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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
TPT5609-C-AP	-	RFQ	3126	微商业公司	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	TPT5609			750兆w	到92	-	rohs3符合条件	不适用			Ear99	8541.21.0075	1															20 v	1 a								1µA（ICBO）		NPN	500mv @ 80mA，800mA	120 @ 500mA，2V	190MHz
FQU5N50TU	-	RFQ	6782	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	FQU5		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	70	n通道		500 v	3.5A（TC）	10V	1.8OHM @ 1.75a，10V	5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	610 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），50W（50W）（TC）
IXFP4N85XM	3.3100	RFQ	1	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IXFP4N85		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道		850 v	3.5A（TC）	10V	2.5OHM @ 2A，10V	5.5V @ 250µA	7 NC @ 10 V	±30V	247 PF @ 25 V	-	35W（TC）
FQP4N50	-	RFQ	6409	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP4		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道		500 v	3.4A（TC）	10V	2.7OHM @ 1.7A，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	460 pf @ 25 V	-	70W（TC）
IXGH24N60AU1	-	RFQ	8644	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH24	标准		150 w	TO-247AD	下载		不适用	到达不受影响	IXGH24N60AU1-NDR	Ear99	8541.29.0095	30		480V，24a，10ohm，15V											50 ns	-	600 v	48 a	96 a	2.7V @ 15V，24a	600µJ（在）上，1.5MJ（OFF）	90 nc	25NS/150NS
BS170RLM	1.0000	RFQ	4762	Onmi	-	大部分	过时的				BS170					-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000
DMP2104LP-7	0.4300	RFQ	78	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-udfn	DMP2104		MOSFET （金属 o化物）		DFN1411-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道		20 v	1.5A（TA）	1.8V，4.5V	150MOHM @ 950mA，4.5V	1V @ 250µA		±12V	320 pf @ 16 V	-	500MW（TA）
SI3867DV-T1-GE3	-	RFQ	6583	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3867		MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道		20 v	3.9a（ta）	2.5V，4.5V	51MOHM @ 5.1A，4.5V	1.4V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.1W（TA）
MSC750SMA170B4	5.6100	RFQ	137	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4			sicfet （碳化硅）		TO-247-4	下载		（1 （无限）	到达不受影响	150-MSC750SMA170B4	Ear99	8541.29.0095	90	n通道		1700 v	7A（TC）	20V	940MOHM @ 2.5A，20V	3.25V @ 100µA（100µA））	11 NC @ 20 V	+23V，-10V	184 PF @ 1360 V	-	68W（TC）
mps6601rlra	-	RFQ	1829年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPS660			625兆	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000															25 v	1 a								100NA		NPN	600mv @ 100mA，1a	50 @ 500mA，1V	100MHz
NVHL040N65S3HF	8.5422	RFQ	3882	Onmi	SuperFet®III，FRFET®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NVHL040N65S3HF	Ear99	8541.29.0095	30	n通道		650 v	65A（TC）	10V	40mohm @ 32.5a，10v	5V @ 2.1mA	157 NC @ 10 V	±30V	6655 PF @ 400 V	-	446W（TC）
DMTH47M2SPSWQ-13	0.3045	RFQ	6286	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN	DMTH47		MOSFET （金属 o化物）		PowerDI5060-8（type UX）	下载			到达不受影响	31-DMTH47M2SPSPSPSWQ-13TR	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道		40 V	73A（TC）	10V	7.5mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	12.1 NC @ 10 V	±20V	897 PF @ 20 V	-	3.3W（TA），68W（tc）
BC847BV，315	1.0000	RFQ	5101	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的									下载						0000.00.0000	1
IF170AST3	-	RFQ	9680	交流	IF170	条	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-3				350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	4966-IF170AST3	Ear99	8541.21.0095	1	n通道		30 V							15pf @ 10V												4 mA @ 10 V	600 mv @ 1 na		80欧姆
ZVP4525E6TA	0.9100	RFQ	3822	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	ZVP4525		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道		250 v	197MA（ta）	3.5V，10V	14ohm @ 200ma，10v	2V @ 1mA	3.45 NC @ 10 V	±40V	73 pf @ 25 V	-	1.1W（TA）
IRFR3704Tr	-	RFQ	3357	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	SP001573372	Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道		20 v	75A（TC）	10V	9.5Mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	19 nc @ 4.5 V	±20V	1996 PF @ 10 V	-	90W（TC）
