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晶体管（（102018）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试
RFD16N05LSM	1.0000	RFQ	2354	哈里斯公司	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RFD16			MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	1		n通道						50 V	16A（TC）	4V，5V	47mohm @ 16a，5v	2V @ 250mA	80 NC @ 10 V	±10V		-	60W（TC）
BLP8G10S-45P	-	RFQ	6634	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v		表面安装	SOT-1223-2	BLP8		700MHz〜1GHz	ldmos		4-HSOPF	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1	双重，共同来源		1.4µA		224 MA	45W	20.8dB											-									28 V
SFT1446-H	-	RFQ	2342	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	SFT144			MOSFET （金属 o化物）		IPAK/TP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道						60 V	20A（TA）	4V，10V	51MOHM @ 10A，10V	2.6V @ 1mA	16 NC @ 10 V	±20V	750 pf @ 20 V	-	1W（TA），23W（tc）
IPB80N03S4L03	1.1000	RFQ	2	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	295		n通道						30 V	80A（TC）	4.5V，10V	3.7MOHM @ 80A，10V	2.2V @ 45µA	75 NC @ 10 V	±16V	5100 PF @ 25 V	-	94W（TC）
RSS065N06FU6TB	-	RFQ	6553	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RSS065			MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						60 V	6.5A（TA）	4V，10V	37mohm @ 6.5a，10v	2.5V @ 1mA	16 NC @ 5 V	20V	900 pf @ 10 V	-	2W（TA）
IPB015N08N5ATMA1	7.2200	RFQ	2014	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	IPB015			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						80 V	180a（TC）	6V，10V	1.5MOHM @ 100A，10V	3.8V @ 279µA	222 NC @ 10 V	±20V	16900 PF @ 40 V	-	375W（TC）
TSM3N100CP ROG	-	RFQ	2852	台湾半导体公司	-	（CT）	在sic中停产		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM3			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						1000 v	2.5A（TC）	10V	6ohm @ 1.25A，10V	5.5V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±30V	664 pf @ 25 V	-	99W（TC）
AON5820	0.2750	RFQ	5205	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WFDFN暴露垫	AON582			MOSFET （金属 o化物）	1.7W	6-DFN-EP（2x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）公共排水							20V	10a		9.5MOHM @ 10a，4.5V	1V @ 250µA	15nc @ 4.5V		1510pf @ 10V	逻辑级别门
SI3457DV	-	RFQ	4702	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI345			MOSFET （金属 o化物）		SuperSot™-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道						30 V	4A（ta）	4.5V，10V	50MOHM @ 4A，10V	3V @ 250µA	8.1 NC @ 5 V	±25V	470 pf @ 25 V	-	1.6W（TA）
2SK974-93L-E	1.5500	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	过时的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
AFT21S232SR5	-	RFQ	6854	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-780	AFT21		2.11GHz	ldmos		NI-780	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		5A991G	8541.29.0095	50			-		1.5 a	50W	16.7dB											-									28 V
ISP13DP06NMSATMA1	0.9000	RFQ	7726	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	ISP13DP06			MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道						60 V	2.8A（ta）	-	-	-		±20V		-	-
SIHP17N80E-BE3	4.8400	RFQ	3082	Vishay Siliconix	e	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP17			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-		（1 （无限）		742-SIHP17N80E-BE3	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						800 v	15A（TC）	10V	290MOHM @ 8.5A，10V	4V @ 250µA	122 NC @ 10 V	±30V	2408 PF @ 100 V	-	208W（TC）
RJK0346DPA-WS＃j0	2.7100	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
A2T18H455W23NR6	-	RFQ	3983	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	OM-1230-4L2S	A2T18		1.805GHZ〜1.88GHz	ldmos		OM-1230-4L2S	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935318707564	Ear99	8541.29.0075	150			10µA		1.08 a	56DBM	14.5db											-									31.5 v
