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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	（ID） - 最大
RGTH40TS65DGC11	1.8792	RFQ	9340	Rohm半导体	-	管子	不适合新设计		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	RGTH40	标准			144 w		TO-247N	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，20a，10ohm，15V															58 ns	沟渠场停止	650 v	40 a	80 a	2.1V @ 15V，20A	-	40 NC	22NS/73NS
RFD16N05SM9AS2480	0.5300	RFQ	975	哈里斯公司	*	大部分	积极的					RFD16			-				-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1																-
D40K2	7.3600	RFQ	528	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-202长标签					1.67 w		到202	下载	rohs3符合条件			2368-D40K2	Ear99	8541.29.0095	1																					50 V	2 a										500NA				npn-达灵顿	1.5V @ 3mA，1.5a	10000 @ 200mA，5v	-
NVTFS5C471NLWFTAG	1.6200	RFQ	4474	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NVTFS5			MOSFET （金属 o化物）			8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道						40 V	41A（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 10a，10v	2.2V @ 20µA	5.5 NC @ 4.5 V	±20V	660 pf @ 25 V	-	30W（TC）
2SK4092-S35-A	2.8400	RFQ	5	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3				MOSFET （金属 o化物）			TO-3P（MP-88）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2156-2SK4092-S35-A	Ear99	8541.29.0075	1		n通道						600 v	21a（TC）	10V	400mohm @ 10a，10v	3.5V @ 1mA	50 NC @ 10 V	±30V	3240 pf @ 10 V	-	（3W）（200W）（200w tc）
XP264N0301TR-G	0.0604	RFQ	4830	托雷克斯半导体有限公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	XP264			MOSFET （金属 o化物）			SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道						60 V	300mA（TA）	4.5V，10V	1.6ohm @ 100mA，10v	2.1V @ 250µA	0.72 NC @ 10 V	±20V	30 pf @ 20 V	-	400MW（TA）
IXFH26N503	8.0000	RFQ	298	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH26			MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道						500 v	26a（TC）	10V	230MOHM @ 13A，10V	5V @ 4mA	42 NC @ 10 V	±30V	2220 PF @ 25 V	-	500W（TC）
2PA1774SMB，315	0.0794	RFQ	8714	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883	2PA1774				250兆		SOT-883	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934065896315	Ear99	8541.21.0075	10,000																					40 V	100 ma										100NA（ICBO）				PNP	200mv @ 5mA，50mA	270 @ 1mA，6v	100MHz
MCU25P06-TP-HF	0.6873	RFQ	6678	微商业公司	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MCU25			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载				353-MCU25P06-TP-HF	Ear99	8541.29.0095	1		P通道						60 V	25A（TC）	10V	45mohm @ 20a，10v	3.5V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	3430 PF @ 30 V	-	90W
BUK763R1-40B，118	1.1900	RFQ	12	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BUK763R1-40B，118-954			1		n通道						40 V	75A（TC）	10V	3.1MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA	94 NC @ 10 V	±20V	6808 PF @ 25 V	-	300W（TC）
MMDT4413	0.0300	RFQ	300	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	MMDT44				200MW		SOT-363	-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-MMDT4413TR	Ear99		3,000																					40V	600mA										100NA（ICBO）				NPN，PNP	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，1V	250MHz，200MHz
AO4498EL	-	RFQ	4785	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AO44			MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						30 V	18A（18A）	4.5V，10V	5.8mohm @ 18a，10v	2.3V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	2760 pf @ 15 V	-	3.1W（TA）
FDP7030L	-	RFQ	7824	Onmi	PowerTrench®	管子	过时的		-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FDP70			MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						30 V	80a（ta）	4.5V，10V	7mohm @ 40a，10v	3V @ 250µA	33 NC @ 5 V	±20V	2440 pf @ 15 V	-	68W（TC）
MRF6S23100HSR3	-	RFQ	8454	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		底盘安装	NI-780	MRF6		2.4GHz	ldmos			NI-780	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		5A991G	8541.29.0075	250			-		1 a	20W	15.4dB											-										28 V
STGB10M65DF2	2.2700	RFQ	1	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STGB10	标准			115 w		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000				400V，10a，22ohm，15V															96 ns	沟渠场停止	650 v	20 a	40 a	2V @ 15V，10a	（120µJ）（在）中，270µJ（OFF）	28 NC	19NS/91NS
