFQ	191	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NX2301			MOSFET （金属 o化物）		TO-236AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道						20 v	2A（TA）	2.5V，4.5V	120MOHM @ 1A，4.5V	1.1V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±8V	380 pf @ 6 V	-	400MW（TA），2.8W（TC）
PMG85XP，115	0.4300	RFQ	2	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	PMG85			MOSFET （金属 o化物）		6-TSSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道						20 v	2A（TJ）	2.5V，4.5V	115MOHM @ 2A，4.5V	1.15V @ 250µA	7.2 NC @ 4.5 V	±12V	560 pf @ 10 V	-	（375MW）（TA），2.4W（TC）
PMN25UN，115	-	RFQ	7744	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	SC-74，SOT-457	PMN2			MOSFET （金属 o化物）		SC-74	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						20 v	6a（6a）	1.8V，4.5V	27mohm @ 6a，4.5V	1V @ 250µA	10 NC @ 4.5 V	±8V	470 pf @ 10 V	-	530mw（TA），6.25W（tc）
PMT21en，135	-	RFQ	8722	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-261-4，TO-261AA	PMT2			MOSFET （金属 o化物）		SC-73	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道						30 V	7.4a（ta）	4.5V，10V	21mohm @ 7.4a，10v	2.5V @ 250µA	14.4 NC @ 10 V	±20V	588 pf @ 15 V	-	820MW（TA），8.33W（tc）
R8008anx	3.3082	RFQ	4350	Rohm半导体	-	大部分	不适合新设计		150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3完整包	R8008			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道						800 v	8a（8a）	10V	1.03OHM @ 4A，10V	5V @ 1mA	39 NC @ 10 V	±30V	1080 pf @ 25 V	-	50W（TC）
FCPF21N60NT	-	RFQ	9839	Onmi	-	管子	过时的		-		通过洞	TO-220-3完整包	FCPF21			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						600 v	-		-	-				-	-
FDB082N15A	6.4900	RFQ	6965	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FDB082			MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道						150 v	117a（TC）	10V	8.2MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	84 NC @ 10 V	±20V	6040 pf @ 25 V	-	294W（TC）
FDD14AN06LA0-F085	-	RFQ	3927	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD14AN06			MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						60 V	9.5A（ta），50a（50a）TC）	5V，10V	11.6mohm @ 50a，10v	3V @ 250µA	32 NC @ 5 V	±20V	2810 PF @ 25 V	-	125W（TC）
FDMC8015L	1.0700	RFQ	385	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	8-Powerwdfn	FDMC8015			MOSFET （金属 o化物）		8-mlp（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						40 V	（7A）（ta），18A （TC）	4.5V，10V	26mohm @ 7a，10v	3V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	945 PF @ 20 V	-	2.3W（24W），24W tc）
FDMC86102LZ	1.8300	RFQ	4717	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	8-Powerwdfn	FDMC86102			MOSFET （金属 o化物）		8-mlp（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						100 v	（7A）（ta），18A （TC）	4.5V，10V	24mohm @ 6.5a，10v	2.2V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	1290 pf @ 50 V	-	2.3W（TA），41W（（（（TC）
FDP5N60NZ	-	RFQ	1139	Onmi	Unifet-II™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3	FDP5			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道						600 v	4.5A（TC）	10V	2ohm @ 2.25a，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±25V	600 pf @ 25 V	-	100W（TC）
FDPF085N10A	3.0100	RFQ	790	Onmi	PowerTrench®	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-220-3完整包	FDPF085			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						100 v	40a（TC）	10V	8.5mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V	2695 PF @ 50 V	-	33.3W（TC）
FDS86140	2.9500	RFQ	260	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS86			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						100 v	11.2a（ta）	6V，10V	9.8mohm @ 11.2a，10v	4V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	2580 pf @ 50 V	-	2.5W（ta），5W（（（（（（（）
BCV61BE6433HTMA1	0.1302	RFQ	9563	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	30V		当前镜子	表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BCV61					PG-SOT-143-3D	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000			100mA																										2 NPN，基本收集器交界处
IKD04N60RF	-	RFQ	7108	Infineon技术	Trechstop®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ikd04n	标准			75 w	pg-to252-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500				400V，4A，43OHM，15V															34 ns	沟	600 v	8 a	12 a	2.5V @ 15V，4A	110µJ	27 NC	12NS/116NS
IPD100N04S402ATMA1	2.6300	RFQ	4	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD100			MOSFET （金属 o化物）		PG-TO252-3-313	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						40 V	100A（TC）	10V	2MOHM @ 100A，10V	4V @ 95µA	118 NC @ 10 V	±20V	9430 PF @ 25 V	-	150W（TC）
IPD65R660CFDBTMA1	-	RFQ	9895	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ipd65r			MOSFET （金属 o化物）		pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						650 v	6A（TC）	10V	660MOHM @ 2.1a，10V	4.5V @ 200µA	22 NC @ 10 V	±20V	615 PF @ 100 V	-	62.5W（TC）
BSS126H6906XTSA1	0.7600	RFQ	9	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSS126			MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道						600 v	21ma（ta）	0V，10V	500ohm @ 16mA，10v	1.6V @ 8µA	2.1 NC @ 5 V	±20V	28 PF @ 25 V	耗尽模式	500MW（TA）
PTFA220041M-V4	7.0516	RFQ	3793	Wolfspeed，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	65 v			表面安装	10-dlfn暴露垫	PTFA220041		940MHz	ldmos		PG-SON-10	下载	Rohs符合条件	3（168））			Ear99	8541.29.0075	500			-		50 mA	5W	18.5db											-										28 V
IHW30N110R3FKSA1	4.2700	RFQ	190	Infineon技术	-	管子	过时的		-40°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-247-3	IHW30N110	标准			333 w	PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240				600V，30a，15ohm，15V																沟	1100 v	60 a	90 a	1.75V @ 15V，30a	1.15MJ）	180 NC	- /350n
IKW20N60TAFKSA1	-	RFQ	4622	Infineon技术	Trechstop®	管子	过时的		-		通过洞	TO-247-3	IKW20N60	标准			166 w	PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240				400V，20A，12OHM，15V															41 ns	沟渠场停止	600 v	40 a	60 a	2.05V @ 15V，20A	770µJ	120 NC	18NS/199N
IPA093N06N3GXKSA1	1.3000	RFQ	7755	Infineon技术	Optimos™	管子	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-220-3完整包	IPA093			MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-31	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						60 V	43A（TC）	10V	9.3mohm @ 40a，10v	4V @ 34µA	48 NC @ 10 V	±20V	3900 PF @ 30 V	-	33W（TC）
IPA65R190CFDXKSA1	-	RFQ	3510	Infineon技术	coolmos™	管子	在sic中停产		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3完整包	ipa65r			MOSFET （金属 o化物）		PG-TO220-3-111	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						650 v	17.5A（TC）	10V	190MOHM @ 7.3A，10V	4.5V @ 730µA	68 NC @ 10 V	±20V	1850 pf @ 100 V	-	34W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²