FDS7060N7	1.6000	RFQ	4	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	188		n通道						30 V	（19a ta）	4.5V，10V	5mohm @ 19a，10v	3V @ 250µA	56 NC @ 5 V	±20V	3274 PF @ 15 V	-	（3W）（TA）
FQPF5N80	0.7700	RFQ	610	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						800 v	2.8A（TC）	10V	2.6ohm @ 1.4a，10v	5V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±30V	1250 pf @ 25 V	-	47W（TC）
NVR5124PLT1G	0.4700	RFQ	8971	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NVR5124			MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道						60 V	1.1A（TA）	4.5V，10V	230MOHM @ 3A，10V	2.5V @ 250µA	4.3 NC @ 10 V	±20V	240 pf @ 25 V	-	470MW（TA）
AON7264C	0.2503	RFQ	1271	Alpha＆欧米茄半导体公司	Alplosgt™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	aon72			MOSFET （金属 o化物）		8-DFN-EP（3x3）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	785-AON7264CTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道						60 V	13a（13A），24A （TC）	4.5V，10V	13.2MOHM @ 13A，10V	2.2V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±20V	895 pf @ 30 V	-	4.1W（TA），24W（24W）TC）
SIRB40DP-T1-GE3	1.4000	RFQ	2477	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SIRB40			MOSFET （金属 o化物）	46.2W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）							40V	40a（TC）		3.25mohm @ 10a，10v	2.4V @ 250µA	45nc @ 4.5V		4290pf @ 20V	-
BLL6H0514-25,112	267.6400	RFQ	1	Ampleon USA Inc.	-	托盘	不适合新设计	100 v		底盘安装	SOT-467C	BLL6		1.2GHz〜1.4GHz	ldmos		SOT467C	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20			2.5a		50 mA	25W	21dB											-									50 V
IRG4RC20FTRLPBF	1.1100	RFQ	9	国际整流器	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		标准			66 W	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000				480V，12A，50OHM，15V															-	600 v	22 a	44 a	2.1V @ 15V，12A	190µJ（在）上，920µJ（OFF）	40 NC	26NS/194NS
NVTFWS005N04CTAG	1.5800	RFQ	2130	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-Powerwdfn	NVTFWS005			MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道						40 V	17a（17a），69A （TC）	10V	5.6MOHM @ 35A，10V	3.5V @ 40µA	16 NC @ 10 V	±20V	1000 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），50W（TC）
NVD6820NLT4G	-	RFQ	3705	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NVD682			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						90 v	10A（10A），50A （TC）	4.5V，10V	16.7mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	44 NC @ 4.5 V	±20V	4209 PF @ 25 V	-	（4W）（100W）（TC）
FDMS9410L-F085	-	RFQ	4655	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	FDMS94			MOSFET （金属 o化物）		Power56	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						40 V	50A（TC）	10V	4.1MOHM @ 50a，10v	3V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	1960 pf @ 20 V	-	75W（TJ）
US6M2GTR	0.6700	RFQ	3815	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅	US6M2			MOSFET （金属 o化物）	1W	Tumt6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道							30V，20V	1.5a，1a		240MOHM @ 1.5A，4.5V，390MOHM @ 1A，4.5V	1.5V @ 1MA，2V @ 1MA	2.2nc @ 4.5V，2.1nc @ 4.5V		80pf @ 10V，150pf @ 10V	-
SFT1443-TL-W	-	RFQ	3598	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SFT1443			MOSFET （金属 o化物）		DPAK/TP-FA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	700		n通道						100 v	9a（9a）	4V，10V	225mohm @ 3a，10v	2.6V @ 1mA	9.8 NC @ 10 V	±20V	490 pf @ 20 V	-	1W（1W），19w（tc）
3SK295ZQ-TL-E	0.2600	RFQ	36	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
ISP25DP06NMXTSA1	0.8600	RFQ	6	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	ISP25DP06			MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道						60 V	1.9a（ta）	10V	250MOHM @ 1.9A，10V	4V @ 270µA	10.8 NC @ 10 V	±20V	420 pf @ 30 V	-	1.8W（ta），4.2W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（102018）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²