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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
IXTH36P15P	8.9737	RFQ	7721	ixys	Polarp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth36	MOSFET （金属 o化物）		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		P通道	150 v	36a（TC）	10V	110MOHM @ 18A，10V	4.5V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±20V	3100 pf @ 25 V	-	300W（TC）
FDS7764A	-	RFQ	5564	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS77	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	15A（TA）		7.5MOHM @ 15a，4.5V	2V @ 250µA	40 NC @ 4.5 V		3451 PF @ 15 V	-	-
DMP3008SFG-7	0.4900	RFQ	917	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMP3008	MOSFET （金属 o化物）		PowerDI3333-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000		P通道	30 V	8.6a（ta）	4.5V，10V	17mohm @ 10a，10v	2.1V @ 250µA	47 NC @ 10 V	±20V	2230 pf @ 15 V	-	900MW（TA）
BUK9535-55A127	0.2700	RFQ	2233	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	940		n通道	55 v	34A（TC）	4.5V，10V	32mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA		±10V	1173 PF @ 25 V	-	85W（TC）
TSM180P03C	0.6100	RFQ	5273	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM180	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM180P03CSTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		P通道	30 V	10A（TC）	4.5V，10V	18mohm @ 8a，10v	2.5V @ 250µA	14.6 NC @ 4.5 V	±20V	1730 pf @ 15 V	-	2.5W（TC）
IXFK30N100Q2	-	RFQ	4061	ixys	Hiperfet™，Q2类	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK30	MOSFET （金属 o化物）		TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道	1000 v	30A（TC）	10V	400mohm @ 15a，10v	5V @ 8mA	186 NC @ 10 V	±30V	8200 PF @ 25 V	-	735W（TC）
2SK1485（0）-T1-AZ	-	RFQ	9703	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的								下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000
apt5016bllg	11.1800	RFQ	2954	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT5016	MOSFET （金属 o化物）		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	500 v	30A（TC）	10V	160mohm @ 15a，10v	5V @ 1mA	72 NC @ 10 V	±30V	2833 PF @ 25 V	-	329W（TC）
IPZA60R060P7XKSA1	8.9800	RFQ	5368	Infineon技术	Coolmos™P7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	IPZA60	MOSFET （金属 o化物）		pg-to247-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	600 v	48A（TC）	10V	60mohm @ 15.9a，10v	4V @ 800µA	67 NC @ 10 V	±20V	2895 PF @ 400 V	-	164W（TC）
VN0106N3-G	0.8100	RFQ	5	微芯片技术	-	包	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	VN0106	MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	60 V	350mA（TJ）	5V，10V	3ohm @ 1a，10v	2.4V @ 1mA		±20V	65 pf @ 25 V	-	1W（TC）
IPB180P04P4L02AUMA1	-	RFQ	6714	Infineon技术	Optimos®-P2	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	IPB180	MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-7-3	-					过时的		1		P通道	40 V	180a（TC）	4.5V，10V	2.4MOHM @ 100A，10V	2.2V @ 410µA	286 NC @ 10 V	+5V，-16V	18700 PF @ 25 V	-	150W（TC）
DMN62D0UT-13	0.0500	RFQ	2966	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-523	DMN62	MOSFET （金属 o化物）		SOT-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	DMN62D0UT-13DI	Ear99	8541.29.0095	10,000		n通道	60 V	320mA（TA）	1.8V，2.5V，4.5V	2ohm @ 50mA，4.5V	1V @ 250a	0.5 NC @ 4.5 V	±20V	32 pf @ 30 V	-	230mw（TA）
BCP55-16	0.1499	RFQ	4372	diotec半导体	-	盒子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			1.3 w	SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2796-BCP55-16		8541.21.0000	4,000													60 V	1 a				100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	100MHz
BSP126,115	-	RFQ	7230	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的				BSP1				-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000
PBLS1504Y，115	0.0700	RFQ	74	NXP半导体	*	大部分	积极的				PBLS1504				下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PBLS1504Y，115-954			4,873