DTA14444EET1G	0.1600	RFQ	11	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SC-75，SOT-416	DTA144			200兆	SC-75，SOT-416	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000															50 V	100 ma								500NA		pnp-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	80 @ 5mA，10v		47科姆斯	47科姆斯
DMTH6005LFG-7	0.5078	RFQ	2590	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMTH6005		MOSFET （金属 o化物）		PowerDI3333-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	31-DMTH6005LFG-7TR	Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道		60 V	19.7a（ta），100a（tc）	4.5V，10V	4.1MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	48.7 NC @ 10 V	±20V	3150 pf @ 30 V	-	2.38W（ta），75W（（（（（（（（（（
NTMFS4826NET1G	-	RFQ	1889年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道		30 V	9.5A（TA），66A （TC）	4.5V，11.5V	5.9MOHM @ 30a，10V	2.5V @ 250µA	20 NC @ 4.5 V	±20V	1850 pf @ 12 V	-	870MW（TA），41.7W（tc）
IXFR24N100	18.6177	RFQ	3869	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR24		MOSFET （金属 o化物）		ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道		1000 v	22a（TC）	10V	390MOHM @ 12A，10V	5.5V @ 8mA	267 NC @ 10 V	±20V	8700 PF @ 25 V	-	416W（TC）
IXFN120N20	31.6500	RFQ	3810	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN120		MOSFET （金属 o化物）		SOT-227B	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	IXFN120N20-NDR	Ear99	8541.29.0095	10	n通道		200 v	120A（TC）	10V	17mohm @ 500mA，10v	4V @ 8mA	360 NC @ 10 V	±20V	9100 PF @ 25 V	-	600W（TC）
IXTP8N70X2M	3.4000	RFQ	12	ixys	Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	ixtp8		MOSFET （金属 o化物）		TO-220隔离选项卡	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixtp8n70x2m	Ear99	8541.29.0095	50	n通道		700 v	4A（TC）	10V	550MOHM @ 500mA，10V	5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±30V	800 pf @ 10 V	-	32W（TC）
NTE128P	3.1900	RFQ	7263	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-237AA				850兆	TO-237	下载	Rohs不合规			2368-NTE128P	Ear99	8541.29.0095	1															80 V	1 a								100NA（ICBO）		NPN	-	100 @ 350mA，2V	50MHz
IXFX34N80	20.9458	RFQ	1236	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX34		MOSFET （金属 o化物）		加上247™-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	IXFX34N80-NDR	Ear99	8541.29.0095	30	n通道		800 v	34A（TC）	10V	240mohm @ 17a，10v	5V @ 8mA	270 NC @ 10 V	±20V	7500 PF @ 25 V	-	560W（TC）
irfr3412pbf	-	RFQ	9817	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响	*irfr3412pbf	Ear99	8541.29.0095	75	n通道		100 v	48A（TC）	10V	25mohm @ 29a，10v	5.5V @ 250µA	89 NC @ 10 V	±20V	3430 pf @ 25 V	-	140W（TC）
TK3P80E，RQ	1.1500	RFQ	4414	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道		800 v	3A（3A）	10V	4.9ohm @ 1.5A，10V	4V @ 300µA	12 nc @ 10 V	±30V	500 pf @ 25 V	-	80W（TC）
BCR119WE6327HTSA1	-	RFQ	9956	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SC-70，SOT-323	BCR119			250兆	PG-SOT323	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000															50 V	100 ma								100NA（ICBO）		npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	120 @ 5mA，5V	150 MHz	4.7科姆斯
IRF5803Tr	-	RFQ	6810	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6			MOSFET （金属 o化物）		Micro6™tsop-6）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道		40 V	3.4a（ta）	4.5V，10V	112MOHM @ 3.4A，10V	3V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±20V	1110 PF @ 25 V	-	2W（TA）
BC856A-AU_R1_000A1	0.2100	RFQ	2	Panjit International Inc.	汽车，AEC-Q101，BC856-AU	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC856			330兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-BC856A-AU_R1_000A1DKR	Ear99	8541.21.0095	3,000															65 v	100 ma								15NA（icbo）		PNP	650mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	200MHz
AUIRGF66524D0-IR	4.3700	RFQ	7	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	AUIRGF66524	标准		214 w	TO-247AC	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		400V，24a，10ohm，15V											176 ns	-	600 v	60 a	72 a	1.9V @ 15V，24a	（915µJ）（在），280µJ（（（（（（）	80 NC	30ns/75ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²