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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
PDTC143ZU，115	-	RFQ	6330	NXP半导体	*	大部分	积极的												下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PDTC143ZU，115-954			1
FDD13AN06A0	1.8300	RFQ	215	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD13AN06			MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						60 V	9.9a（ta），50a （TC）	6V，10V	13.5MOHM @ 50a，10v	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	1350 pf @ 25 V	-	115W（TC）
IXGH30N60C3C1	-	RFQ	1110	ixys	Genx3™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH30	标准			220 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				300V，20A，5OHM，15V																pt	600 v	60 a	150 a	3V @ 15V，20A	（120µJ）（在），90µJ（90µJ）中	38 NC	17NS/42NS
FS500R17OE4DPBOSA1	1.0000	RFQ	9694	Infineon技术	-	托盘	积极的		-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FS500R17				20兆	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4	全桥																			沟渠场停止	1700 v	1000 a		2.3V @ 15V，500A					3 ma	是的	40 NF @ 25 V
FDB082N15A	6.4900	RFQ	6965	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FDB082			MOSFET （金属 o化物）			d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道						150 v	117a（TC）	10V	8.2MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	84 NC @ 10 V	±20V	6040 pf @ 25 V	-	294W（TC）
IRLU2705	-	RFQ	2351	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				MOSFET （金属 o化物）			我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*irlu2705	Ear99	8541.29.0095	75		n通道						55 v	28a（TC）	4V，10V	40mohm @ 17a，10v	2V @ 250µA	25 NC @ 5 V	±16V	880 pf @ 25 V	-	68W（TC）
IPD95R450PFD7ATMA1	2.8900	RFQ	4696	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						950 v	13.3A（TC）	10V	450MOHM @ 7.2A，10V	3.5V @ 360µA	43 NC @ 10 V	±20V	1230 PF @ 400 V	-	104W（TC）
SIHLZ34S-GE3	0.6631	RFQ	2012	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHLZ34			MOSFET （金属 o化物）			d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHLZ34S-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						60 V	30A（TC）	4V，5V	50mohm @ 18a，5v	2V @ 250µA	35 NC @ 5 V	±10V	1600 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），88W（TC）
FQU4P25TU	0.3400	RFQ	4481	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				MOSFET （金属 o化物）			我帕克	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	23		P通道						250 v	3.1A（TC）	10V	2.1OHM @ 1.55A，10V	5V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±30V	420 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），45W（（（（（（（（（（
2SC2859-y-TP	0.0663	RFQ	9906	微商业公司	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2SC2859				150兆		SOT-23	下载				353-2SC2859-y-TP	Ear99	8541.21.0075	1																					30 V	500 MA							100NA（ICBO）			NPN	250mv @ 10mA，100mA	70 @ 100mA，1V	300MHz
IRL1104	-	RFQ	4852	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL1104	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						40 V	104a（TC）	4.5V，10V	8mohm @ 62a，10v	1V @ 250µA	68 NC @ 4.5 V	±16V	3445 pf @ 25 V	-	167W（TC）
PDTA123JU，115	-	RFQ	5971	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PDTA12							下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
FCP170N60	3.5600	RFQ	1	Fairchild半导体	SuperFet®II	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	92		n通道						600 v	22a（TC）	10V	170mohm @ 11a，10v	3.5V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±20V	2860 PF @ 380 V	-	227W（TC）
MUN5312DW1T1	-	RFQ	1068	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	MUN53				250MW		SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																					50V	100mA							500NA			1 npn，1 pnp- 预偏（二）	250mv @ 300µA，10mA	60 @ 5mA，10v	-	22KOHMS	22KOHMS
MRF6S21100HSR5	-	RFQ	7391	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		底盘安装	NI-780	MRF6		2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos			NI-780	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			-		950 MA	23W	15.9db											-										28 V