ALD310700APCL	9.7700	RFQ	76	高级线性设备公司	EPAD®，零阈值™	管子	积极的	0°C〜70°C	通过洞	16 浸（0.300英寸，7.62mm）	ALD310700	MOSFET （金属 o化物）	500MW	16-PDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1014-1284	Ear99	8541.21.0095	50	4个p通道，匹配对		8V	-		-	20mv @ 1µA	-		2.5pf @ 5V	-
BC556ABU	0.0400	RFQ	14	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			500兆	TO-92-3	下载					Ear99	8541.21.0075	8,435													65 v	100 ma				15NA（icbo）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	150MHz
PJD1NA60A_R2_00001	-	RFQ	8578	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	PJD1NA60	MOSFET （金属 o化物）		TO-252	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	-	10V	7.9Ohm @ 500mA，10v	4V @ 250µA	3.1 NC @ 10 V	±30V	148 pf @ 25 V	-	-
F3L200R07W2S5FB56BPSA1	102.9187	RFQ	4780	Infineon技术	-	托盘	积极的								-	rohs3符合条件			448-F3L200R07W2S5FB56BPSA1			15
JANSM2N2906AUB	148.2202	RFQ	3910	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	大部分	积极的	-65°C 〜200°C	表面安装	3-SMD，没有铅			500兆	UB	-			到达不受影响	150-JANSM2N2906AUB			1													60 V	600 MA				50NA	PNP	1.6V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10v	-
FDPF18N50	3.0600	RFQ	9	Onmi	Unifet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FDPF18	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	18A（TC）	10V	265MOHM @ 9A，10V	5V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±30V	2860 pf @ 25 V	-	38.5W（TC）
AO3421E	0.4100	RFQ	1	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，SOT-23-3变体	AO34	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	3A（3A）	4.5V，10V	95MOHM @ 3A，10V	2.5V @ 250µA	8 nc @ 10 V	±20V	215 pf @ 15 V	-	1.4W（TA）
DMT3020LFDBQ-13	0.1688	RFQ	2389	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	DMT3020	-	700MW	U-DFN2020-6（B型）	下载			到达不受影响	31-DMT3020LFDBQ-13TR	Ear99	8541.29.0095	10,000	2 n 通道（双）		30V	7.7a（ta）		20mohm @ 9a，10v	2.5V @ 250µA	7NC @ 10V		393pf @ 15V	-
RM5N60S4	0.1500	RFQ	5893	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM5N60S4TR		8541.10.0080	30,000		n通道	60 V	5A（5A）	4.5V，10V	55MOHM @ 4.5A，10V	2.5V @ 250µA		±20V	450 pf @ 25 V	-	2W（TA）
2SD880-Q-BP	-	RFQ	4659	微商业公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	2SD880		1.5 w	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000													60 V	3 a				100µA（ICBO）	NPN	1V @ 300mA，3a	60 @ 500mA，5V	3MHz
IPU80R1K0CEAKMA1	-	RFQ	2702	Infineon技术	CoolMos™CE	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IPU80R1	MOSFET （金属 o化物）		PG-TO251-3-341	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道	800 v	5.7A（TC）	10V	950MOHM @ 3.6A，10V	3.9V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±20V	785 pf @ 100 V	-	83W（TC）
2SC2411K_R1_00001	0.2200	RFQ	2	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2SC2411K		225兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-2SC2411K_R1_00001DKR	Ear99	8541.21.0075	3,000													32 v	500 MA				1µA（ICBO）	NPN	600mv @ 50mA，500mA	120 @ 100mA，3v	250MHz
TIP33C	3.0000	RFQ	328	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-218-3			80 W	TO-218	下载	rohs3符合条件			2368-TIP33C	Ear99	8541.29.0095	1													100 v	10 a				-	NPN	-	100 @ 3A，4V	3MHz
NTC040N120SC1	20.2120	RFQ	7383	Onmi	-	托盘	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	死		sicfet （碳化硅）		死	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NTC040N120SC1	Ear99	8541.29.0095	1		n通道	1200 v	60a（TC）	20V	56mohm @ 35a，20v	4.3V @ 10mA	106 NC @ 20 V	+25V，-15V	1781 PF @ 800 V	-	348W（TC）
SST5485-E3	-	RFQ	4758	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SST5485		350兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000		n通道								5pf @ 15V					25 v	4 mA @ 15 V	500 mv @ 10 na

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²