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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
SST5485-E3	-	RFQ	4758	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SST5485				350兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000		n通道													5pf @ 15V													25 v	4 mA @ 15 V	500 mv @ 10 na
BLF6G10-135RN，112	-	RFQ	9540	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v		底盘安装	SOT-502A	BLF6G10		871.5MHz〜891.5MHz	ldmos		SOT502A	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20			32a		950 MA	26.5W	21dB											-									28 V
SI1905DL-T1-E3	-	RFQ	7024	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1905			MOSFET （金属 o化物）	270MW	SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）							8V	570mA		600MOHM @ 570mA，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	2.3nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
5HN01M-TL-E	-	RFQ	4639	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	5HN01			MOSFET （金属 o化物）		MCP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道						50 V	（100mA）（TA）	4V，10V	7.5OHM @ 50mA，10V	-	1.4 NC @ 10 V	±20V	6.2 pf @ 10 V	-	150MW（TA）
PMN49en，135	-	RFQ	7237	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	PMN4			MOSFET （金属 o化物）		SC-74	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10,000		n通道						30 V	4.6A（TC）	4.5V，10V	47MOHM @ 2A，10V	2V @ 1mA	8.8 NC @ 4.5 V	±20V	350 pf @ 30 V	-	1.75W（TC）
PXT3904	0.0840	RFQ	100	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA					500兆	SOT-89	-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-PXT3904TR	Ear99		1,000																					40 V	200 ma									50NA（iCBO）	NPN	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
PHPT610030PKX	-	RFQ	9811	NXP半导体	-	大部分	过时的		175°C（TJ）	表面安装	SOT-12205，8-LFPAK56	PHPT610030				1.25W	LFPAK56D	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-PHPT610030PKX	Ear99	8541.29.0075	1																					100V	3a									100NA	2 PNP （双）	360mv @ 200mA，2a	150 @ 500mA，10v	125MHz
DTC144TETL	0.0707	RFQ	6994	Rohm半导体	DTC144T	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计			表面安装	SC-75，SOT-416	DTC144				150兆	EMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																					50 V	100 ma									500NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，5mA	100 @ 1mA，5V	250 MHz	47科姆斯
AFT21S230SR3	192.4100	RFQ	1	NXP半导体	-	大部分	过时的	65 v		表面安装	NI-780S-6			2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos		NI-780S-6	-				2156-AFT21S230SR3			2	n通道		-		1.5 a	50W	16.7db @ 2.11GHz											-									28 V
PTFA192001EV4R250XTMA1	-	RFQ	3993	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	H-36260-2	PTFA192001		1.99GHz	ldmos		H-36260-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250			10µA		1.8 a	50W	15.9db											-									30 V
IRFR110TRLPBF-BE3	1.3900	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR110			MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						100 v	4.3A（TC）		540MOHM @ 2.6A，10V	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
IPL60R104C7AUMA1	6.5800	RFQ	3	Infineon技术	Coolmos™C7	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	4-POWERTSFN	IPL60R			MOSFET （金属 o化物）		PG-VSON-4	下载	rohs3符合条件	2a （4周）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						600 v	20A（TC）	10V	104mohm @ 9.7a，10v	4V @ 490µA	42 NC @ 10 V	±20V	1819 PF @ 400 V	-	122W（TC）
PDTC123TM，315	0.0396	RFQ	7997	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-101，SOT-883	PDTC123				250兆	SOT-883	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000																					50 V	100 ma									1µA	npn-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	30 @ 20mA，5V		2.2 kohms
2N1506	34.3500	RFQ	1856年	微芯片技术	-	大部分	积极的		-	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以					3 W	TO-5AA	-			到达不受影响	150-2N1506	Ear99	8541.29.0095	1																					40 V	500 MA									-	PNP	1.5V @ 50µA，100µA	-	-
NVTFS5C673NLWFTAG	1.6500	RFQ	1640年	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NVTFS5			MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道						60 V	（13A）（TA），50A（tc）	4.5V，10V	9.8mohm @ 25a，10v	2V @ 250µA	9.5 NC @ 10 V	±20V	880 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），46W（tc）