MG1750S-BN4MM	-	RFQ	2894	Littelfuse Inc.	-	大部分	过时的		-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	S-3模块					320 w	标准	S3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		-MG1750S-BN4MM	Ear99	8541.29.0095	50	半桥																			沟渠场停止	1700 v	75 a		2.45V @ 15V，50a					3 ma	不	4.5 nf @ 25 V
2SA1973-5-TB-E	-	RFQ	7344	Onmi	-	大部分	过时的												-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-2SA1973-5-TB-E-488			1
MUN2231T1G	0.0257	RFQ	1676年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MUN2231				338 MW		SC-59	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																					50 V	100 ma							500NA			npn-预先偏见	250mv @ 5mA，10mA	8 @ 5mA，10v		2.2 kohms	2.2 kohms
TSM60NC165CI C0G	9.1600	RFQ	4	台湾半导体公司	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM60			MOSFET （金属 o化物）			ITO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1801-TSM60NC165CIC0G	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道						600 v	24A（TC）	10V	165mohm @ 11.3a，10v	5V @ 1mA	44 NC @ 10 V	±30V	1857 PF @ 300 V	-	89W（TC）
STB7NK80Z-1	1.7752	RFQ	7097	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	STB7NK80			MOSFET （金属 o化物）			i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						800 v	5.2A（TC）	10V	1.8OHM @ 2.6a，10V	4.5V @ 100µA	56 NC @ 10 V	±30V	1138 PF @ 25 V	-	125W（TC）
MMBT200-FS	0.0300	RFQ	155	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					350兆		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																					45 v	500 MA							50NA			PNP	400mv @ 20mA，200mA	100 @ 150mA，5V	250MHz
UPA1453H-az	2.7800	RFQ	727	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的												下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
SI7216DN-T1-GE3	1.6600	RFQ	7698	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®1212-8	SI7216			MOSFET （金属 o化物）	20.8W		POWERPAK®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）							40V	6a		32MOHM @ 5A，10V	3V @ 250µA	19nc @ 10V		670pf @ 20V	-
SGS23N60UFDTU	1.0000	RFQ	8772	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SGS23N60	标准			73 W		TO-220F	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1				300V，12a，23ohm，15V															60 ns	-	600 v	23 a	92 a	2.6V @ 15V，12a	（115µJ）（在），135µJ（（（（）	49 NC	17NS/60NS
2N7002KQ-7-52	0.0458	RFQ	5108	二极管合并	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2N7002			MOSFET （金属 o化物）			SOT-23-3	下载				31-2N7002KQ-7-52	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道						60 V	380mA（ta）	5V，10V	2ohm @ 500mA，10v	2.5V @ 1mA	0.3 NC @ 4.5 V	±20V	50 pf @ 25 V	-	370MW（TA）
BCW60A	0.0400	RFQ	1922年	Infineon技术	-	大部分	过时的		-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					350兆		SOT-23-3	下载	不适用				Ear99	8541.21.0075	366																					32 v	100 ma							20NA			NPN	550mv @ 1.25mA，50mA	120 @ 2mA，5V	125MHz
IRGP6640D-EPBF	-	RFQ	2913	Infineon技术	-	管子	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准			200 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001546152	Ear99	8541.29.0095	25				400V，24a，10ohm，15V															70 ns	-	600 v	53 a	72 a	1.95V @ 15V，24a	（90µJ）（在600µJ上）	50 NC	40NS/100NS
IGP20N60H3	-	RFQ	4176	Infineon技术	Trenchstop™	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准			170 w		pg-to220-3-1	下载					Ear99	8541.29.0095	230				400V，20a，14.6Ohm，15V																沟渠场停止	600 v	40 a	80 a	2.4V @ 15V，20A	（450µJ）（在），240µJ（240µJ）上	120 NC	16NS/194NS
IXDR30N120D1	12.9400	RFQ	8336	ixys	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixdr30	标准			200 w		ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				600V，30a，47ohm，15V															40 ns	npt	1200 v	50 a	60 a	2.9V @ 15V，30a	4.6mj（在）上，3.4MJ off）	120 NC	-
2N4924	0.5330	RFQ	50	固态公司	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3					1 w		到39	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	2383-2N4924	Ear99	8541.10.0080	10																					100 v	200 ma							100NA（ICBO）			NPN	400mv @ 5mA，50mA	40 @ 150mA，10v	500MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²