MMBTA56-AU_R1_000A1	0.2400	RFQ	3	Panjit International Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBTA56				225兆		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-MMBTA56-AU_R1_000A1TR	Ear99	8541.21.0075	3,000																					80 V	500 MA										100NA				PNP	250mv @ 10mA，100mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
PDTD143XT215	0.0300	RFQ	3377	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的												-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	8,030
RD3P01BATTL1	1.2400	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RD3P01			MOSFET （金属 o化物）			TO-252	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道						100 v	10a（10a）	6V，10V	240MOHM @ 5A，10V	4V @ 1mA	19.4 NC @ 10 V	±20V	660 pf @ 50 V	-	25W（TA）
FDD8880-G	-	RFQ	4373	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）			TO-252，（-d-pak）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2832-FD8880-GTR	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						30 V	（13a）（ta），58a tc）	4.5V，10V	9mohm @ 35a，10v	2.5V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±20V	1260 pf @ 15 V	-	55W（TC）
FDP8878	-	RFQ	8020	Onmi	PowerTrench®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FDP88			MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						30 V	40a（TC）	4.5V，10V	15mohm @ 40a，10v	2.5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	1235 PF @ 15 V	-	40.5W（TC）
FDBL0090N40	5.1700	RFQ	60	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn	FDBL0090			MOSFET （金属 o化物）			8-hpsof	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道						40 V	240a（TC）	10V	0.9MOHM @ 80A，10V	4V @ 250µA	188 NC @ 10 V	±20V	12000 PF @ 25 V	-	357W（TJ）
FDD9510L-F085	-	RFQ	6347	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD9510			MOSFET （金属 o化物）			D-pak（TO-252）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道						40 V	50A（TC）	4.5V，10V	13.5MOHM @ 50a，10v	3V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±16V	2020 PF @ 20 V	-	75W（TJ）
SIGC28T60EX1SA4	-	RFQ	3188	Infineon技术	Trenchstop™	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	死	SIGC28	标准					死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			0000.00.0000	1				-																沟渠场停止	600 v	50 a	150 a	1.85V @ 15V，50a	-		-
SIHA11N80E-GE3	3.5400	RFQ	1	Vishay Siliconix	e	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	Siha11			MOSFET （金属 o化物）			TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道						800 v	12A（TC）	10V	440MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	88 NC @ 10 V	±30V	1670 pf @ 100 V	-	34W（TC）
CP226V-2N4392-CT20	-	RFQ	3881	中央半导体公司	-	托盘	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	死					1.8 w		死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1514-CP226V-2N4392-CT20	Ear99	8541.29.0095	20		n通道						40 V							20pf @ 20V														40 V	25 ma @ 20 V	2 V @ 1 na				60欧姆					50 mA
CM100TJ-24F	-	RFQ	5125	Powerex Inc.	IGBTMOD™	大部分	过时的		-40°C〜150°C	底盘安装	模块					390 w	三相桥梁整流器	模块	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1	三相逆变器																			沟	1200 v	100 a		2.4V @ 15V，100a								1 MA	不	39 NF @ 10 V
MQ2N4093	63.2947	RFQ	3131	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/431	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3					360兆w		TO-18（（TO-206AA）	-			到达不受影响	150-MQ2N4093			1		n通道						40 V							16pf @ 20V														40 V	8 ma @ 20 V					80欧姆
BC856BQ-7-F	0.0301	RFQ	3639	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC856				310 MW		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	31-BC856BQ-7-FTR	Ear99	8541.21.0075	3,000																					65 v	100 ma										15NA				PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	200MHz
FDMC86520L	2.4200	RFQ	14	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMC86520			MOSFET （金属 o化物）			8-mlp（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						60 V	13.5A（TA），22a （TC）	4.5V，10V	7.9MOHM @ 13.5A，10V	3V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	4550 pf @ 30 V	-	2.3W（ta），40W（TC）
NXH75M65L4Q1PTG	78.3462	RFQ	2011	Onmi	-	托盘	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块					86 W	标准	53-pim/q2pack（93x47）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NXH75M65L4Q1PTG	Ear99	8541.29.0095	21	半桥																			沟渠场停止	650 v	59 a		2.22V @ 15V，75a								300 µA	是的	5.665 NF @ 30 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²