TIP126	1.0400	RFQ	192	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					65 w	TO-220-3	下载	Rohs不合规			2368-TIP126	Ear99	8541.29.0095	1																					80 V	5 a									500µA	pnp-达灵顿	4V @ 20mA，5a	1000 @ 3a，3v	4MHz
IXGQ85N33PCD1	7.1300	RFQ	5314	ixys	Polar™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXGQ85	标准			150 w	to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				-															250 ns	-	330 v	85 a	3V @ 15V，100a	-	80 NC	-
2SB888-AA	0.1600	RFQ	12	Onmi	*	大部分	积极的											下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1
PSMB050N10NS2_R2_00601	2.5300	RFQ	800	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	PSMB050N10			MOSFET （金属 o化物）		TO-263	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道						100 v	120a（TJ）	6V，10V	5mohm @ 50a，10v	3.8V @ 270µA	53 NC @ 10 V	±20V	3910 PF @ 50 V	-	138W（TC）
SI4952DY-T1-GE3	-	RFQ	8181	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4952			MOSFET （金属 o化物）	2.8W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）							25V	8a		23mohm @ 7a，10v	2.2V @ 250µA	18NC @ 10V		680pf @ 13V	逻辑级别门
SIZ340ADT-T1-GE3	1.1100	RFQ	16	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	SIZ340			MOSFET （金属 o化物）	3.7W（3.7W），16.7W（TC），4.2W（ta（31W），31W（（（ta）	8-Power33（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIZ340ADT-T1-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）							30V	15.7a（TA），33.4a tc），25.4a ta（69.7a tc）（TC）		9.4mohm @ 10a，10v，4.29mohm @ 20a，10v	2.4V @ 250µA	12.2nc @ 10v，27.9nc @ 10v		580pf @ 15V，1290pf @ 15V	-
IRF3808STRLPBF	3.9000	RFQ	780	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF3808			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道						75 v	106a（TC）	10V	7mohm @ 82a，10v	4V @ 250µA	220 NC @ 10 V	±20V	5310 PF @ 25 V	-	200W（TC）
NDT014L	0.9500	RFQ	9036	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	NDT014			MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道						60 V	2.8A（ta）	4.5V，10V	160MOHM @ 3.4a，10V	3V @ 250µA	5 NC @ 4.5 V	±20V	214 pf @ 30 V	-	（3W）（TA）
FQPF6N80T	1.1600	RFQ	5	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道						800 v	3.3A（TC）	10V	1.95OHM @ 1.65A，10V	5V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±30V	1500 pf @ 25 V	-	51W（TC）
BSC059N03S g	-	RFQ	5255	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN				MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道						30 V	17.5A（ta），73A（tc）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 50a，10v	2V @ 35µA	21 NC @ 5 V	±20V	2670 pf @ 15 V	-	17.5W（ta），48W（tc）
RN1116，LF（ct	0.2000	RFQ	170	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-75，SOT-416	RN1116				100兆	SSM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0075	3,000																					50 V	100 ma									500NA	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	50 @ 10mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯	10 kohms
FDPC8014AS	-	RFQ	6026	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDPC8014			MOSFET （金属 o化物）	2.1W，2.3W	电源夹56	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）							25V	20a，40a		3.8mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	35nc @ 10V		2375pf @ 13V	-
KSC2756YMTF	0.0200	RFQ	6280	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					150MW	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,295							15DB〜23DB														20V	30mA										NPN		120 @ 5mA，10v	850MHz			6.5db @ 200MHz
STF19NM50N	4.5600	RFQ	996	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF19			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						500 v	14A（TC）	10V	250MOHM @ 7A，10V	4V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±25V	1000 pf @ 50 V	-	30W（TC）
STD11N60M2-EP	-	RFQ	8305	Stmicroelectronics	MDMESH™M2-EP	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD11			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						600 v	7.5A（TC）	10V	595MOHM @ 3.75A，10V	4.75V @ 250µA	12.4 NC @ 10 V	±25V	390 pf @ 100 V	-	85W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²